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公开(公告)号：CN113330481B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202080009814.5
申请日：2020-01-24
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于使用张量分解及奇异值分解检验的系统及方法。在实施例中，样本特性化系统包含通信地耦合到检验子系统的控制器，所述控制器包含经配置以执行存储于存储器中的程序指令集的一或多个处理器，所述程序指令集经配置以导致所述一或多个处理器：获取样本的一或多个目标图像帧；利用所述一或多个所获取目标图像帧来产生目标张量；对所述目标张量执行第一组的一或多个分解过程以形成产生包含一或多个参考图像帧的一或多个参考张量；识别所述一或多个目标图像帧与所述一或多个参考图像帧之间的一或多个差异；及基于所述一或多个所识别差异来确定所述样本的一或多个特性。
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公开(公告)号：CN104870984A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380067473.7
申请日：2013-11-12
Applicant: 科磊股份有限公司
CPC classification number: G06T7/001 , G06T2207/30148
Abstract: 混合模式包含接收检验结果，所述检验结果包含晶片的选定区域的一或多个图像，所述一或多个图像包含一或多个晶片裸片，所述一或多个晶片裸片包含一组重复块，所述组重复块包含一组重复单元。另外，混合模式检验包含调整所述一或多个图像的像素大小，以将每一单元、块及裸片映射到整数数目个像素。此外，混合模式检验包含：比较第一晶片裸片与第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片或所述第二晶片裸片中的一或多个缺陷的发生；比较第一块与第二块，以识别所述第一块或所述第二块中的一或多个缺陷的发生；及比较第一单元与第二单元，以识别所述第一单元或所述第二单元中的一或多个缺陷的发生。
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公开(公告)号：CN119325559A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202380042876.X
申请日：2023-08-10
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/88 , G01N21/93 , G06T7/00 , G06N3/08 , G06T3/4046
Abstract: 提供用于半导体应用的深度学习对准的方法及系统。一种方法包含：通过将关于样品上的对准目标的设计信息输入到深度学习模型中来将所述设计信息变换为所述对准目标的经预测图像；及将所述经预测图像对准到由成像子系统产生的所述样品上的所述对准目标的图像。所述方法还包含：基于所述对准的结果来确定所述经预测图像与由所述成像子系统产生的所述图像之间的偏移；及将所述经确定偏移存储为在使用所述成像子系统对所述样品执行的过程中使用的对准到设计偏移。
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公开(公告)号：CN113330481A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202080009814.5
申请日：2020-01-24
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种样本特性化系统。在实施例中，所述样本特性化系统包含通信地耦合到检验子系统的控制器，所述控制器包含经配置以执行存储于存储器中的程序指令集的一或多个处理器，所述程序指令集经配置以导致所述一或多个处理器：获取样本的一或多个目标图像帧；利用所述一或多个所获取目标图像帧来产生目标张量；对所述目标张量执行第一组的一或多个分解过程以形成产生包含一或多个参考图像帧的一或多个参考张量；识别所述一或多个目标图像帧与所述一或多个参考图像帧之间的一或多个差异；及基于所述一或多个所识别差异来确定所述样本的一或多个特性。
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公开(公告)号：CN119256221A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202380041313.9
申请日：2023-11-08
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 提供用于检测样品上的缺陷的方法及系统。一种方法包含分别针对检验子系统的第一及第二模式产生样品的第一及第二模式测试、参考及差异图像。所述方法还包含组合所述第一及第二模式测试图像、所述第一及第二模式参考图像及所述第一及第二模式差异图像作为用于缺陷检测的输入。另外，所述方法包含至少基于所述第一及第二模式差异图像检测所述样品上的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116982078B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202280017137.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 提供用于半导体应用的深度学习对准的方法及系统。一种方法包含通过将样本上的对准目标的第一实际信息输入到深度生成模型(例如GAN)中而将所述第一实际信息从设计数据转换成样本图像或将样本图像转换成设计数据。所述方法还包含将经转换第一实际信息与所述对准目标的第二实际信息对准，所述第二实际信息具有相同于所述经转换第一实际信息的信息类型。所述方法进一步包含基于所述对准的结果来确定所述经转换第一实际信息与所述第二实际信息之间的偏移及将经确定偏移存储为对准对设计偏移用于对所述样本执行的过程中。
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公开(公告)号：CN110168710A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780082757.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明揭示用于将增补输入数据提供到卷积神经网络CNN的系统及方法。在处理器处接收晶片图像。将所述晶片图像划分成各与所述晶片图像中的裸片相关联的多个参考图像。接收测试图像。通过差异化所述测试图像与所述参考图像而产生多个差异图像。将所述参考图像及所述差异图像汇集到用于所述CNN的所述增补输入数据中且提供到所述CNN。
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公开(公告)号：CN113169089B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980079468.5
申请日：2019-12-12
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 使用主要光学模式扫描一或多个半导体晶片或其部分以识别缺陷。使用电子显微镜选择并检视多个所述经识别缺陷，包含第一类别的缺陷及第二类别的缺陷。基于此检视，将所述多个缺陷的相应缺陷分类为所述第一类别或所述第二类别的缺陷。使用多个辅助光学模式使所述多个所述经识别缺陷成像。基于使用所述主要光学模式的所述扫描及使用所述多个辅助光学模式的所述成像的结果，选择用于结合所述主要光学模式使用的所述辅助光学模式中的一或多者。使用所述主要光学模式及所述一或多个所选择的辅助光学模式针对缺陷扫描生产半导体晶片。
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公开(公告)号：CN115210560B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202180018200.8
申请日：2021-03-12
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明提供用于确定用于样本扫描的焦点设置的方法及系统。一种方法包含使用由输出获取子系统在样本上扫描的一或多个预聚焦条带中产生的输出，产生焦点图，界定为最佳焦点的值，作为所述样本上的位置的函数，所述输出获取子系统经配置以引导能量到样本，从所述样本检测能量，且响应于所述所检测能量产生输出。所述方法还包含对所述焦点图进行内插以产生焦点设置用于在过程期间对所述样本执行扫描及存储所述所产生焦点设置的信息用于在所述过程期间对所述样本执行的所述扫描中使用。
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公开(公告)号：CN116982078A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202280017137.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G06T7/30
Abstract: 提供用于半导体应用的深度学习对准的方法及系统。一种方法包含通过将样本上的对准目标的第一实际信息输入到深度生成模型(例如GAN)中而将所述第一实际信息从设计数据转换成样本图像或将样本图像转换成设计数据。所述方法还包含将经转换第一实际信息与所述对准目标的第二实际信息对准，所述第二实际信息具有相同于所述经转换第一实际信息的信息类型。所述方法进一步包含基于所述对准的结果来确定所述经转换第一实际信息与所述第二实际信息之间的偏移及将经确定偏移存储为对准对设计偏移用于对所述样本执行的过程中。
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