公开(公告)号：CN100447893C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN03817795.1

申请日：2003-07-28

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 杉林直彦 ,  本田雄士 ,  崎村升 ,  松寺久雄 ,  上条敦 ,  志村健一 ,  森馨

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 一种磁随机存取存储器，其具备磁性材料结构体，该磁性材料结构体与设置在多条第1信号线和具有与第1信号线的方向垂直的方向的多条第2信号线之间的每个交点上的存储单元相对应。每个存储单元具有包括由第1阈值函数以上的外加磁场使自发磁化的方向反向的自发磁化层的磁阻元件。在每个磁性材料结构体中，由第2阈值函数以上的外加磁场生成的磁场比由未达到第2阈值的外加磁场生成的磁场强。在将由被选择的第1和第2信号线生成的第1合成磁场外加在磁性材料结构体上的磁随机存取存储器中，按照对选择存储单元变为第1阈值函数以上的强度，在非选择存储单元上变为未达到第1阈值函数的强度的方式生成第1合成磁场和磁性材料结构体磁场之间的第2合成磁场的元件外加磁场。

公开(公告)号：CN1726601A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200380106155.3

申请日：2003-12-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 福本能之 ,  志村健一 ,  上条敦

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  G01R33/09 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11B5/3906 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种磁阻抗器件，具备反强磁性层(5)、固定强磁性层(20)、隧道绝缘层(9)、和自由强磁性层(21)。固定强磁性层(20)被接合于反强磁性层(5)上，具有固定自发磁化。隧道绝缘层(9)被接合于固定强磁性层(20)上，是非磁性。自由强磁性层(21)被接合于隧道绝缘层(9)上，具有可反转的自由自发磁化。固定强磁性层(20)具备防止构成反强磁性层(5)的材料的至少一种扩散到隧道绝缘层(9)之第1复合磁性层(6)。

公开(公告)号：CN1672213A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03817795.1

申请日：2003-07-28

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 杉林直彦 ,  本田雄士 ,  崎村升 ,  松寺久雄 ,  上条敦 ,  志村健一 ,  森馨

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 一种磁随机存取存储器，其具备磁性材料结构体，该磁性材料结构体与设置在多条第1信号线和具有与第1信号线的方向垂直的方向的多条第2信号线之间的每个交点上的存储单元相对应。每个存储单元具有包括由第1阈值函数以上的外加磁场使自发磁化的方向反向的自发磁化层的磁阻元件。在每个磁性材料结构体中，由第2阈值函数以上的外加磁场生成的磁场比由未达到第2阈值的外加磁场生成的磁场强。在将由被选择的第1和第2信号线生成的第1合成磁场外加在磁性材料结构体上的磁随机存取存储器中，按照对选择存储单元变为第1阈值函数以上的强度，在非选择存储单元上变为未达到第1阈值函数的强度的方式生成第1合成磁场和磁性材料结构体磁场之间的第2合成磁场的元件外加磁场。