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公开(公告)号：CN101000782A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610142805.5
申请日：2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/02 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 本发明公开了一种半导体探针的信息再现设备和方法。所述设备包括：半导体探针，包括半导体尖端，所述半导体尖端包括随着由信息记录介质产生的电场而变化的沟道；调制器，将高频调制信号施加到所述半导体探针以形成调制电场，从而调制由所述电场产生的信息信号；信号探测器，探测由所述半导体探针产生的信号；和解调器，从所述信号探测器探测的信号提取由所述调制电场调制的信息信号。
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公开(公告)号：CN1988018A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610121480.2
申请日：2006-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H02K41/0354 , B81B3/0062 , B81B2201/038 , B81B2201/11 , B81B2203/051 , B82Y10/00 , G11B9/1436 , H02K2201/18
Abstract: 本发明公开了一种包括介质平台的微致动器的制造方法，所述介质平台具有介质承载平台和用于驱动所述介质平台的线圈，所述线圈形成于所述介质平台与所述介质承载表面相对的表面上，所述方法包括：在第一基底的第一表面上形成凹槽；在第二基底的第一表面上形成线圈；接合所述第一基底的第一表面和所述第二基底的第一表面；在所述第二基底的第二表面上形成所述介质承载表面，所述介质承载表面与所述第二基底的第一表面相对。
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公开(公告)号：CN1949039A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610149606.7
申请日：2006-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/133555 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供了一种用于显示面板的阵列基板，其包括：底部基板、信号施加模块、第一电极、第二电极、以及保护层。信号施加模块设置在底部基板上，并包括用于输出数据信号的输出端。第一电极设置在底部基板上并电连接至输出端。第二电极包含银(Ag)，其设置在第一电极上并与第一电极电连接。保护层设置在第二电极上，以覆盖第二电极的至少一部分。因此，可改善第二电极对下层的附着力，并防止第二电极变黄。
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公开(公告)号：CN1805166A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510135660.1
申请日：2005-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种MLD(磁逻辑装置)以及制造和操作该磁逻辑装置的方法。所述MLD包括：第一互连部分；下磁层，形成在所述第一互连部分上，所述下磁层的磁方向被固定为预定方向；非磁层，形成在所述下磁层上；上磁层，形成在所述非磁层上，所述上磁层的磁方向与所述下磁层的磁方向平行或反向平行；第二互连部分，形成在所述上磁层上。第一电流源置于第一互连部分的一端和第二互连部分的一端之间，第二电流源置于第一互连部分的另一端和第二互连部分的另一端之间。
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公开(公告)号：CN1790750A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510124866.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 公开了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极，在所述基板上的栅极绝缘层，沟道图案，源电极和漏电极。所述沟道图案包括：形成在所述栅电极上并覆盖所述栅电极的半导体图案；以及形成在所述半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。所述源电极包括顺序形成在所述第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。所述漏电极包括顺序形成在所述第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。所述第一和第二导电粘合图案的蚀刻部分具有基本竖直的轮廓从而防止了源电极和漏电极的暴露，由此改善了薄膜晶体管的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1769528A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510117515.0
申请日：2005-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种用于制造薄膜晶体管(TFT)阵列面板的方法，包括：在绝缘基片上形成具有栅电极的栅极线；在栅极线上顺序沉积栅极绝缘层及半导体层；在栅极绝缘层及半导体层上形成漏电极和具有源电极的数据线；并形成连接至漏电极的像素电极。这些元件可以使用含有65wt％至75wt％的磷酸、0.5wt％至15wt％的硝酸、2wt％至15wt％的醋酸、0.1wt％至8.0wt％的钾化合物、以及去离子水的蚀刻剂通过光蚀刻形成。TFT阵列面板的各个元件可以在类似的条件下形成有本发明的蚀刻剂的图样，这简化了制造工艺并节约了成本，并使得TFT元件具有良好的剖面。
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公开(公告)号：CN1765011A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200380110246.4
申请日：2003-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/30 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 提供了一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在掺杂第一杂质的基板上形成掩模层以及在未被掩模层覆盖的基板上形成用第二杂质重度掺杂的第一和第二半导体电极区，退火第一和第二半导体电极区，将第一和第二半导体电极区的第二参杂剂扩散到彼此面对的部分以在第一和第二半导体电极区的外边界形成用第二杂质轻度掺杂的电阻区，以预定的形状构图掩模层并蚀刻未被构图后的掩模层覆盖的基板的部分顶部表面来形成电阻尖端。
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公开(公告)号：CN1755839A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510092308.4
申请日：2005-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在硅基板上形成具有矩形形状的第一和第二掩模膜；第一次蚀刻硅基板的上表面；通过蚀刻第一掩模膜形成相应于尖端颈部宽度的第三掩模膜；通过利用第三掩模膜作为掩模第二次蚀刻硅基板形成尖端颈部的宽度到预定的宽度；且在去除第三掩模膜之后通过退火硅基板形成峰形成部分。可以制造具有均匀高度和尖端颈部具有均匀宽度的半导体探针。
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公开(公告)号：CN1214279C
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN99127834.8
申请日：1999-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1337 , C08J11/04 , C09K19/38
CPC classification number: G02F1/133711
Abstract: 本发明涉及液晶排列材料的再生方法，其中与LCD液晶加工中原始液晶排列材料等效的再生液晶排列层可通过收集排列材料的废溶液而再生，该废溶液是在使用液晶排列材料的LCD制造过程中大量产生的。通过将排列材料的废溶液放入一种有机溶剂或超纯水中而固化聚酰氨酸和可溶聚酰亚胺，液晶排列材料组分聚酰氨酸和可溶聚酰亚胺不溶于该有机溶剂或超纯水中，从有机溶剂或者超纯水分离聚酰氨酸和可溶聚酰亚胺，并将所分离的固体聚酰氨酸和可溶聚酰亚胺溶解在一种溶剂中而做到这一点。用此方法再生液晶排列层材料能大大有助于降低生产成本。
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公开(公告)号：CN1604212A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410092149.3
申请日：2004-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/149 , G11B13/00 , G11B2005/0021
Abstract: 提供一种使用探针技术在存储装置上写入数据的方法。在将数据写入到存储装置上的方法中，该存储装置包括一用于读写数据的阻性探针，一通过阻性探针将数据写到上面的铁电写介质和一个安置在铁电写介质下表面上的降低电极，通过在阻性探针和降低电极上施加一电压，同时将热量和电场施加到铁电写介质上用于写数据的区域。
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