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公开(公告)号：CN116083988A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111316075.7
申请日：2021-11-08
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: C25D17/00
Abstract: 本申请公开了一种电镀装置和电镀方法，该电镀装置包括：交替进行供电输出的第一电源和第二电源；第一阳电极，与第一电源的正极连接，用于在第一电源进行供电输出时，与连接于第一电源负极的外部镀件构成电镀回路，以对镀件进行电镀；第一阴电极，与第二电源的负极连接，用于在第二电源进行供电输出时，与连接于第二电源正极的镀件构成电解回路，以对镀件进行电解。通过上述方式，本申请的电镀装置能够交替对镀件进行电镀和电解，从而能够有效提高电镀填孔的效率，以缩短填孔时间，且能够有效填满电路板的盲孔。
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公开(公告)号：CN119864344A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411807650.7
申请日：2024-12-09
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H05K1/18
Abstract: 本申请公开了芯片封装体，其中，芯片封装体包括：基础电路板、芯片单元、塑封层以及多个连接件，芯片单元固定安装在对应的安装通槽内，芯片单元的芯片与金属基板的第一侧固定连接；塑封层与基础电路板的第一侧贴合设置；各连接件的一端分别与芯片的对应电极连接，各连接件的另一端延伸至塑封层的第一侧进行裸露；其中，连接件包括第一连接件，第一连接件的一端通过与金属基板的第二侧连接以连接芯片，第一连接件的另一端沿着基础电路板的第二侧延伸至板件边缘区域，并再垂直延伸到塑封层远离基础电路板的一侧进行裸露。通过上述方式，本申请能够兼容芯片封装体的连接件的内部电绝缘以及内部走线。
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公开(公告)号：CN118969642A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410726928.1
申请日：2024-06-05
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/50 , H01L21/48 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/488 , H05K1/18 , H05K1/02
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种功率芯片封装结构及其制备方法、印制电路板组件。本发明的功率芯片封装结构的制备方法先将功率芯片固定在具有框架导电部和框架散热部的金属框架中，并利用第一介质层将框架导电部、框架散热部和功率芯片之间相互绝缘，并将功率芯片封装结构的三个电极制备在功率芯片封装结构的同一侧，本发明的制备方法，将功率芯片的电极通过框架导电部引至共面电极侧与功率芯片封装结构的共面电极连接，无需额外引入引线对芯片进行键合，降低封装的寄生电感的同时，极大的减小了功率芯片封装结构的体积，同时，本发明的制备方法设置了用于功率芯片散热的框架散热部，显著提升了功率芯片封装结构的散热性能。
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公开(公告)号：CN117133748A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210556010.8
申请日：2022-05-20
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了封装体及其制备方法，其中，封装体的制备方法包括：获取到线路板；在线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与线路板中的导电线路连通；将至少一个桥连硅片固定在线路板的一侧，并使各桥连硅片形成有至少两个焊盘的一侧远离线路板；将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上；对各芯片进行塑封，以制备封装体。通过上述方法，本发明能够提高芯片间的互联密度，也可以提高桥连硅片贴装及与芯片互连的精度，提高封装体的结构稳定性。
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公开(公告)号：CN116613140A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202210122766.1
申请日：2022-02-09
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L23/538
