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公开(公告)号：CN1769528A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510117515.0
申请日：2005-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种用于制造薄膜晶体管(TFT)阵列面板的方法，包括：在绝缘基片上形成具有栅电极的栅极线；在栅极线上顺序沉积栅极绝缘层及半导体层；在栅极绝缘层及半导体层上形成漏电极和具有源电极的数据线；并形成连接至漏电极的像素电极。这些元件可以使用含有65wt％至75wt％的磷酸、0.5wt％至15wt％的硝酸、2wt％至15wt％的醋酸、0.1wt％至8.0wt％的钾化合物、以及去离子水的蚀刻剂通过光蚀刻形成。TFT阵列面板的各个元件可以在类似的条件下形成有本发明的蚀刻剂的图样，这简化了制造工艺并节约了成本，并使得TFT元件具有良好的剖面。
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公开(公告)号：CN1339209A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN00803312.9
申请日：2000-10-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L12/56
CPC classification number: H04Q11/0478 , H04L2012/5635
Abstract: 提供了分组交换网中的一种公平流控制方法。这个分组交换网有多个节点,每个节点都跟多个发送/接收数据的源相连,还有跟当前队列长度和目标队列长度相关连,用于储存从源收到的数据的一个数据队列。在这种公平流控制方法中,每个节点都用相应的源的显式速率(ER)和最小信元速率(MCR)估计本地瓶颈虚电路(VC)的个数。这个节点在这个节点的当前队列长度和目标队列长度之间的差、当前队列长度的导数和本地瓶颈VC个数的估计的基础之上将一个ER分配给每一个源,然后通过反馈信号将这个ER传递给每个源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115775743A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210792232.X
申请日：2022-07-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
Abstract: 提供了修复贯通电极的方法、修复装置和半导体装置。在修复贯通电极的方法中，多个贯通电极被分组成多个贯通电极组。多个备用贯通电极被分组成多个备用贯通电极组。搜索针对多个贯通电极的修复路径。当搜索修复路径时，响应于第X贯通电极组中包括的第Y贯通电极是有缺陷的贯通电极或者响应于接收到来自第(X‑1)贯通电极组的第一信号，确定第x备用贯通电极组中包括的第y备用贯通电极是否可用于执行向其的信号传输。响应于第y备用贯通电极可用于执行向其的信号传输，输入到第Y贯通电极的第二信号被传输到第y备用贯通电极。响应于第y备用贯通电极不可用于执行向其的信号传输，输入到第Y贯通电极的第二信号被传输到第(X+1)贯通电极组。
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公开(公告)号：CN115762618A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211063563.6
申请日：2022-09-01
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G11C29/12
Abstract: 提供一种半导体系统、半导体装置、硅通孔测试方法和制造半导体装置的方法。半导体系统包括：半导体装置，其包括缓冲器晶片以及堆叠在缓冲器晶片上并且通过N个(其中N为正整数)TSV与缓冲器晶片通信的第一堆叠件晶片至第L(其中L是大于或等于2的整数)堆叠件晶片；以及TSV测试装置，其根据时钟信号测量N个TSV的一端的电压和另一端的电压中的每一个，将所述一端的电压和所述另一端的电压中的每一个与参考电压进行比较，并且根据比较结果确定N个TSV中的每一个是否具有多个TSV缺陷类型。
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公开(公告)号：CN102540602A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110410572.3
申请日：2011-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/13624 , G02F1/133707 , G02F1/13439 , G02F2001/134345 , Y10T29/49156
Abstract: 本发明提供一种显示器件及其制造方法，该显示器件包括第一基板和在第一基板上的像素电极。该像素电极的厚度为约40纳米(nm)或更小。
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公开(公告)号：CN1769528B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200510117515.0
申请日：2005-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种用于制造薄膜晶体管(TFT)阵列面板的方法，包括：在绝缘基片上形成具有栅电极的栅极线；在栅极线上顺序沉积栅极绝缘层及半导体层；在栅极绝缘层及半导体层上形成漏电极和具有源电极的数据线；并形成连接至漏电极的像素电极。这些元件可以使用含有65wt％至75wt％的磷酸、0.5wt％至15wt％的硝酸、2wt％至15wt％的醋酸、0.1wt％至8.0wt％的钾化合物、以及去离子水的蚀刻剂通过光蚀刻形成。TFT阵列面板的各个元件可以在类似的条件下形成有本发明的蚀刻剂的图样，这简化了制造工艺并节约了成本，并使得TFT元件具有良好的剖面。
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公开(公告)号：CN1339210A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN00803313.7
申请日：2000-10-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L12/56
CPC classification number: H04Q11/0478 , H04L2012/5635
Abstract: 分组交换系统中的一种ABR(可用比特率)业务引擎。一个正向信元处理单元产生第一个开始信号并从一个正向RM(资源管理)信元提取CCR(当前信元速率)和MCR(最小信元速率)。一个本地瓶颈虚电路数|Q|估计单元在收到第一个开始信号的时候判断(CCR－MCR)是不是小于ER(显式速率),如果(CCR－MCR)小于ER,就认为收到的RM信元对|Q|有贡献,累加贡献程度,并计算|Q|。收到第三个开始信号的时候,一个ER引擎计算ER。收到反向RM信元的时候,一个反向信元处理单元判断ER引擎计算出来的ER是否小于从反向RM信元提取出来的ER和MCR的和,如果计算出来的ER小于ER跟MCR的和,就将计算出来的ER写入反向RM信元。每到第一个周期的时候,一个定时器将第二个开始信号传递给|Q|估计单元,每隔一个周期将第三个开始信号提供给ER引擎。
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