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公开(公告)号：CN105826410B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610307092.7
申请日：2016-05-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , C30B33/10
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种消除金刚线切割痕迹的多晶硅制绒方法及其应用。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将具有金刚线切割痕迹的多晶硅片置于黑硅处理溶液中进行黑硅处理，在硅片表面形成多孔硅结构；(2)将该多晶硅片置于氢氟酸、硝酸的混合酸溶液中进行表面酸制绒，在表面形成微米尺度的孔状结构；(3)将该多晶硅片再次置于黑硅处理溶液中，在微米孔的内部形成多孔硅结构；(4)将该多晶硅片置于氢氧化钠溶液中进行碱制绒处理，在多晶硅片表面形成纳米倒金字塔嵌于微米孔内的微纳复合结构。本发明的制绒方法消除了金刚线切割多晶硅片的表面的划痕，有效降低了制绒后硅片的反射率，大幅度提升了金刚线切割多晶硅太阳电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN103603043B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310628453.4
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式籽晶生长钙掺杂YBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备Y123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长钙掺杂YBCO准单晶体；其中，前驱体按Y123+（0～15）wt%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到钙掺杂YBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于钙掺杂YBCO准单晶体的制备。
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公开(公告)号：CN103060914B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210514213.7
申请日：2012-12-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触前驱块体的上表面，将前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长，生长炉的温度程序为：从室温开始经过5h升温至960℃，保温3h；继续加热，升温至最高温度Tmax，保温1～2h；在15min内，降温至起始生长温度Ts；以阶梯型加速缓冷的生长程序，生长REBCO高温超导块体。本发明的一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，保证了籽晶诱导生长的同时，不会产生自发形核和第二相的富集，而且，逐步提高的降温速率，保证了生长所需的越来越大的驱动力。
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公开(公告)号：CN103614775B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310628510.9
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长REBCO准单晶体；其中，工序b）中的前驱体为工序a）获得的RE123相的粉末按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到REBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于REBCO准单晶体的制备。
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公开(公告)号：CN103614775A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310628510.9
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相的粉末；b）制备嵌入式籽晶的前驱体；c）将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长REBCO准单晶体；其中，工序b）中的前驱体为工序a）获得的RE123相的粉末按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到REBCO前驱体内，有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散，保证薄膜在高温状态的结构完整，提高薄膜的热稳定性，进而利于REBCO准单晶体的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108878549B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201810675157.2
申请日：2018-06-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种实现准全向硅太阳电池的方法，涉及太阳电池领域，包括以下步骤：步骤一，将硅片置于含金属离子溶液中，使硅片表面沉积一层金属纳米颗粒，得到附有金属纳米颗粒的硅片；步骤二，将所述附有金属纳米颗粒的硅片浸入酸性或碱性溶液中，使所述硅片表面形成纳米结构，得到表面附有纳米结构的硅片；步骤三，将所述表面附有纳米结构的硅片浸泡于酸性溶液中，去除表面附着的金属纳米颗粒，得到制绒的硅片；步骤四，将所述表面附有纳米结构的硅片制备成太阳电池。本发明还提供了太阳电池的准全向分析方法。本发明的方法提升太阳电池对不同角度入射光的准全向吸收性能，增加太阳电池的日或年发电量。
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公开(公告)号：CN105826410A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610307092.7
申请日：2016-05-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , C30B33/10
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02363 , C30B33/10 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种消除金刚线切割痕迹的多晶硅制绒方法及其应用。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将具有金刚线切割痕迹的多晶硅片置于黑硅处理溶液中进行黑硅处理，在硅片表面形成多孔硅结构；(2)将该多晶硅片置于氢氟酸、硝酸的混合酸溶液中进行表面酸制绒，在表面形成微米尺度的孔状结构；(3)将该多晶硅片再次置于黑硅处理溶液中，在微米孔的内部形成多孔硅结构；(4)将该多晶硅片置于氢氧化钠溶液中进行碱制绒处理，在多晶硅片表面形成纳米倒金字塔嵌于微米孔内的微纳复合结构。本发明的制绒方法消除了金刚线切割多晶硅片的表面的划痕，有效降低了制绒后硅片的反射率，大幅度提升了金刚线切割多晶硅太阳电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN103014861B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210580891.3
申请日：2012-12-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体的制备方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触宝塔形前驱块体的上表面，将宝塔形前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长。本发明还公开了一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体，该REBCO高温超导块体为宝塔形的单畴块材，不存在晶界弱连接。本发明的一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体的制备方法，运用加速冷却法，不会产生自发形核，生长速度快，不需要预先生长出块体籽晶，且可用于各种REBCO高温超导块体的生长，以及REBCO块体的掺杂生长。除此之外，该方法简单、易于操作、具有可重复性和可控性。
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公开(公告)号：CN103243383A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310172563.4
申请日：2013-05-10
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种冷速控制高温超导块体材料的生长方法，包括如下工序：a）制备LRE123相和LRE211相的粉末；b）制备前驱体；c）将籽晶放置在所述前驱体的上表面；d）将所述前驱体和籽晶置于生长炉中，升温至最高温度，并保温；e）快速将温度降低至包晶反应温度，然后以每小时0.5℃～1.0℃的速率降温20-40小时，最后淬火制得超导块体材料。本发明通过控制在超导体块材在生长过程中的降温速度，调整生长过程熔体中的组分，有效抑制包晶反应过程中出现的轻稀土元素和钡元素的替代情况，提高空气下制备的LREBCO超导体的超导性能。
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公开(公告)号：CN103014861A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210580891.3
申请日：2012-12-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体的制备方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触宝塔形前驱块体的上表面，将宝塔形前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长。本发明还公开了一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体，该REBCO高温超导块体为宝塔形的单畴块材，不存在晶界弱连接。本发明的一种宝塔形大尺寸REBCO高温超导块体的制备方法，运用加速冷却法，不会产生自发形核，生长速度快，不需要预先生长出块体籽晶，且可用于各种REBCO高温超导块体的生长，以及REBCO块体的掺杂生长。除此之外，该方法简单、易于操作、具有可重复性和可控性。
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