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公开(公告)号：CN116469844A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310145628.X
申请日：2023-02-15
Applicant: 深南电路股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种元器件埋入式封装结构及其制作方法，该结构包括：第一绝缘介质层、第二绝缘介质层以及设置在所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层之间的元器件填充区和框架区，所述框架区设置在所述元器件填充区的左右两端；所述框架区中设置有框架层，所述框架层包括层叠设置的至少两层材料层，所述材料层的热膨胀系数和/或杨氏模量不完全相同；元器件填充区内设置有元器件，所述元器件的下表面连接所述第二绝缘介质层的上表面，所述元器件与所述第一绝缘介质层、所述框架层之间的缝隙内设置有填充材料；减小了元器件顶部填充树脂体积不同导致的内应力差异，从而减小产品的翘曲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116936368A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210349437.0
申请日：2022-04-01
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明公开了芯片的封装方法以及芯片封装体，其中，芯片的封装方法包括：获取到基板，其中，基板包括依次层叠且贴合设置的第一金属层、介质层以及第二金属层；对第一金属层的预设位置进行蚀刻，直至裸露介质层的一侧；在基板上制备出多个安装槽，将芯片分别安装至各安装槽内；从基板形成有第一金属层的一侧对基板进行塑封；对第二金属层的预设位置进行蚀刻，直至裸露介质层的另一侧；从基板形成有第二金属层的一侧对基板再次进行塑封；基于介质层的裸露位置对基板进行切割，以得到多个芯片封装体。通过上述方法，能够使得各芯片封装体的切割边缘不露金属，提高芯片封装体的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN116469882A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211227739.7
申请日：2022-10-09
Applicant: 深南电路股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光电共封装结构及其制作方法，涉及芯片封装技术领域，该方法包括：提供一侧集成有光波导层的再布线层；在所述再布线层的光波导层侧倒装并塑封第一光电集成芯片和第二光电集成芯片，所述第一光电集成芯片通过所述光波导层与所述第二光电集成芯片进行光信号传输，且所述第一光电集成芯片和所述第二光电集成芯片连接所述再布线层的倒装焊盘；在所述再布线层的植球焊盘侧进行植球；使第一光电集成芯片和第二光电集成芯片通过光波导层进行通讯，利用光传输的高带宽，有效的提高了芯片之间的传输速率，简化了封装结构内部复杂的线路。
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公开(公告)号：CN116031254A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310091581.3
申请日：2023-01-29
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L31/0203
Abstract: 本发明公开了一种局部凸台式光电共封装结构及其制作方法，包括：再布线层，所述再布线层包括设置于上表面的两个凸点焊盘阵列和设置于下表面的锡球焊盘，以及设置于内部连通所述凸点焊盘阵列和所述锡球焊盘的导电线路；在所述再布线层的上表面的凸点焊盘阵列之间设置有光波导层，所述光波导层的两端分别由一凸出所述上表面的斜形块支撑，所述斜形块的斜面与所述上表面的夹角为预设角度；在所述再布线层的上表面，所述光波导层的一侧设置有第一光电集成芯片，另一侧设置有第二光电集成芯片，所述第一光电集成芯片连接第一凸点焊盘阵列，所述第二光电集成芯片连接第二凸点焊盘阵列，提高了芯片间的传输速率，简化了封装结构内部复杂的线路。
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公开(公告)号：CN116469881A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211227176.1
申请日：2022-10-09
Applicant: 深南电路股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光波导嵌入式封装结构及其制作方法，包括：再布线层，再布线层的一侧设置有两端具有预设角度斜面的凹槽，凹槽内集成有光波导层；光波导下包层位于凹槽底部，光波导线路位于光波导下包层的上方，且光波导线路的上表面与再布线层的上表面处于相同水平位置，光波导上包层位于光波导线路的上方，光波导上包层两端的预设位置开有用于形成光波导线路通道的窗口；再布线层的光波导层侧倒装有光电集成芯片，光电集成芯片间通过光波导线路进行光传输；利用光传输的高带宽，有效的提高了芯片之间的传输速率，简化了封装结构内部复杂的线路。
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公开(公告)号：CN218938553U
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202222760950.7
申请日：2022-10-19
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/42 , H01L25/16 , H01L23/482
Abstract: 本实用新型公开了一种光电共封装结构，光电共封装结构包括：电路板、再布线层、多个光电集成芯片。再布线层与电路板电连接，多个光电集成芯片均设于再布线层远离电路板的一侧，每个光电集成芯片包括光电集成芯片本体、电子芯片区和至少一个光子芯片区，光子芯片区和电子芯片区均设于光电集成芯片本体，电子芯片区与再布线层电连接，两个光电集成芯片的光子芯片区通过光波导线路通讯。由此，提高光电共封装结构内部的信号传输速率，可以有效降低光电共封装结构的设计成本和研发周期以及光电集成芯片之间信号传输的损耗，且可以根据实际使用的场景确定光电共封装结构的尺寸，具有良好得到通用性，实现光电集成芯片的高密度封装。
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