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公开(公告)号：CN116083988A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111316075.7
申请日：2021-11-08
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: C25D17/00
Abstract: 本申请公开了一种电镀装置和电镀方法，该电镀装置包括：交替进行供电输出的第一电源和第二电源；第一阳电极，与第一电源的正极连接，用于在第一电源进行供电输出时，与连接于第一电源负极的外部镀件构成电镀回路，以对镀件进行电镀；第一阴电极，与第二电源的负极连接，用于在第二电源进行供电输出时，与连接于第二电源正极的镀件构成电解回路，以对镀件进行电解。通过上述方式，本申请的电镀装置能够交替对镀件进行电镀和电解，从而能够有效提高电镀填孔的效率，以缩短填孔时间，且能够有效填满电路板的盲孔。
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公开(公告)号：CN119864343A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411805637.8
申请日：2024-12-09
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H05K1/18
Abstract: 本申请公开了芯片埋入式封装体，其中，芯片埋入式封装体包括：基础电路板、芯片单元、塑封层以及多个连接件，芯片单元固定安装在对应的安装槽内，芯片单元包括金属基板与芯片；金属基板上形成具有第一表面以及第二表面的台阶，芯片与第二表面固定连接；第一表面凸出于第二表面，且第二表面延伸至金属基板的至少一侧边缘，各连接件的一端分别与芯片对应连接，各连接件的另一端延伸至塑封层的第一侧进行裸露；其中，连接件包括第一连接件，第一连接件的一端与芯片的第一侧连接，且第一连接件的另一端横跨第二表面以水平延伸至基础电路板的第一侧，并延伸至板件边缘进行裸露。通过上述方式，本申请能够减少芯片埋入式封装体的电老化绝缘失效风险。
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公开(公告)号：CN116469881A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211227176.1
申请日：2022-10-09
Applicant: 深南电路股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光波导嵌入式封装结构及其制作方法，包括：再布线层，再布线层的一侧设置有两端具有预设角度斜面的凹槽，凹槽内集成有光波导层；光波导下包层位于凹槽底部，光波导线路位于光波导下包层的上方，且光波导线路的上表面与再布线层的上表面处于相同水平位置，光波导上包层位于光波导线路的上方，光波导上包层两端的预设位置开有用于形成光波导线路通道的窗口；再布线层的光波导层侧倒装有光电集成芯片，光电集成芯片间通过光波导线路进行光传输；利用光传输的高带宽，有效的提高了芯片之间的传输速率，简化了封装结构内部复杂的线路。
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公开(公告)号：CN116259593A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310369312.9
申请日：2023-04-03
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种散热板结构、集成电路模块及其制作方法，涉及电路板制作技术领域，该散热板结构包括：陶瓷基材，所述陶瓷基材的上表面设置有导电线路；所述陶瓷基材的下表面间隔设置有若干第一导热金属块，各个所述第一导热金属块之间设置有间隔槽；所述间隔槽对应的区域设置有若干第二导热金属块，所述第二导热金属块的上表面与所述第一导热金属块的下表面处于同一水平面并接触连接；第一导热金属块和第二导热金属块之间交错设置，以此来增大与散热介质的接触面积，从而有效的提高陶瓷基板的散热性能以及集成度。
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公开(公告)号：CN116130454A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111342453.9
申请日：2021-11-12
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/48 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本申请公开了一种线路板的制备方法以及线路板，该制备方法包括：获取到待加工板材，待加工板材包括层叠设置的第一封装基板、第一芯片与被动元件以及第一塑封体；在第一塑封体远离第一封装基板的一侧表面上沉积金属，以形成第一导体薄膜；去除第一封装基板；在第一塑封体远离第一导体薄膜的一侧表面上贴附第一干膜，并使第一塑封体上的第一预设位置裸露；在第一预设位置进行钻孔处理，钻穿第一塑封体直至第一导体薄膜，以形成第一盲孔；在第一盲孔中灌注导电物质，以形成第一连接柱。本申请能够在提升互连铜柱质量的情况下，提升制备效率以及降低制备成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116017887A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310092383.9
