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公开(公告)号：CN1706925A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510075587.3
申请日：2005-06-06
IPC: C11D3/24 , H01L21/302 , G03F7/42
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/245 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/32 , C23G1/24 , H01L21/02063 , H01L21/76811
Abstract: 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。
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公开(公告)号：CN1846173B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200480024889.1
申请日：2004-08-27
IPC: G03F7/42 , H01L21/30 , H05B33/26 , G02F1/1343
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明提供一种可以适用于含有银和/或银合金的基板的光致抗蚀剂剥离液组合物，其中含有从下述的式(I)所表示的化合物、下述的式(II)所表示的化合物、下述的式(III)所表示的化合物、邻苯二酚、对苯二酚、连苯三酚、没食子酸、没食子酸酯之中选择的一种、两种或更多种、以及一种、两种或更多种极性有机溶剂，式(I)NH2-A-Y-B-Z(上式中，A、B分别相互独立地为直链状或支链状的碳原子数为1～5的亚烷基，Y为NH或O的任一个，Z为NH2、OH、NH-D-NH2，其中，D为直链状或支链状的碳原子数为1～5的亚烷基)；式(II)NH2-A-N(-B-OH)2(上式中，A、B与式(I)的相同)；式(III)(上式中，R为H、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的羟基烷基或碳原子数为1～5的氨基烷基)。
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公开(公告)号：CN100529039C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510075587.3
申请日：2005-06-06
IPC: C11D3/24 , H01L21/302 , G03F7/42
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/245 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/32 , C23G1/24 , H01L21/02063 , H01L21/76811
Abstract: 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。
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公开(公告)号：CN1846173A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480024889.1
申请日：2004-08-27
IPC: G03F7/42 , H01L21/30 , H05B33/26 , G02F1/1343
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明提供一种可以适用于含有银和/或银合金的基板的光致抗蚀剂剥离液组合物，其中含有从下述的式(I)所表示的化合物、下述的式(II)所表示的化合物、下述的式(III)所表示的化合物、邻苯二酚、对苯二酚、连苯三酚、没食子酸、没食子酸酯之中选择的一种、两种或更多种、以及一种、两种或更多种极性有机溶剂，式(I)中，A、B分别相互独立地为直链状或支链状的碳原子数为1～5的亚烷基，Y为NH或O的任一个，Z为NH2、OH、NH－D－NH2，其中，D为直链状或支链状的碳原子数为1～5的亚烷基；式(II)中，A、B与式(I)的相同；式(III)中，R为H、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的羟基烷基或碳原子数为1～5的氨基烷基。
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公开(公告)号：CN110462795A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880020708.X
申请日：2018-03-05
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D1/22 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D17/08
Abstract: 本发明提供如下的清洁液组合物：当清洁半导体基板或玻璃基板界面时，对形成基板界面的层的SiO2、Si3N4及Si等没有损坏，可在适用于化学机械抛光设备附带的刷擦洗清洁室的条件下使用，对于来自浆料中的磨粒的化合物的去除性高。本发明的清洁液组合物是用于清洁半导体基板或玻璃基板界面的清洁液组合物，包含一种或两种以上的结构内含有氟原子的无机酸或其盐、水、一种或两种以上的还原剂、以及一种或两种以上的阴离子界面活性剂，并且氢离子浓度(pH)小于7。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1645259B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410100602.0
申请日：2004-12-09
CPC classification number: G03F7/423 , H01L21/02063 , H01L21/02071
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其在半导体电路元件的制造工序中，提高在干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的去除性强，充分地抑制对铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金的腐蚀，由于不配合有机溶剂等有机化合物，对环境的影响小，保存稳定性好。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法，配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上。
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公开(公告)号：CN101523297A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036153.X
申请日：2007-10-24
Applicant: 关东化学株式会社
Inventor： 大和田拓央
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/426 , H01L21/02071
Abstract: 本发明提供了一种光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物以及使用该去除液组合物去除残渣的方法，该去除液组合物可以在低温、短时间内，去除半导体电路元件制造工序中产生的光刻胶残渣及聚合物残渣。本发明的组合物，可以去除在制造具有金属布线的半导体电路元件的工序中产生的光刻胶残渣和/或聚合物残渣，其含有氟化物的质量百分含量为0.5％－3.0％、水的质量百分含量不超过30％，pH值在4以下。
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公开(公告)号：CN1645259A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410100602.0
申请日：2004-12-09
CPC classification number: G03F7/423 , H01L21/02063 , H01L21/02071
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其在半导体电路元件的制造工序中，提高在干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的去除性强，充分地抑制对以铝、铜、钨及各种金属为主要成分的合金的腐蚀，由于不配合有机溶剂等有机化合物，对环境的影响小，保存稳定性好。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法，配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上。
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