Abstract: 本申请公开了一种芯片封装组件及其制作方法，芯片封装组件包括桥连布线层、扇出布线层以及多个芯片，桥连布线层设置于扇出布线层的一侧，芯片连接于扇出布线层设置有桥连布线层的一侧，至少两个芯片各有部分引脚连接桥连布线层，以通过桥连布线层连通，芯片其余引脚连接扇出布线层。本技术方案通过在扇出布线层上局部设置桥连布线层，能够实现芯片互连；本制作方法根据芯片引脚位置先确定并制作桥连布线层结构，随后基于桥连布线层的位置制作扇出布线层，从而实现桥连布线层与芯片精准定位连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116546735A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310714006.4
申请日：2023-06-15
Applicant: 深南电路股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电路板加工方法、电路板结构及设备，包括：在第一电路板上积层第一介质层；在第一介质层上加工第一互连孔和目标线路沟槽；在第一互连孔和目标线路沟槽填充导电材料，得到与第一电路板电连接的第一金属结构；对第一金属结构的外表面进行蚀刻，得到目标电路板，目标电路板包括与第一电路板电连接的目标线路结构。本技术方案通过将第一金属结构嵌入在第一互连孔和目标线路沟槽中的方式，使得在对第一金属结构的外表面进行蚀刻时，第一金属结构不会产生侧蚀问题，有利于加工更加精细的目标线路结构，同时使得嵌入在目标线路沟槽中的目标线路结构的表面更加平整，从而提高目标线路结构制作过程中的可靠性。
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公开(公告)号：CN115988757A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202111205503.9
申请日：2021-10-15
Applicant: 深南电路股份有限公司
Abstract: 本申请涉及电路板技术领域，并具体公开了一种电路板的电镀方法及电路板，其中，该电路板的电镀方法包括：对待电镀的电路板进行初步处理，以在电路板的一侧面上形成盲孔；通过电镀溶液和添加剂对初步处理后的电路板进行一次电镀；其中，电镀溶液包括电镀药水和加速剂；对一次电镀后的电路板进行一次电解，以去除电镀后吸附于电路板一侧面上的加速剂，并保留吸附于盲孔底部和部分侧壁上的加速剂；对一次电解处理后的电路板进行二次电镀。通过上述方式，本申请中的电路板的电镀方法能够有效提高电镀填孔的效率，以缩短填孔时间，且能够有效填满电路板的盲孔。
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公开(公告)号：CN119864343A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411805637.8
申请日：2024-12-09
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H05K1/18
Abstract: 本申请公开了芯片埋入式封装体，其中，芯片埋入式封装体包括：基础电路板、芯片单元、塑封层以及多个连接件，芯片单元固定安装在对应的安装槽内，芯片单元包括金属基板与芯片；金属基板上形成具有第一表面以及第二表面的台阶，芯片与第二表面固定连接；第一表面凸出于第二表面，且第二表面延伸至金属基板的至少一侧边缘，各连接件的一端分别与芯片对应连接，各连接件的另一端延伸至塑封层的第一侧进行裸露；其中，连接件包括第一连接件，第一连接件的一端与芯片的第一侧连接，且第一连接件的另一端横跨第二表面以水平延伸至基础电路板的第一侧，并延伸至板件边缘进行裸露。通过上述方式，本申请能够减少芯片埋入式封装体的电老化绝缘失效风险。
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公开(公告)号：CN116469881A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211227176.1
申请日：2022-10-09
Applicant: 深南电路股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光波导嵌入式封装结构及其制作方法，包括：再布线层，再布线层的一侧设置有两端具有预设角度斜面的凹槽，凹槽内集成有光波导层；光波导下包层位于凹槽底部，光波导线路位于光波导下包层的上方，且光波导线路的上表面与再布线层的上表面处于相同水平位置，光波导上包层位于光波导线路的上方，光波导上包层两端的预设位置开有用于形成光波导线路通道的窗口；再布线层的光波导层侧倒装有光电集成芯片，光电集成芯片间通过光波导线路进行光传输；利用光传输的高带宽，有效的提高了芯片之间的传输速率，简化了封装结构内部复杂的线路。
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公开(公告)号：CN116259593A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310369312.9
申请日：2023-04-03
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种散热板结构、集成电路模块及其制作方法，涉及电路板制作技术领域，该散热板结构包括：陶瓷基材，所述陶瓷基材的上表面设置有导电线路；所述陶瓷基材的下表面间隔设置有若干第一导热金属块，各个所述第一导热金属块之间设置有间隔槽；所述间隔槽对应的区域设置有若干第二导热金属块，所述第二导热金属块的上表面与所述第一导热金属块的下表面处于同一水平面并接触连接；第一导热金属块和第二导热金属块之间交错设置，以此来增大与散热介质的接触面积，从而有效的提高陶瓷基板的散热性能以及集成度。
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