申请日：2023-01-16
Applicant: 深南电路股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷基双面印制电路板及其制作方法，涉及电路板制作技术领域，该方法包括：提供一金属载体，在所述金属载体的一侧表面上制作未烧结的陶瓷层，在所述陶瓷层的表面预设位置制作穿透所述陶瓷层达到所述金属载体的互连孔；烧结所述陶瓷层，在所述互连孔内制作连接所述金属载体和所述陶瓷层表面的金属互连结构；在所述陶瓷层的表面制作接触所述金属互连结构的第一电路图形，在所述金属载体的另一侧表面制作第二电路图形，所述第一电路图形和所述第二电路图形通过所述金属互连结构和所述金属载体连接，形成陶瓷基双面印制电路板；该方法降低了陶瓷基双面印制电路板的制作成本。
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公开(公告)号：CN115274572A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210867742.9
申请日：2022-07-21
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/10 , H01L21/768 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种底部封装体及其制作方法以及堆叠封装结构及其制作方法，底部封装体的制作方法包括:在有机树脂芯板上加工通孔，并进行电镀，在通孔内形成互连金属柱；在电镀后的有机树脂芯板上加工通槽，将加工通槽过后的有机树脂芯板固定于硬质临时载体上；在硬质临时载体上方的通槽内放置预设芯片，使预设芯片的焊盘侧远离硬质临时载体；从预设芯片的焊盘侧塑封通槽内的预设芯片，并对塑封后的有机树脂芯板的焊盘侧进行研磨，以露出预设芯片的焊盘；在研磨后的有机树脂芯板的焊盘侧制作形成第一连接线路；解除硬质临时载体，在预设芯片的非焊盘侧制作形成第二连接线路。采用本发明，三维互连结构的密度高、制作成本低、芯片表面线路更精细。
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公开(公告)号：CN119864344A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411807650.7
申请日：2024-12-09
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H05K1/18
Abstract: 本申请公开了芯片封装体，其中，芯片封装体包括：基础电路板、芯片单元、塑封层以及多个连接件，芯片单元固定安装在对应的安装通槽内，芯片单元的芯片与金属基板的第一侧固定连接；塑封层与基础电路板的第一侧贴合设置；各连接件的一端分别与芯片的对应电极连接，各连接件的另一端延伸至塑封层的第一侧进行裸露；其中，连接件包括第一连接件，第一连接件的一端通过与金属基板的第二侧连接以连接芯片，第一连接件的另一端沿着基础电路板的第二侧延伸至板件边缘区域，并再垂直延伸到塑封层远离基础电路板的一侧进行裸露。通过上述方式，本申请能够兼容芯片封装体的连接件的内部电绝缘以及内部走线。
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公开(公告)号：CN118969642A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410726928.1
申请日：2024-06-05
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/50 , H01L21/48 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/488 , H05K1/18 , H05K1/02
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种功率芯片封装结构及其制备方法、印制电路板组件。本发明的功率芯片封装结构的制备方法先将功率芯片固定在具有框架导电部和框架散热部的金属框架中，并利用第一介质层将框架导电部、框架散热部和功率芯片之间相互绝缘，并将功率芯片封装结构的三个电极制备在功率芯片封装结构的同一侧，本发明的制备方法，将功率芯片的电极通过框架导电部引至共面电极侧与功率芯片封装结构的共面电极连接，无需额外引入引线对芯片进行键合，降低封装的寄生电感的同时，极大的减小了功率芯片封装结构的体积，同时，本发明的制备方法设置了用于功率芯片散热的框架散热部，显著提升了功率芯片封装结构的散热性能。
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公开(公告)号：CN117133748A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210556010.8
申请日：2022-05-20
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了封装体及其制备方法，其中，封装体的制备方法包括：获取到线路板；在线路板的一侧制备多个金属基；其中，各金属基与线路板中的导电线路连通；将至少一个桥连硅片固定在线路板的一侧，并使各桥连硅片形成有至少两个焊盘的一侧远离线路板；将至少两个芯片的多个凸点分别焊接在对应的各金属基以及各桥连硅片的焊盘上；对各芯片进行塑封，以制备封装体。通过上述方法，本发明能够提高芯片间的互联密度，也可以提高桥连硅片贴装及与芯片互连的精度，提高封装体的结构稳定性。
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