半导体器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1700599A

    公开(公告)日:2005-11-23

    申请号:CN200510072780.1

    申请日:2000-12-21

    CPC classification number: H03K19/0016 H03K19/018521

    Abstract: 具备本发明的电平变换电路的半导体器件,由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分,和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路,以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外,使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有,为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化,在电路部分(LSC2)中,设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。

    半导体器件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1409895A

    公开(公告)日:2003-04-09

    申请号:CN00816937.3

    申请日:2000-12-21

    CPC classification number: H03K19/0016 H03K19/018521

    Abstract: 具备本发明的电平变换电路的半导体器件,由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分,和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路,以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外,使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有,为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化,在电路部分(LSC2)中,设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。

    半导体器件
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1258877C

    公开(公告)日:2006-06-07

    申请号:CN02129868.8

    申请日:2002-08-20

    CPC classification number: H03K5/1534 H03K3/356113 H03K19/018521

    Abstract: 具备接受第1信号,输出更大振幅的第2信号的差动型电平变换电路的半导体器件,上述差动型电平变换电路具有:接受第1信号的第1MISFET对;对第1MISFET对进行耐压缓和的第2MISFEET对;锁存要输出的第2信号且具有交叉耦合栅极的第3MISFET对,第2MISFET对栅极绝缘膜比第1MISFEET对栅极绝缘膜厚,第3MISFET对栅极绝缘膜比第1MISFET对栅极绝缘膜厚,第2MISFET对阈值电压的绝对值比第3MISFEET对阈值电压的绝对值小,第1MISFET对阈值电压的绝对值比第3MISFET对阈值电压的绝对值小。即便电平变换振幅差大到4倍以上也可以进行高速电平变换。

    半导体器件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1210869C

    公开(公告)日:2005-07-13

    申请号:CN00816937.3

    申请日:2000-12-21

    CPC classification number: H03K19/0016 H03K19/018521

    Abstract: 具备本发明的电平变换电路的半导体器件,由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分,和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路,以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外,使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有,为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化,在电路部分(LSC2)中,设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。

    量子计算机系统以及量子计算机系统的运用方法

    公开(公告)号:CN117413282A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202280034361.0

    申请日:2022-02-01

    Abstract: 量子计算机系统具有:虚拟量子计算机,其基于预定的参数对实机量子计算机的动作进行模拟,所述实机量子计算机执行基于量子比特组的量子运算;以及控制装置,其控制所述实机量子计算机和所述虚拟量子计算机,所述虚拟量子计算机具有推定部,该推定部模拟所述实机量子计算机的动作来推定所述量子比特组中的关注量子比特的状态,所述控制装置具有反馈控制部,该反馈控制部变更所述参数,直至由所述推定部得出的所述关注量子比特的推定状态与来自所述实机量子计算机的量子运算结果的背离成为第一设计值以下为止,并将变更后的参数发送至所述虚拟量子计算机。

    半导体LSI设计装置以及设计方法

    公开(公告)号:CN107526861B

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN201710224087.4

    申请日:2017-04-07

    Abstract: 本发明提供一种半导体LSI设计装置以及设计方法。在控制装置中,提供削减逻辑安装所需的资源的技术。为此,构成一种半导体LSI设计装置,其生成根据应用程序规格由在功能块库中所定义的功能块所构成的组合电路,并附加组合电路内的功能块的运算顺序,以使在连接到输入引脚的功能块的运算结束后开始运算,并转换为分时方式来多次使用功能块的顺序电路,提取所述顺序电路的执行时的运算顺序,判断附加到所述组合电路的运算顺序与提取出的所述运算顺序的一致。

    半导体LSI设计装置以及设计方法

    公开(公告)号:CN107526861A

    公开(公告)日:2017-12-29

    申请号:CN201710224087.4

    申请日:2017-04-07

    Abstract: 本发明提供一种半导体LSI设计装置以及设计方法。在控制装置中,提供削减逻辑安装所需的资源的技术。为此,构成一种半导体LSI设计装置,其生成根据应用程序规格由在功能块库中所定义的功能块所构成的组合电路,并附加组合电路内的功能块的运算顺序,以使在连接到输入引脚的功能块的运算结束后开始运算,并转换为分时方式来多次使用功能块的顺序电路,提取所述顺序电路的执行时的运算顺序,判断附加到所述组合电路的运算顺序与提取出的所述运算顺序的一致。

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