公开(公告)号：CN107810548B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201680038069.0

申请日：2016-06-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 岱尔·K·史东 ,  大卫·J·奇普曼

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明揭示可安置于加热的静电卡盘与基底之间的热屏蔽。热屏蔽包括具有在1密耳与5密耳之间的厚度的热绝缘体，例如聚酰亚胺膜。聚酰亚胺膜在一个侧上涂覆有反射材料层，例如铝。所述反射材料层可在30纳米与100纳米之间。热屏蔽安置成使得所述反射材料层更靠近卡盘。由于所述反射材料层较薄，所以热屏蔽不保持大量热。此外，热屏蔽的温度保持远低于聚酰亚胺膜的玻璃化转变温度。

公开(公告)号：CN107810548A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201680038069.0

申请日：2016-06-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 岱尔·K·史东 ,  大卫·J·奇普曼

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833 ,  G03F7/70708 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00

Abstract: 本发明揭示可安置于加热的静电卡盘与基底之间的热屏蔽。热屏蔽包括具有在1密耳与5密耳之间的厚度的热绝缘体，例如聚酰亚胺膜。聚酰亚胺膜在一个侧上涂覆有反射材料层，例如铝。所述反射材料层可在30纳米与100纳米之间。热屏蔽安置成使得所述反射材料层更靠近卡盘。由于所述反射材料层较薄，所以热屏蔽不保持大量热。此外，热屏蔽的温度保持远低于聚酰亚胺膜的玻璃化转变温度。