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公开(公告)号：CN103280415B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201310210087.0
申请日：2009-06-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 大卫·苏若恩 , 岱尔·K·史东 , 茂雄·S·大城 , 亚瑟·P·瑞福 , 爱德华·D·梅克英特许
IPC: H01L21/67 , H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01L21/6875
Abstract: 本发明揭示一种用以将基材连接于地面的接地引脚。接地引脚包括引脚主体以及套管。套管支撑引脚主体。套管包括一流体通道，以传输流体，并使流体通道的两侧的压力处于压力平衡。
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公开(公告)号：CN102460651B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201080025426.2
申请日：2010-04-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68742 , Y10T29/49998 , Y10T279/23
Abstract: 本发明揭示一种静电卡钳，其在移除之前及期间，较有效地将累积电荷自基板移除。当前，起模顶杆及接地插针为用于在植入之后将电荷自基板移除的仅有机构。本发明描述一种卡钳，其具有接地的较多额外低电阻路径中之一者。此等额外导管允许累积的电荷在将所述基板自所述卡钳移除之前及期间被耗散。藉由提供自基板114的背侧表面的充分电荷汲取，可减少基板粘住卡钳的问题。此举导致基板破裂的相对减少。
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公开(公告)号：CN101688295A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880016940.2
申请日：2008-03-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: C23C14/50 , H01J37/20 , H01L21/683 , H01L21/687 , H02N13/00
CPC classification number: H02N13/00 , H01J37/20 , H01J2237/2007 , H01J2237/31701 , H01L21/6833
Abstract: 一种静电夹持装置及一种减少对耦接至静电夹持装置的工件造成污染的方法。根据一实施例，耦接工件的静电夹持装置包括位于本体的表面上的用以接触工件的浮雕部，以及位于所述本体内的至少两个电极，其中至少两个电极被所述浮雕部下方的分离部分开。
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公开(公告)号：CN105308735B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201480035023.4
申请日：2014-04-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/6831
Abstract: 本发明提供一种低放射率静电卡盘和具有其的离子植入系统，静电卡盘包括加热器及配置在加热器上的电极。此静电卡盘也包括绝缘体层及配置在绝缘体上的涂层，其中所述涂层用以支撑电极系统所产生的静电场以便吸住基板。
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公开(公告)号：CN107810548A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201680038069.0
申请日：2016-06-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , G03F7/70708 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , H02N13/00
Abstract: 本发明揭示可安置于加热的静电卡盘与基底之间的热屏蔽。热屏蔽包括具有在1密耳与5密耳之间的厚度的热绝缘体，例如聚酰亚胺膜。聚酰亚胺膜在一个侧上涂覆有反射材料层，例如铝。所述反射材料层可在30纳米与100纳米之间。热屏蔽安置成使得所述反射材料层更靠近卡盘。由于所述反射材料层较薄，所以热屏蔽不保持大量热。此外，热屏蔽的温度保持远低于聚酰亚胺膜的玻璃化转变温度。
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公开(公告)号：CN101689529A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021661.5
申请日：2008-06-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68707
Abstract: 本发明揭示了处理基板的技术。在一个特定例示性实施例中，所述技术可实现为基板支撑件。基板支撑件可包括安装部分。基板支撑件亦可包括自安装部分延伸的壁，其中壁可形成大体上封闭的区域，且可在末端具有接触表面。
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公开(公告)号：CN105993070B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201580008408.6
申请日：2015-02-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/683 , H02H9/00
Abstract: 本发明提供一种支撑基板的装置以及操作静电夹的方法。支撑基板的装置可包括基座以及邻近于基座并配置来用于支撑基板表面的绝缘部分。所述装置还可包括电极系统，以提供夹持电压给基板，其中配置绝缘部分以藉由具有通道宽度的至少一通道来提供气体给基板，其中气体压力以及通道宽度的乘积小于气体的帕申最小值，其中帕申最小值为气体的崩溃电压为最小值下外壳的表面的间距与压力的乘积。本发明能够避免基板被污染。
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公开(公告)号：CN106233451B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201580006538.6
申请日：2015-01-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司 , 安堤格里斯公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种制造静电夹的方法、一种静电夹及一种静电夹系统。在一个实施例中，一种制造静电夹的方法包含：形成绝缘体主体；在所述绝缘体主体上形成电极；以及在所述电极上沉积层堆叠，所述层堆叠包括使用原子层沉积(ALD)而沉积的氧化铝层。抗扩散层堆叠设置在静电夹的电极与将由静电夹固持的衬底之间。可在操作期间抑制金属从静电夹滤出，避免污染衬底。
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公开(公告)号：CN107533997A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680014843.4
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 孙大伟 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂芬·M·恩尔拉 , 岱尔·K·史东 , 留德米拉·史东
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67103
Abstract: 本申请揭露一种用于在处理期间增进工件的温度均匀性的设备。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。
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公开(公告)号：CN102119439A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200980131177.2
申请日：2009-06-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 大卫·苏若恩 , 岱尔·K·史东 , 茂雄·S·大城 , 亚瑟·P·瑞福 , 爱德华·D·梅克英特许
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01L21/6875
Abstract: 本发明揭示减少基材上粒子污染的技术。在一特殊实施例中，此技术可以一具有多个不同区域的平台来实施，其中这些区域中的压力值可实质上相同。举例来说，平台可包括一平台主体，其包括第一与第二凹陷，第一凹陷定义出一流体区域用以保持流体以维持基材的温度于一预定温度，第二凹陷定义出一第一凹槽用以保持一接地电路；一第一介层窗定义于平台主体中，第一介层窗具有第一与第二开口，第一开口邻近于流体区域，而第二开口邻近于第一凹槽，其中流体区域的压力值可维持在一准位，且此准位实质上相等于第一凹槽的压力值。
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