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公开(公告)号：CN103959377B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201280056604.7
申请日：2012-10-31
Applicant: 国立大学法人秋田大学
CPC classification number: G11B5/09 , G11B5/64 , G11B9/02 , G11B11/26 , G11B2005/0005
Abstract: 电场写入型磁记录装置(1)具备：旋转盘层铁磁铁电性物质层的磁记录膜；写入元件(121)，其具有通过相对于基底(111)具有电位而与基底之间生成电通量的写入电极(1211)，通过电场(与磁场无关地)向磁记录膜(112)进行信息的写入；以及写入电路(13)，其在每次信息的写入动作时，选择两个电位水平中的一个电位向写入电极供给，其中，通过与写入电路(13)向写入电极(1211)供给的电位对应地生成的电通量，使铁磁铁电性物质层在特定的方向磁化。在本发明的电场写入型磁记录装置中，在写入头中不使用线圈。由此，达到根本的低消耗电力化、写入的超高速化、记录信息的超高密度化、低价格化。(11)，其在基底(111)的表面形成有包含至少一
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公开(公告)号：CN103959377A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280056604.7
申请日：2012-10-31
Applicant: 国立大学法人秋田大学
CPC classification number: G11B5/09 , G11B5/64 , G11B9/02 , G11B11/26 , G11B2005/0005
Abstract: 电场写入型磁记录装置(1)具备：旋转盘(11)，其在基底(111)的表面形成有包含至少一层铁磁铁电性物质层的磁记录膜；写入元件(121)，其具有通过相对于基底(111)具有电位而与基底之间生成电通量的写入电极(1211)，通过电场(与磁场无关地)向磁记录膜(112)进行信息的写入；以及写入电路(13)，其在每次信息的写入动作时，选择两个电位水平中的一个电位向写入电极供给，其中，通过与写入电路(13)向写入电极(1211)供给的电位对应地生成的电通量，使铁磁铁电性物质层在特定的方向磁化。在本发明的电场写入型磁记录装置中，在写入头中不使用线圈。由此，达到根本的低消耗电力化、写入的超高速化、记录信息的超高密度化、低价格化。
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公开(公告)号：CN100593723C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200610121326.5
申请日：2006-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体探头和一种利用所述半导体探头写入和读取信息的方法。所述半导体探头包括悬臂和形成于所述悬臂的一个末端部分上的尖端，从而在位于形成了电极的表面上的铁电媒质上写入信息或从其上读取信息。所述尖端包括轻度掺杂了半导体杂质的电阻性区域和重度掺杂了半导体杂质的导电区域。所述悬臂包括形成于面对所述媒质的底面上的静电力生成电极。通过在形成于所述铁电媒质上的电极和所述静电力生成电极之间有选择地施加电压调整所述尖端和所述媒质之间的接触力。从而使尖端的磨损降至最低，并确保高记录密度下的写入/读取性能。
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公开(公告)号：CN100447572C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510130200.X
申请日：2005-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1409 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/04
Abstract: 提供一种具有高灵敏度和分辨能力的电子读取头和操作该电子读取头的方法。该电子读取头包括：磁心部分，用于将数据记录在记录介质上/从该记录介质读取数据；和电极垫片，将磁心部分连接到电源。磁心部分的面向记录介质的表面是平坦表面，磁心部分的侧面垂直于所述平坦表面。
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公开(公告)号：CN101241726A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810085688.2
申请日：2008-02-01
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11B9/02 , B82Y10/00 , G11B9/1409 , G11B9/1436 , Y10T428/11
Abstract: 一种装置，包括变换器和/或存储介质，其中变换器具有附连其上的多个聚合物绳，存储介质具有附连其上的多个聚合物绳。当该装置包括变换器和存储介质两者时，附连到变换器上的多个聚合物绳可被定位成与附连到存储介质上的多个聚合物绳相互作用。该变换器可以是数据存储设备的探针。该存储介质可以是铁电存储介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1822220A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610001111.X
申请日：2006-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11B9/02 , G11C11/5657 , Y10S977/947
Abstract: 本发明提供了一种铁电记录介质及其写入方法。该铁电记录介质包括：铁电层，当接收预定的矫顽电压时铁电层反转其极化；非易失性各向异性导电层，形成在铁电层上。当各向异性导电层接收低于矫顽电压的第一电压时，其电阻减小，当各向异性导电层接收高于矫顽电压的第二电压时，其电阻增大。通过铁电层的极化状态和各向异性导电层的电阻的结合来存储多位信息。因此，可在铁电记录介质的一个畴上表示多位信息。
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公开(公告)号：CN1815242A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510130200.X
申请日：2005-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1409 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/04
Abstract: 提供一种具有高灵敏度和分辨能力的电子读取头和操作该电子读取头的方法。该电子读取头包括：磁心部分，用于将数据记录在记录介质上/从该记录介质读取数据；和电极垫片，将磁心部分连接到电源。磁心部分的面向记录介质的表面是平坦表面，磁心部分的侧面垂直于所述平坦表面。
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公开(公告)号：CN1767025A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510102838.2
申请日：2005-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , G11B9/1472
Abstract: 提供了一种铁电记录介质，包括：铁电记录层，由极性可反转的铁电材料形成；各向异性导电层，覆盖铁电记录层并能够基于外部的能量变成导电体或非导电体。
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公开(公告)号：CN108986851A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810489181.7
申请日：2018-05-21
Applicant: 施乐公司
Inventor： J·M·福勒
IPC: G11C5/04 , H01L27/11507
CPC classification number: G11C11/2273 , G11B9/02 , G11B9/1454 , G11C5/04 , G11C11/221 , H01L27/11507
Abstract: 一种圆形存储器装置包含多个底部电极、多个顶部电极、铁电层以及在所述铁电层内在所述底部电极中的每一个与每一顶部电极的交叉点处的多个存储器存储位置。所述底部电极和顶部电极的接触垫可包含限定环形扇区的周边，所述环形扇区允许在一定范围的旋转位置内对所述圆形存储器装置执行存储器操作。在实例实施方案中，可对所述圆形存储器装置执行所述存储器操作，而不管所述圆形存储器装置相对于读取器的旋转定向。
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公开(公告)号：CN101359493B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810086943.5
申请日：2008-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/02
CPC classification number: G11B9/02 , B82Y10/00 , G11B9/1409
Abstract: 提供一种提高电场传感器的灵敏度的方法、存储设备及再现方法。该存储设备包括：铁电记录介质；电场传感器，包括源区、漏区和电阻区，所述电阻区将源区电连接到漏区并具有电阻，所述电阻根据由铁电记录介质的电畴的极化电压引起的电场的强度而变化；电压施加单元，在源区和漏区之间施加电压；再现信号检测单元，包括至少一个负电阻器，所述至少一个负电阻器安装在将漏区连接到电压施加单元的电路中，用于检测漏区和所述至少一个负电阻器之间的电压的变化。
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