公开(公告)号：CN118540863A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410726733.7

申请日：2024-06-05

Applicant: 深南电路股份有限公司

Inventor： 朱凯 ,  王泽东 ,  方明亮

IPC: H05K3/30 ,  H05K1/18 ,  H05K1/02

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种功率芯片埋入式印制电路板组件及其制备方法。本发明的制备方法，将功率芯片嵌入至具有共面电极的金属框架中，使功率芯片组件的电极能够共面，再将功率电极共面的功率芯片组件埋入印制电路板内，并在功率芯片组件的背面安装散热器进行散热，利用本发明的制备方法在保障功率芯片组件能够充分散热的同时，避免了功率器件封装体与线路板之间连接不稳定，提升了整体电路的稳定性和长期可靠性，且显著节省了线路板表面空间，使得更小的板面上集成了更多的元器件，极大的提高了集成度。

公开(公告)号：CN118317501A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410402243.1

申请日：2024-04-03

Applicant: 深南电路股份有限公司

Inventor： 朱凯 ,  方明亮 ,  赵海娟

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/11 ,  H05K3/42 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明公开了一种PCB框架、PCB板及PCB板的制造方法，PCB框架包括：板体，所述板体上开设有至少一个容纳槽；至少一个嵌入模块，至少一个所述嵌入模块设置于至少一个所述容纳槽内且与所述板体连接；其中，所述嵌入模块包括：覆铜基板、至少一个功率芯片和至少两个散热器，所述功率芯片贴装在所述覆铜基板上且与所述覆铜基板电连接，所述嵌入模块的两侧设置有至少两个所述散热器。其中，将嵌入模块与板体组成一个整体，提高PCB板的集成度；在嵌入模块的双面设置有散热器，可以增大功率芯片的散热区域的面积，从而提高对功率芯片的散热能力。

公开(公告)号：CN118158895A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410412851.0

申请日：2024-04-03

Applicant: 深南电路股份有限公司

Inventor： 朱凯 ,  方明亮 ,  赵海娟

IPC: H05K1/14 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明公开了一种PCB组件及PCB组件加工方法，PCB组件，包括第一PCB板、第二PCB板和功率芯片；第一PCB板包括有机基板和设置在有机基板上的第一线路，第一PCB板上设有第一通槽；第二PCB板设置在第一通槽内，第二PCB板包括陶瓷基板和设置在陶瓷基板的第一表面上的第一铜层，第一铜层与第一线路电连接；功率芯片设置在第一铜层上。本技术方案过将第二PCB板设置在第一通槽内，并将陶瓷基板的第一表面上的第一铜层，与第一线路电连接，以保证PCB组件能够正常控制功率芯片工作，同时将功率芯片设置在第一铜层上，能够利用陶瓷基板良好的散热性能和绝缘性能。

公开(公告)号：CN118969642A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410726928.1

申请日：2024-06-05

Applicant: 深南电路股份有限公司

Inventor： 朱凯 ,  王泽东 ,  方明亮

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/488 ,  H05K1/18 ,  H05K1/02

Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种功率芯片封装结构及其制备方法、印制电路板组件。本发明的功率芯片封装结构的制备方法先将功率芯片固定在具有框架导电部和框架散热部的金属框架中，并利用第一介质层将框架导电部、框架散热部和功率芯片之间相互绝缘，并将功率芯片封装结构的三个电极制备在功率芯片封装结构的同一侧，本发明的制备方法，将功率芯片的电极通过框架导电部引至共面电极侧与功率芯片封装结构的共面电极连接，无需额外引入引线对芯片进行键合，降低封装的寄生电感的同时，极大的减小了功率芯片封装结构的体积，同时，本发明的制备方法设置了用于功率芯片散热的框架散热部，显著提升了功率芯片封装结构的散热性能。

公开(公告)号：CN222507615U

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202421277939.8

申请日：2024-06-05

Applicant: 深南电路股份有限公司

Inventor： 朱凯 ,  王泽东 ,  方明亮

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/48 ,  H05K1/18

Abstract: 本实用新型涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种功率芯片封装结构及印制电路板组件，本实用新型的功率芯片封装结构，包括功率芯片和绝缘框架，在绝缘框架中嵌入功率芯片，并在绝缘框架的另一侧设置用于绝缘的第一介质层，利用绝缘框架和第一介质层形成良好的绝缘，同时将功率芯片的单电极侧的电极引至双电极侧与功率芯片封装结构的电极连接，无需额外引入引线对芯片进行键合，降低封装的寄生电感的同时，极大的减小了功率芯片封装结构的体积，同时，整个封装结构简单，降低了工艺制作难度。