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公开(公告)号：CN119256361A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202380008618.X
申请日：2023-02-27
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Inventor： 王瑜
IPC: G11C11/56
Abstract: 本公开提供一种编程方法、存储器装置和存储器系统。所述方法包括基于耦合偏移量，将目标编程状态划分为N组，每组对应于不同的第一编程状态，其中第i组具有Ki个不同的目标编程状态并且对应于第i个第一编程状态。至少两组目标编程状态具有两个不同数量的目标编程状态。所述方法还包括执行第一编程操作以将存储器单元编程到相应的第一编程状态；以及执行第二编程操作以将处于第i个第一编程状态的第i组存储器单元编程到Ki个不同的目标编程状态。
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公开(公告)号：CN118248187A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211657900.4
申请日：2022-12-22
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种存储器、驱动方法、存储系统及电子设备。该存储器包括外围电路和存储阵列。存储阵列包括字线。外围电路包括驱动器、中继器和放电电路，放电电路用于对字线进行放电。通过在该存储器的外围电路中设置中继器以减少了对放电电路进行驱动所需的布局金属线长，进而减少了对放电电路进行驱动的驱动响应时间以及放电时长。同时，当放电电路为采用晶体管的结构时，放电时间越长，则晶体管处于热载流子注入效应状态的时间也越长，这将导致放电电路的使用寿命降低，进而导致存储器的使用寿命大大降低。通过减少放电电路的放电时长，还可相对延长存储器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118230789A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211642371.0
申请日：2022-12-20
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种对存储器设备进行编程的方法。存储器设备包括多个存储器串，每个存储器串包括由顶部选择栅极(TSG)控制并且连接到位线(BL)的顶部晶体管、由底部选择栅极(BSG)控制的底部晶体管、以及顶部晶体管与底部晶体管之间的存储器单元，每个存储器单元连接到字线(WL)。该方法包括在编程阶段将编程脉冲施加到存储器设备的存储器单元，在验证阶段施加验证脉冲到存储器单元，接收暂停命令并且执行暂停操作，在放电阶段将放电脉冲施加到存储器单元使得存储器单元放电，其中，放电脉冲包括提供到未选定顶部选择栅极(TSGunsel)的电压脉冲，以及在暂停阶段暂停对存储器单元的编程或验证。
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公开(公告)号：CN118016122A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202211399089.4
申请日：2022-11-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C11/4091 , G11C7/18 , G11C7/06
Abstract: 本申请提供了一种存储器及其数据读取方法、存储系统，属于存储技术领域。本申请提供的存储器中的感测放大电路包括写入控制电路、感测电路和传输电路，且该写入控制电路和传输电路分别由写入控制线和读取控制线控制。由此，在预充电阶段能够通过写入控制线和读取控制线断开本地数据线与接地端之间的连接，以避免感测放大电路产生漏电流。并且，在数据读取阶段，能够通过写入控制电路断开本地数据线与数据线之间的连接，以避免该数据线的电平影响本地数据线的电平，进而可以确保数据读取的可靠性。
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公开(公告)号：CN116052743A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310234748.7
申请日：2021-02-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 一种用于操作三维(3D)存储器件的方法包括：执行用于感测第一存储单元串的第一存储单元的第一读取操作；以及执行用于感测第二存储单元串的第二存储单元的后续第二读取操作。执行第一读取操作包括：向第一位线施加第一位线电压；以及在检测到第一存储单元的数据状态之后保持第一位线基本上不放电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115346583A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210958937.4
申请日：2022-08-10
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Inventor： 王瑜
Abstract: 本公开涉及一种用于存储单元阵列的外围电路，所述存储单元阵列包括多个存储平面，所述外围电路包括：多条全局字线；多个异步多平面独立(AMPI)读取电压选择模块，用于分别从多个第一选中电压和多个第一未选中电压中选择其中之一电压，以用于执行所述多个存储平面的异步多平面独立读取操作；非异步多平面独立读取电压选择模块，用于从多个第二选中电压和多个第二未选中电压中选择其中之一电压，以用于执行所述多个存储平面的非异步多平面独立读取操作；以及多个全局字线电压选择模块，用于分别从相应的异步多平面独立读取电压选择模块输出的电压和所述非异步多平面独立读取电压选择模块输出的电压中，选择其中之一电压输出至相应的全局字线。
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公开(公告)号：CN115064198A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210726632.0
申请日：2022-06-23
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请提供了一种存储器及其编程方法、存储系统，属于存储技术领域。本申请提供的存储器能够通过第一电压产生电路为选择字线提供编程电压，并为第一非选择字线提供通过电压。由此，当该第一非选择字线存在漏电时，会导致该第一电压产生电路提供的编程电压下降，或导致该第一电压产生电路提供的电压达到编程电压所需的时长增加，进而导致选择字线所耦接的存储单元编程失败。由于控制电路在检测到选择字线所耦接的存储单元编程失败时，能够及时停止对存储块中存储单元的编程操作，因此可以有效避免写入的数据因第一非选择字线的漏电而无法被正确读取。
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公开(公告)号：CN114999543A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210698308.2
申请日：2022-06-20
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C11/4096 , G11C11/408
Abstract: 本公开实施例提供一种感测放大电路、存储装置、操作方法及系统。感测放大电路应用于存储装置，存储装置至少包括与存储单元耦接的位线；位线包括目标位线和参考位线；感测放大电路包括：感测放大模块，包括多个晶体管；感测放大模块至少用于感测及放大目标位线与参考位线上的电压差信号；第一隔离单元，连接感测放大模块和目标位线，且第一隔离单元由第一控制信号控制；第二隔离单元，连接感测放大模块和参考位线，且第二隔离单元由第二控制信号控制；其中，第一控制信号用于在第一时刻控制第一隔离单元切换为导通状态；第二控制信号用于在第二时刻控制第二隔离单元切换为导通状态；第一时刻与第二时刻为不同时刻。
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公开(公告)号：CN114171098A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111383525.4
申请日：2021-11-22
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种异常字线的测试方法、装置、存储器及存储器系统，其中，所述测试方法包括：提供测试装置；其中，所述测试装置包括比较电路；将字线分为多个字线组，并将每个所述字线组连接至所述比较电路；在编程期间，通过所述比较电路对每个所述字线组的工作电压进行比较，以确定所述字线组中的异常字线。
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