公开(公告)号：CN115346740A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210522350.9

申请日：2022-05-13

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 菊地拓雄 ,  伊藤和幸 ,  阿久津敏 ,  牧野伸显 ,  大黑达也 ,  藤庆彦

IPC: H01B17/56

Abstract: 本发明提供一种能够提高可靠性的绝缘器件。绝缘器件具备第一电极、第二电极、以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的绝缘膜。所述绝缘膜具有正的带电区域。所述正的带电区域在所述绝缘膜中配置于从所述第一电极朝向所述第二电极的方向上的一部分。

公开(公告)号：CN119626733A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202410283916.6

申请日：2024-03-13

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 伊藤和幸 ,  阿久津敏 ,  楢崎将弘 ,  菊地拓雄 ,  牧野伸显 ,  大黑达也 ,  藤庆彦

IPC: H01F27/32 ,  H01F27/28 ,  H01F41/12

Abstract: 本发明提供一种能够兼顾绝缘寿命的提高和翘曲的抑制的绝缘设备。绝缘设备具有绝缘部、第一线圈和第二线圈。绝缘部具有设置有第一线圈的第一绝缘层、设置有第二线圈的第二绝缘层、以及位于第一绝缘层与第二绝缘层之间的第三绝缘层。第三绝缘层具有：第三中央绝缘区域，位于设置有第一线圈的第一中央绝缘区域与设置有第二线圈的第二中央绝缘区域之间；以及第三外周绝缘区域，包围第三中央绝缘区域。第三中央绝缘区域具有包含氧化硅的第一中央部分。第三外周绝缘区域具有包含氧化硅的第一外周部分和包含氮氧化硅的第二外周部分。第一中央部分的厚度大于第一外周部分的厚度。第二外周部分的厚度大于第一外周部分的厚度。

公开(公告)号：CN115346956A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210522361.7

申请日：2022-05-13

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 阿久津敏 ,  伊藤和幸 ,  菊地拓雄 ,  牧野伸显 ,  大黑达也 ,  藤庆彦

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明提供能够抑制第一线圈和第二线圈之间的层间绝缘膜中的雪崩击穿的绝缘元件。绝缘元件具备：第一线圈；第二线圈；以及设于所述第一线圈与所述第二线圈之间的层间绝缘膜。所述层间绝缘膜具有第一层、第二层、以及设于所述第一层与所述第二层之间的第三层。所述第一层设于所述第一线圈与所述第三层之间，所述第二层设于所述第二线圈与所述第三层之间，所述第三层的带隙比所述第一层的带隙以及所述第二层的带隙窄。