公开(公告)号：CN100529039C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510075587.3

申请日：2005-06-06

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 村松真文 ,  浅田和己 ,  萩野友纪乃 ,  奥山敦 ,  中岛崇人 ,  高濑和彦 ,  鱼住宜弘 ,  松村刚 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: C11D3/24 ,  H01L21/302 ,  G03F7/42

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/245 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C23G1/24 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76811

Abstract: 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。

公开(公告)号：CN1706925A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510075587.3

申请日：2005-06-06

Applicant: 索尼株式会社 ,  株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 村松真文 ,  浅田和己 ,  萩野友纪乃 ,  奥山敦 ,  中岛崇人 ,  高濑和彦 ,  鱼住宜弘 ,  松村刚 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: C11D3/24 ,  H01L21/302 ,  G03F7/42

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/042 ,  C11D3/046 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/245 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/32 ,  C23G1/24 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76811

Abstract: 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。

公开(公告)号：CN1197135C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN00122655.X

申请日：2000-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鱼住宜弘 ,  大口寿史 ,  灘原壮一 ,  小川义宏 ,  冨田宽

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23F1/16

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76897

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，使用包含盐酸和过氧化氢溶液并且过氧化氢相对于氯化氢的克分子比为1/100以下的溶液作为腐蚀剂。能容易地相对于钨选择性地腐蚀氮化钛。

公开(公告)号：CN1281249A

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN00122655.X

申请日：2000-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鱼住宜弘 ,  大口寿史 ,  灘原壮一 ,  小川义宏 ,  冨田宽

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23F1/16

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76897

Abstract: 使用包含盐酸和过氧化氢溶液并且过氧化氢相对于氯化氢的克分子比为1/100以下的溶液作为腐蚀剂,相对于钨选择性地腐蚀氮化钛。