公开(公告)号：CN101680087A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200780052552.5

申请日：2007-03-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司 ,  东北大学

Inventor： 维克拉姆·辛 ,  哈勒德·M·波辛 ,  艾德蒙德·J·温德 ,  杰弗里·A·后普沃德 ,  安东尼·雷诺

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/4554

Abstract: 揭示一种原子层沉积技术。在一个特定例示性实施例中，可通过用于原子层沉积的装置来实现此技术。所述装置可包括一处理腔室，其具有一用以固持至少一个基板的基板平台。所述装置亦可包括一前驱物质的供应源，其中前驱物质包括至少一种第一种类的原子以及至少一种第二种类的原子，且其中供应源提供前驱物质以使至少一个基板的表面饱和。所述装置可还包括至少一种第三种类的介稳态原子的等离子源，其中介稳态原子能够自至少一个基板的饱和表面脱附至少一种第二种类的原子以形成至少一种第一种类的一个或多个原子层。