公开(公告)号：CN1822219B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200610008529.3

申请日：2006-02-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 福本能之 ,  五十岚忠二

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/18 ,  H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  H01F10/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3281 ,  H01F41/303 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/1114

Abstract: 公开了一种包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法，该分层铁磁结构包括：位于衬底上方的第一铁磁层(11)；位于第一铁磁层(11)上方的第二铁磁层(13)；以及位于第一和第二铁磁层(11、13)之间的第一非磁层(12)。第一铁磁层(11)的顶表面和第一非磁层(12)接触。第一铁磁层(11)包括第一取向控制缓冲器(22)，该第一取向控制缓冲器(22)表现出提高它上面形成的膜的结晶取向的作用。

公开(公告)号：CN1822219A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610008529.3

申请日：2006-02-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 福本能之 ,  五十岚忠二

IPC: G11C11/15 ,  G11C11/18 ,  H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  H01F10/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3281 ,  H01F41/303 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/1114

Abstract: 公开了一种包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法，该分层铁磁结构包括：位于衬底上方的第一铁磁层(11)；位于第一铁磁层(11)上方的第二铁磁层(13)；以及位于第一和第二铁磁层(11、13)之间的第一非磁层(12)。第一铁磁层(11)的顶表面和第一非磁层(12)接触。第一铁磁层(11)包括第一取向控制缓冲器(22)，该第一取向控制缓冲器(22)表现出提高它上面形成的膜的结晶取向的作用。