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公开(公告)号：CN1967688B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610160332.1
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN1629960B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410102020.6
申请日：2004-12-16
Applicant: 惠普开发有限公司
Inventor： R·G·梅加
IPC: G11B9/00
CPC classification number: G01Q60/58 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1445 , G11B11/06 , G11B11/08 , G11B13/00 , G11B2005/0021
Abstract: 一种读出机构的实施例，可用于接触原子分辨储存系统，其包括带有介质(101)的悬臂(106)，该介质可相对所述悬臂移动；悬臂设有从悬臂延伸的探针(104)，探针可与介质表面接触；朝所述介质延伸的容纳件(114)，在所述悬臂面对所述介质的侧面形成；和在所述容纳件形成的探测器件(108、116)，以便与介质并置。
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公开(公告)号：CN1664941A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510056039.6
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN1604212A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410092149.3
申请日：2004-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/149 , G11B13/00 , G11B2005/0021
Abstract: 提供一种使用探针技术在存储装置上写入数据的方法。在将数据写入到存储装置上的方法中，该存储装置包括一用于读写数据的阻性探针，一通过阻性探针将数据写到上面的铁电写介质和一个安置在铁电写介质下表面上的降低电极，通过在阻性探针和降低电极上施加一电压，同时将热量和电场施加到铁电写介质上用于写数据的区域。
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公开(公告)号：CN1180426C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN01109851.1
申请日：2001-03-21
Applicant: 德国汤姆森-布兰特有限公司
Inventor： 英戈·许特 , 武尔夫-克里斯蒂安·施特雷肯巴赫 , 马尔科·温特 , 约翰内斯·伯姆 , 凯·多劳 , 迪特马尔·黑珀 , 延斯·斯皮利 , 汉斯·约阿希姆·普拉特
CPC classification number: G11B13/00 , G11B7/005 , G11B7/007 , G11B7/0079 , G11B11/10597 , G11B20/10 , G11B20/1217 , G11B27/034 , G11B2020/1259 , G11B2220/211 , G11B2220/2529 , G11B2220/2545 , G11B2220/2562
Abstract: 本发明涉及到一组数据存储在其上的存储媒体以致于至少这组数据的一部分能够被读取并且利用一个处理装置来处理，这组数据的一部分存储在该存储媒体的只读存储器区域而这组数据的另一部分存储在读/写存储器区域。至少这组数据的一部分依靠处理装置来读取并且能够以第一种处理形式和至少一种其它处理形式来处理，每种形式都可以依靠处理装置选择，并且该这组数据的独立数据包括在这组数据的第一部分，这部分存储在只读存储器区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1549250A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN200410059204.9
申请日：2001-06-29
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 篠田昌孝
IPC: G11B7/00
CPC classification number: G11B23/282 , G11B7/00455 , G11B7/007 , G11B7/24 , G11B11/10582 , G11B13/00 , G11B13/04 , G11B20/00086 , G11B20/00173 , G11B20/00746 , G11B23/281 , G11B2005/0002
Abstract: 随着折射率、消光系数、透射系数或反射系数的一次变化，信息被记录到例如象光透射基片(1)或光透射防护膜这样的光透射材料上。
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公开(公告)号：CN1482610A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN02160421.5
申请日：1994-01-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B11/00
CPC classification number: G11B20/00594 , G06F3/0601 , G06F3/0607 , G06F3/0644 , G06F3/0661 , G06F3/0677 , G06F21/00 , G06F2003/0697 , G11B5/00 , G11B5/1278 , G11B5/17 , G11B5/2654 , G11B5/5526 , G11B5/5543 , G11B7/0037 , G11B7/005 , G11B7/00736 , G11B7/0079 , G11B7/013 , G11B7/24 , G11B7/26 , G11B11/10556 , G11B11/10595 , G11B13/00 , G11B13/04 , G11B13/045 , G11B17/04 , G11B17/043 , G11B17/056 , G11B19/02 , G11B19/04 , G11B19/10 , G11B19/12 , G11B19/247 , G11B20/00086 , G11B20/00094 , G11B20/00166 , G11B20/00188 , G11B20/0021 , G11B20/0026 , G11B20/00601 , G11B20/0071 , G11B20/00876 , G11B20/1217 , G11B20/1833 , G11B20/1866 , G11B23/0302 , G11B23/0308 , G11B23/281 , G11B23/284 , G11B23/40 , G11B23/44 , G11B25/04 , G11B27/034 , G11B27/105 , G11B27/107 , G11B27/11 , G11B27/24 , G11B27/3027 , G11B27/3063 , G11B27/329 , G11B27/34 , G11B27/36 , G11B31/00 , G11B33/121 , G11B2020/1259 , G11B2220/20 , G11B2220/211 , G11B2220/213 , G11B2220/237 , G11B2220/2525 , G11B2220/2529 , G11B2220/2545 , G11B2220/2587 , G11B2220/65 , G11B2220/655 , G11B2220/90
Abstract: 本发明为利用使用光记录介质的记录再生装置，使ROM型盘记录再生时，或利用光再生专用的记录再生装置使RAM型盘再生时，解决其不具备对数据进行记录的功能问题，几乎不用增加零件数和成本，就能实现具有数据记录机能的记录再生装置。在本发明中，在记录介质2的光记录层4的上层设有磁记录层3，而且将磁头8设置在与光头6相对的一侧，通过进行磁记录或再生，可进行光记录和独立地进行磁记录再生。
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公开(公告)号：CN1478275A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN02803224.1
申请日：2002-01-15
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/14 , G11B11/007 , G11B13/00
Abstract: 一种擦除在数据存储装置中记录的数据的方法，在所述数据存储装置中，利用尖端向表面施加能量和作用力的第一组合，从而因表面的局部变形在该表面上形成代表数据位的凹痕，从而写入数据位，所述方法包括：利用尖端向该表面上要擦除的已记录变形施加能量和作用力的第二组合，使该表面基本上变平。
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公开(公告)号：CN1417782A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02148138.5
申请日：2002-10-30
Applicant: 惠普公司
Inventor： G·A·吉布森
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1463 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B13/00 , G11B2005/0021
Abstract: 一种超高密度数据存储设备，它包括用本地化的基本能量源(120)来写入和来读出的纳米级存储区域(130，140)。经由一个较少本地化的辅助能源(50，60，70)，通过提供附加能量到该存储区域(130，140)可写入该存储区域(130，140)的执行。此外，还公开了使用该超高密度数据存储设备以存储和检索数据的方法。
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公开(公告)号：CN1350489A
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN00807627.8
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体,在基板上设有记录材料层,利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移,形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中,含有晶格缺陷的结晶结构的材料,或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相,所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料,而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体,由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小,耐候性好,抗组成变动强,而且特性容易控制。
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