公开(公告)号：CN110061133A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201810046792.4

申请日：2018-01-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 刘洪 ,  沈文忠 ,  王新伟 ,  李正平 ,  王鑫

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

Abstract: 一种提高钙钛矿器件稳定性的方法，通过在含有钙钛矿薄膜的光电器件中设置金属热反射层，通过降低温度梯度以减少其导致的离子迁移过程，从而提高钙钛矿器件的稳定性。本发明能够大幅度提高钙钛矿电池稳定性，制造更实用化的太阳电池等光电器件。

公开(公告)号：CN107195788A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710270043.5

申请日：2017-04-24

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 刘洪 ,  沈文忠 ,  周烽 ,  王新伟

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/48 ,  H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/0006 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/42

Abstract: 一种基于电化学两步合成的钙钛矿薄膜制备方法，其以置于电解液中的导电材料为基底，通过在基底上施加负偏压以生成铅薄膜层；然后将基底置于卤化胺溶液中并施加正直流偏压或者交变电压，从而在铅薄膜层上得到所需的钙钛矿薄膜。本发明通过在溶液中进行电化学制备，制造适用于太阳电池等光电器件的钙钛矿薄膜材料。