半导体装置
    4.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119545857A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202410283913.2

    申请日:2024-03-13

    Inventor: 菊地拓雄

    Abstract: 提供能够抑制FP电极的电场集中的半导体装置。半导体装置具备第一~第四电极、第一~第三半导体区域、及第一、第二绝缘部。第一半导体区域设于第一电极之上。第二半导体区域设于第一半导体区域之上。第三半导体区域选择性地设于第二半导体区域之上。第二电极设于第三半导体区域之上。第三电极与第二半导体区域排列。第一绝缘部设于第二半导体区域与第三电极之间。第四电极与第一、第二半导体区域排列。第二绝缘部设于第一、第二半导体区域与第四电极之间。第二绝缘部具有第一、第二绝缘区域。第一绝缘区域包围第四电极且与第四电极相接。第二绝缘区域包围第一绝缘区域且与第一绝缘区域相接。第二绝缘区域的介电常数比第一绝缘区域的介电常数低。

    半导体装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112635542B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202010874569.6

    申请日:2020-08-27

    Abstract: 根据一个实施方式,半导体装置具有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的多个第三半导体区域、第一绝缘部、第二电极、栅极电极、第三电极以及第二绝缘部。第一绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并排。第二电极设置于第一绝缘部中。栅极电极设置于第一绝缘部中,在第二方向上与第二半导体区域对置。第三电极具有在第二方向上设置于第三半导体区域彼此之间的接触部。第二绝缘部在第一方向上设置于第一半导体区域与接触部之间,在第二方向上与栅极电极并排。

    半导体装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113394266B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202110259415.0

    申请日:2021-03-10

    Abstract: 具有第一电极、包含绝缘部及导电部的构造体、栅极电极和第二电极。绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向和与第一方向垂直且与第二方向相交的第三方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域及第三半导体区域并列。导电部设置于绝缘部中,并具有在第二方向及第三方向上与第一半导体区域对置的部分。栅极电极在第二方向及第三方向上与第二半导体区域对置。第二电极设置于第二半导体区域、第三半导体区域及构造体上,与第二半导体区域、第三半导体区域及导电部电连接。构造体沿着第二方向及第三方向设置多个。在与第一方向垂直的方向上的绝缘部的厚度μm与半导体装置的产品耐压V之比μm/V为0.0055以下。

    半导体装置
    7.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115842053A

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202210728748.8

    申请日:2022-06-24

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其具有高击穿电压。半导体装置具备半导体部、第一至第四电极和第一及第二绝缘膜。所述半导体部包含第一导电型的第一半导体层和第二导电型的第二半导体层。所述第一及第二电极分别设于所述半导体部的背面上以及表面侧。所述第二半导体层设于所述第一半导体层与所述第二电极之间。所述第三电极从所述半导体部的所述表面侧通过所述第二半导体层延伸到所述第一半导体层中。第四电极从所述半导体部的所述表面侧延伸到所述第一半导体层中,且包围所述第二半导体层。所述第一绝缘膜设于所述半导体部与所述第三电极之间。所述第二绝缘膜设于所述半导体部与所述第四电极之间,且具有比所述第一绝缘膜的膜厚更厚的膜厚。

    绝缘设备及绝缘设备的制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119626733A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202410283916.6

    申请日:2024-03-13

    Abstract: 本发明提供一种能够兼顾绝缘寿命的提高和翘曲的抑制的绝缘设备。绝缘设备具有绝缘部、第一线圈和第二线圈。绝缘部具有设置有第一线圈的第一绝缘层、设置有第二线圈的第二绝缘层、以及位于第一绝缘层与第二绝缘层之间的第三绝缘层。第三绝缘层具有:第三中央绝缘区域,位于设置有第一线圈的第一中央绝缘区域与设置有第二线圈的第二中央绝缘区域之间;以及第三外周绝缘区域,包围第三中央绝缘区域。第三中央绝缘区域具有包含氧化硅的第一中央部分。第三外周绝缘区域具有包含氧化硅的第一外周部分和包含氮氧化硅的第二外周部分。第一中央部分的厚度大于第一外周部分的厚度。第二外周部分的厚度大于第一外周部分的厚度。

    绝缘元件
    9.
    发明公开
    绝缘元件 审中-实审

    公开(公告)号:CN115346956A

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202210522361.7

    申请日:2022-05-13

    Abstract: 本发明提供能够抑制第一线圈和第二线圈之间的层间绝缘膜中的雪崩击穿的绝缘元件。绝缘元件具备:第一线圈;第二线圈;以及设于所述第一线圈与所述第二线圈之间的层间绝缘膜。所述层间绝缘膜具有第一层、第二层、以及设于所述第一层与所述第二层之间的第三层。所述第一层设于所述第一线圈与所述第三层之间,所述第二层设于所述第二线圈与所述第三层之间,所述第三层的带隙比所述第一层的带隙以及所述第二层的带隙窄。

    半导体装置
    10.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115084216A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210001669.7

    申请日:2022-01-04

    Abstract: 提供能够提高耐压的半导体装置。该半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域和第3半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、构造体、栅极电极及高电阻部。第2半导体区域设置于第1半导体区域之上。第3半导体区域设置于第2半导体区域之上。构造体的绝缘部与第1半导体区域的一部分、第2半导体区域及第3半导体区域并排。构造体的导电部设置于绝缘部中,具有与第1半导体区域对置的部分。栅极电极与第2半导体区域对置。高电阻部的电阻比第1半导体区域高。构造体沿第2、第3方向设置多个。多个构造体具有第1~第3构造体。高电阻部在第1方向上与假想圆的圆心重叠,该假想圆穿过第1、第2及第3构造体各自的第2方向及第3方向上的中心。

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