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公开(公告)号：CN107078010B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201580059947.2
申请日：2015-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置与系统以及控制离子束的方法，该装置包括：萃取板沿等离子体室的一侧配置，萃取板具有第一及第二孔洞，以及第一及第二孔洞之间的中间部分，第一及第二孔洞用以在等离子体存于等离子体室中且萃取电压施加于萃取板与基板之间时定义第一及第二离子束；隐藏偏向电极配置于等离子体室外邻近中间部分处，且电性绝缘于萃取板；以及隐藏偏向电极电源用以施加偏压至隐藏偏向电极，其中偏压用以修改第一及第二离子束中离子的入射平均角和/或围绕入射平均角的入射角范围。本发明的等离子体处理装置能对离子角分布作出更进一步的控制。
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公开(公告)号：CN107078010A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580059947.2
申请日：2015-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J2237/061 , H01J2237/30472
Abstract: 一种处理装置可包括：萃取板沿等离子体室的一侧配置，萃取板具有第一及第二孔洞，以及第一及第二孔洞之间的中间部分，第一及第二孔洞用以在等离子体存于等离子体室中且萃取电压施加于萃取板与基板之间时定义第一及第二离子束；隐藏偏向电极配置于等离子体室外邻近中间部分处，且电性绝缘于萃取板；以及隐藏偏向电极电源用以施加偏压至隐藏偏向电极，其中偏压用以修改第一及第二离子束中离子的入射平均角和/或围绕入射平均角的入射角范围。
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公开(公告)号：CN102598219B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201080046098.4
申请日：2010-10-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 尹赫云 , 海伦·L·梅纳德 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J37/32834 , H01L29/66803
Abstract: 揭示一种处理具有水平表面以及非水平表面的基材的方法。藉由采用离子植入器，将粒子植入到基材中。在离子植入期间，由于植入处理的性质，可以在表面上沉积薄膜，其中水平表面上的薄膜的厚度较厚。薄膜的出现可能逆向改变基材的特性。为了对此情况进行更正，执行第二处理步骤来移除沉积在水平表面上的薄膜。在一些实施例中，蚀刻处理被用于移除此薄膜。在一些实施例中，材料改性步骤被用于改变组成薄膜的材料的组成物。材料改性步骤可以替代蚀刻处理，或者作为蚀刻处理的附加步骤。
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公开(公告)号：CN102483929B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201080039843.2
申请日：2010-08-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: G11B5/012
Abstract: 揭示一种改良的图案化磁性位元数据储存媒体及其制造方法。在一特定例示性实施例中，所述改良的图案化磁性位元数据储存媒体可包括：主动区域，其展现实质上铁磁性；以及非主动区域，其展现实质上顺磁性，所述非主动区域包括至少两个晶粒以及一插入于其间的晶界，其中所述至少两个晶粒中的每一者含有铁磁材料，且其中所述至少两个晶粒经反铁磁耦合。
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公开(公告)号：CN101680087A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200780052552.5
申请日：2007-03-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司 , 东北大学
Inventor： 维克拉姆·辛 , 哈勒德·M·波辛 , 艾德蒙德·J·温德 , 杰弗里·A·后普沃德 , 安东尼·雷诺
IPC: C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/24 , C23C16/452 , C23C16/45527 , C23C16/4554
Abstract: 揭示一种原子层沉积技术。在一个特定例示性实施例中，可通过用于原子层沉积的装置来实现此技术。所述装置可包括一处理腔室，其具有一用以固持至少一个基板的基板平台。所述装置亦可包括一前驱物质的供应源，其中前驱物质包括至少一种第一种类的原子以及至少一种第二种类的原子，且其中供应源提供前驱物质以使至少一个基板的表面饱和。所述装置可还包括至少一种第三种类的介稳态原子的等离子源，其中介稳态原子能够自至少一个基板的饱和表面脱附至少一种第二种类的原子以形成至少一种第一种类的一个或多个原子层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109417012B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201780024188.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 皮尔·卢比克 , 泰勒·洛克威尔 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 维克拉姆·辛 , 凯文·M·丹尼尔斯 , 理查德·J·赫尔特 , 彼得·F·库鲁尼西 , 亚历山大·利坎斯奇
IPC: H01J37/32 , H01J37/317
Abstract: 本发明的实施例提供一种处理设备及处理衬底的方法，所述处理设备可以包含：等离子体腔室，以容纳等离子体并且具有包括电绝缘体的主体部分；提取板，沿着等离子体腔室的提取侧安置，所述提取板是导电的并且具有提取孔隙；衬底平台，安置在等离子体腔室的外部并且邻近提取孔隙，所述衬底平台处在接地电势；以及射频发生器，电耦合到所述提取板，当等离子体存在于等离子体腔室中时所述射频发生器相对于接地电势在提取板处建立正直流自身偏置电压。
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公开(公告)号：CN102428762A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080020257.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H05H1/24 , H05H1/34 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32623 , C23C14/48
Abstract: 一种等离子体处理装置，其包含处理腔室；压板，其定位于处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，等离子体具有邻近工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。绝缘修改器具有间隙以及间隙平面，其中间隙平面由绝缘修改器的最靠近鞘且接近间隙的部分界定。将间隙角度界定为间隙平面与由工件的前表面所界定的平面之间的角度。另外，揭示一种使离子撞击工件的方法，其中撞击工件的离子的入射角范围包含中心角以及角分布，且其中绝缘修改器的使用形成不垂直于工件的中心角。
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公开(公告)号：CN101689498B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200880022236.8
申请日：2008-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C14/345 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01J37/32412 , H01L21/32136
Abstract: 一种等离子处理装置，包括支撑等离子处理的基底的平台。一种在输出端产生多重位准射频功率波形的射频电源，此射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期。一种具有电性连接至射频电源的输出端的电性输入端的射频等离子源，至少在第一周期期间产生具有第一射频功率位准的第一射频等离子且在第二周期期间产生具有第二射频功率位准的第二射频等离子。一种具有电性连接至平台的输出端的偏压电源，产生足以吸引等离子的离子至等离子处理的基底的偏压波形。
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公开(公告)号：CN101821836A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110355.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32706 , H01J37/32623 , H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：制程室；源，配置成在制程室内产生等离子体，以及压盘，配置成在制程室内支撑工件。压盘由具有脉冲ON时间周期及脉冲OFF时间周期的脉冲压盘信号来偏置，以在脉冲ON时间周期并且不在脉冲OFF时间周期内朝向工件加速来自等离子体的离子。板状物定位于制程室内。板状物由板状物信号来偏置，以在脉冲压盘信号的脉冲OFF时间周期之一的至少一部份周期内朝向板状物加速来自等离子体的离子，引起从板状物的二次电子发射，以至少部份地中和工件上的电荷积聚。
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公开(公告)号：CN101689498A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022236.8
申请日：2008-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C14/345 , H01J37/321 , H01J37/32165 , H01J37/32412 , H01L21/32136
Abstract: 一种等离子处理装置，包括支撑等离子处理的基底的平台。一种在输出端产生多重位准射频功率波形的射频电源，此射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期。一种具有电性连接至射频电源的输出端的电性输入端的射频等离子源，至少在第一周期期间产生具有第一射频功率位准的第一射频等离子且在第二周期期间产生具有第二射频功率位准的第二射频等离子。一种具有电性连接至平台的输出端的偏压电源，产生足以吸引等离子的离子至等离子处理的基底的偏压波形。
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