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公开(公告)号：CN100529039C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510075587.3
申请日：2005-06-06
IPC: C11D3/24 , H01L21/302 , G03F7/42
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/245 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/32 , C23G1/24 , H01L21/02063 , H01L21/76811
Abstract: 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。
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公开(公告)号：CN1706925A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510075587.3
申请日：2005-06-06
IPC: C11D3/24 , H01L21/302 , G03F7/42
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/245 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/32 , C23G1/24 , H01L21/02063 , H01L21/76811
Abstract: 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。
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公开(公告)号：CN100382248C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510069240.8
申请日：2005-05-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , B08B3/00
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/04
Abstract: 本发明提供了一种单晶片清洗方法及其清洗装置，在该方法和装置中，可以立即执行到冲洗处理的转换，而不受化学液体成份的影响，并且抑制了聚合物和化学液体的残留物，以减少衬底上的缺陷。根据本发明实施例的单晶片清洗方法是下述的单晶片清洗方法，该方法在旋转要被清洗的衬底(30)的同时，通过化学液体(8)和冲洗液体(14)执行清洗，并且在通过在要被清洗的衬底(30)的上部移动化学液体喷嘴(10)来执行化学液体处理之后，通过从冲洗喷嘴(16)喷射出冲洗液体(14)，在要被清洗的衬底(30)上执行冲洗处理，其中冲洗喷嘴(16)被固定放置在不干扰化学液体喷嘴(10)的移动的位置上。
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公开(公告)号：CN1697138A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510069240.8
申请日：2005-05-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , B08B3/00
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/04
Abstract: 本发明提供了一种单晶片清洗方法及其清洗装置，在该方法和装置中，可以立即执行到冲洗处理的转换，而不受化学液体成分的影响，并且抑制了聚合物和化学液体的残留物，以减少衬底上的缺陷。根据本发明实施例的单晶片清洗方法是下述的单晶片清洗方法，该方法在旋转要被清洗的衬底30的同时，通过化学液体8和冲洗液体14执行清洗，并且在通过在要被清洗的衬底30的上部移动化学液体喷嘴10来执行化学液体处理之后，通过从冲洗喷嘴16喷射出冲洗液体14，在要被清洗的衬底30上执行冲洗处理，其中冲洗喷嘴16被固定放置在不干扰化学液体喷嘴10的移动的位置上。
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