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公开(公告)号：CN103280415B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201310210087.0
申请日：2009-06-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 大卫·苏若恩 , 岱尔·K·史东 , 茂雄·S·大城 , 亚瑟·P·瑞福 , 爱德华·D·梅克英特许
IPC: H01L21/67 , H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01L21/6875
Abstract: 本发明揭示一种用以将基材连接于地面的接地引脚。接地引脚包括引脚主体以及套管。套管支撑引脚主体。套管包括一流体通道，以传输流体，并使流体通道的两侧的压力处于压力平衡。
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公开(公告)号：CN102113093A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980129797.2
申请日：2009-05-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/2001 , H01L21/26593
Abstract: 揭示一种用于改变平台温度的技术。在一个特定示例实施例中，此技术可以被实现为用于改变平台温度的装置。此装置包括平台以及一个或者多个活动热垫，此一个或者多个活动热垫包括一个或者多个热流体通道，此热流体通道承载被配置为影响平台温度的热流体。
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公开(公告)号：CN103280415A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310210087.0
申请日：2009-06-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 大卫·苏若恩 , 岱尔·K·史东 , 茂雄·S·大城 , 亚瑟·P·瑞福 , 爱德华·D·梅克英特许
IPC: H01L21/67 , H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01L21/6875
Abstract: 本发明揭示一种用以将基材连接于地面的接地引脚。接地引脚包括引脚主体以及套管。套管支撑引脚主体。套管包括一流体通道，以传输流体，并使流体通道的两侧的压力处于压力平衡。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102119439B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200980131177.2
申请日：2009-06-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 大卫·苏若恩 , 岱尔·K·史东 , 茂雄·S·大城 , 亚瑟·P·瑞福 , 爱德华·D·梅克英特许
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01L21/6875
Abstract: 本发明揭示减少基材上粒子污染的技术。在一特殊实施例中，此技术可以一具有多个不同区域的平台来实施，其中这些区域中的压力值可实质上相同。举例来说，平台可包括一平台主体，其包括第一与第二凹陷，第一凹陷定义出一流体区域用以保持流体以维持基材的温度于一预定温度，第二凹陷定义出一第一凹槽用以保持一接地电路；一第一通孔定义于平台主体中，第一通孔具有第一与第二开口，第一开口邻近于流体区域，而第二开口邻近于第一凹槽，其中流体区域的压力值可维持在一准位，且此准位实质上相等于第一凹槽的压力值。
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公开(公告)号：CN102113093B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200980129797.2
申请日：2009-05-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/2001 , H01L21/26593
Abstract: 本发明揭示一种用于改变平台温度的装置及方法。在一个特定示例实施例中，揭示用于改变平台温度的装置。此装置包括平台以及一个或者多个活动热垫，此一个或者多个活动热垫包括一个或者多个热流体通道，此热流体通道承载被配置为影响平台温度的热流体。
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公开(公告)号：CN105190825B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201480013428.8
申请日：2014-03-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚瑟·P·瑞福
IPC: H01J37/317
CPC classification number: F16C11/04 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/002 , H01J2237/2001 , Y10T403/25
Abstract: 本发明提供一种用于半导体制程应用的旋转接头及旋转平台装置。旋转接头连接于基座与平台之间。旋转接头包括用来传递低温流体至平台以在离子植入的步骤中冷却平台的挠曲管部分。挠曲管部分具有与平台的非旋转位置有关的第一配置结构，以及与平台旋转位置有关的第二配置结构。在第一配置结构中，挠曲管部分具有第一弯曲半径，并且在第二配置结构中，挠曲管部分具有第二弯曲半径，其小于第一弯曲半径。旋转接头还包括具有围墙的基座，其在挠曲管部分于第一配置结构与第二配置结构之间旋转时，限制挠曲管部分的移动。本发明的旋转接头适合在低温下长时间并且多次数的循环使用。
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公开(公告)号：CN105190825A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480013428.8
申请日：2014-03-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚瑟·P·瑞福
IPC: H01J37/317
CPC classification number: F16C11/04 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/002 , H01J2237/2001 , Y10T403/25
Abstract: 揭示一种用于半导体制程应用的旋转接头。旋转接头包括用来传递低温流体至平台以在离子植入的步骤中冷却平台的挠曲弹性管件。挠曲弹性管件具有与平台的非旋转位置有关的第一配置结构，以及与平台旋转位置有关的第二配置结构。在第一配置结构中，挠曲弹性管件具有第一弯曲半径，并且在第二配置结构中，挠曲弹性管件具有第二弯曲半径，其小于第一弯曲半径。旋转接头还包括具有围墙的基座，其在挠曲弹性管件于第一与第二配置结构之间旋转时，限制挠曲弹性管件的移动。
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公开(公告)号：CN102119439A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200980131177.2
申请日：2009-06-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 大卫·苏若恩 , 岱尔·K·史东 , 茂雄·S·大城 , 亚瑟·P·瑞福 , 爱德华·D·梅克英特许
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01L21/6875
Abstract: 本发明揭示减少基材上粒子污染的技术。在一特殊实施例中，此技术可以一具有多个不同区域的平台来实施，其中这些区域中的压力值可实质上相同。举例来说，平台可包括一平台主体，其包括第一与第二凹陷，第一凹陷定义出一流体区域用以保持流体以维持基材的温度于一预定温度，第二凹陷定义出一第一凹槽用以保持一接地电路；一第一介层窗定义于平台主体中，第一介层窗具有第一与第二开口，第一开口邻近于流体区域，而第二开口邻近于第一凹槽，其中流体区域的压力值可维持在一准位，且此准位实质上相等于第一凹槽的压力值。
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