公开(公告)号：CN101569003B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200780047805.X

申请日：2007-12-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 植木诚 ,  山本博规 ,  林喜宏 ,  伊藤文则 ,  福本能之

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明旨在抑制布线可靠性的劣化并降低布线的有效介电常数。具体公开了一种半导体装置，其中含铜布线覆盖有阻挡绝缘膜，所述阻挡绝缘膜包括含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅组分。即，所述含铜布线被阻挡绝缘膜覆盖，所述阻挡绝缘膜具有含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅结构。因此，降低了布线间的电容而不会劣化所述含铜布线的可靠性，从而实现了具有低功率消耗的高速LSI。

公开(公告)号：CN1822219A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610008529.3

申请日：2006-02-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 福本能之 ,  五十岚忠二

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/18 ,  H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  H01F10/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3281 ,  H01F41/303 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/1114

Abstract: 公开了一种包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法，该分层铁磁结构包括：位于衬底上方的第一铁磁层(11)；位于第一铁磁层(11)上方的第二铁磁层(13)；以及位于第一和第二铁磁层(11、13)之间的第一非磁层(12)。第一铁磁层(11)的顶表面和第一非磁层(12)接触。第一铁磁层(11)包括第一取向控制缓冲器(22)，该第一取向控制缓冲器(22)表现出提高它上面形成的膜的结晶取向的作用。

公开(公告)号：CN1822219B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200610008529.3

申请日：2006-02-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 福本能之 ,  五十岚忠二

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/18 ,  H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  H01F10/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3281 ,  H01F41/303 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/1114

Abstract: 公开了一种包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法，该分层铁磁结构包括：位于衬底上方的第一铁磁层(11)；位于第一铁磁层(11)上方的第二铁磁层(13)；以及位于第一和第二铁磁层(11、13)之间的第一非磁层(12)。第一铁磁层(11)的顶表面和第一非磁层(12)接触。第一铁磁层(11)包括第一取向控制缓冲器(22)，该第一取向控制缓冲器(22)表现出提高它上面形成的膜的结晶取向的作用。

公开(公告)号：CN101569003A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200780047805.X

申请日：2007-12-20

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 植木诚 ,  山本博规 ,  林喜宏 ,  伊藤文则 ,  福本能之

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明旨在抑制布线可靠性的劣化并降低布线的有效介电常数。具体公开了一种半导体装置，其中含铜布线覆盖有阻挡绝缘膜，所述阻挡绝缘膜包括含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅组分。即，所述含铜布线被阻挡绝缘膜覆盖，所述阻挡绝缘膜具有含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅结构。因此，降低了布线间的电容而不会劣化所述含铜布线的可靠性，从而实现了具有低功率消耗的高速LSI。

公开(公告)号：CN1726601A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200380106155.3

申请日：2003-12-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 福本能之 ,  志村健一 ,  上条敦

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  G01R33/09 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11B5/3906 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种磁阻抗器件，具备反强磁性层(5)、固定强磁性层(20)、隧道绝缘层(9)、和自由强磁性层(21)。固定强磁性层(20)被接合于反强磁性层(5)上，具有固定自发磁化。隧道绝缘层(9)被接合于固定强磁性层(20)上，是非磁性。自由强磁性层(21)被接合于隧道绝缘层(9)上，具有可反转的自由自发磁化。固定强磁性层(20)具备防止构成反强磁性层(5)的材料的至少一种扩散到隧道绝缘层(9)之第1复合磁性层(6)。