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公开(公告)号：CN112789713A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980065115.X
申请日：2019-10-15
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种在半导体晶片缺陷检验系统处执行半导体晶片图像对准的方法。在所述方法中，将半导体晶片装载到所述半导体晶片缺陷检验系统中。针对所述半导体晶片执行预检验对准。在执行所述预检验对准之后，实行第一扫描带以产生所述半导体晶片上的第一区的第一图像。确定所述第一图像中的目标结构相对于已知点的偏移。使用所述偏移针对所述第一图像执行缺陷识别。在实行所述第一扫描带且确定所述偏移之后，实行第二扫描带以产生所述半导体晶片上的第二区的第二图像。在实行所述第二扫描带时，使用所述偏移来执行所述半导体晶片的运行时间对准。
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公开(公告)号：CN115210560B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202180018200.8
申请日：2021-03-12
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明提供用于确定用于样本扫描的焦点设置的方法及系统。一种方法包含使用由输出获取子系统在样本上扫描的一或多个预聚焦条带中产生的输出，产生焦点图，界定为最佳焦点的值，作为所述样本上的位置的函数，所述输出获取子系统经配置以引导能量到样本，从所述样本检测能量，且响应于所述所检测能量产生输出。所述方法还包含对所述焦点图进行内插以产生焦点设置用于在过程期间对所述样本执行扫描及存储所述所产生焦点设置的信息用于在所述过程期间对所述样本执行的所述扫描中使用。
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公开(公告)号：CN109564422B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780049684.6
申请日：2017-07-26
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G05B19/418 , G05B23/02
Abstract: 本发明揭示用于通过整合实时数据收集、事件优先化及透过图像分析自动确定匹配状态进行工具状况监测及匹配的系统及方法。可实时接收来自半导体生产工具的数据。可确定参数数据及缺陷属性数据的控制限度影响CLI且可优先化因果关系因素。图像分析技术可比较图像且可用于例如通过识别所述半导体制造工具中的两者或两者以上匹配所处的状态中的一者来判断工具匹配。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109844664B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201780064588.9
申请日：2017-10-19
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G05B19/418 , G05B23/02
Abstract: 一种工艺控制技术使用来自多个制造工具及多个检验工具或计量工具的生产数据。可对所述生产数据计算总测量不确定度TMU，所述生产数据可包含对使用所述制造工具制造的一或多个装置的测量。可依据TMU将制造步骤排位或者对制造步骤进行比较。可使用生产数据连续地监测所有生产模式及配方。
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公开(公告)号：CN109844664A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780064588.9
申请日：2017-10-19
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G05B19/418 , G05B23/02
Abstract: 一种工艺控制技术使用来自多个制造工具及多个检验工具或计量工具的生产数据。可对所述生产数据计算总测量不确定度TMU，所述生产数据可包含对使用所述制造工具制造的一或多个装置的测量。可依据TMU将制造步骤排位或者对制造步骤进行比较。可使用生产数据连续地监测所有生产模式及配方。
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公开(公告)号：CN115210560A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180018200.8
申请日：2021-03-12
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明提供用于确定用于样本扫描的焦点设置的方法及系统。一种方法包含使用由输出获取子系统在样本上扫描的一或多个预聚焦条带中产生的输出，产生焦点图，界定为最佳焦点的值，作为所述样本上的位置的函数，所述输出获取子系统经配置以引导能量到样本，从所述样本检测能量，且响应于所述所检测能量产生输出。所述方法还包含对所述焦点图进行内插以产生焦点设置用于在过程期间对所述样本执行扫描及存储所述所产生焦点设置的信息用于在所述过程期间对所述样本执行的所述扫描中使用。
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公开(公告)号：CN112789713B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201980065115.X
申请日：2019-10-15
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种在半导体晶片缺陷检验系统处执行半导体晶片图像对准的方法。在所述方法中，将半导体晶片装载到所述半导体晶片缺陷检验系统中。针对所述半导体晶片执行预检验对准。在执行所述预检验对准之后，实行第一扫描带以产生所述半导体晶片上的第一区的第一图像。确定所述第一图像中的目标结构相对于已知点的偏移。使用所述偏移针对所述第一图像执行缺陷识别。在实行所述第一扫描带且确定所述偏移之后，实行第二扫描带以产生所述半导体晶片上的第二区的第二图像。在实行所述第二扫描带时，使用所述偏移来执行所述半导体晶片的运行时间对准。
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公开(公告)号：CN109564422A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780049684.6
申请日：2017-07-26
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G05B19/418 , G05B23/02
Abstract: 本发明揭示用于通过整合实时数据收集、事件优先化及透过图像分析自动确定匹配状态进行工具状况监测及匹配的系统及方法。可实时接收来自半导体生产工具的数据。可确定参数数据及缺陷属性数据的控制限度影响CLI且可优先化因果关系因素。图像分析技术可比较图像且可用于例如通过识别所述半导体制造工具中的两者或两者以上匹配所处的状态中的一者来判断工具匹配。
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