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公开(公告)号：CN112531011B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010074517.0
申请日：2020-01-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供能够提高可靠性的数字隔离器，具有第一金属部、第一绝缘部、第二金属部、第三金属部及第一层。所述第一绝缘部设于所述第一金属部之上。所述第二金属部设于所述第一绝缘部之上。所述第三金属部具有第一部分、第二部分、以及第三部分。所述第一部分在与从所述第一金属部朝向所述第二金属部的第一方向垂直的方向上设于所述第一金属部的周围。所述第二部分隔着含有钽的第一导电层设于所述第一部分的一部分之上。所述第三部分设于所述第二部分之上，并在所述垂直的方向上设于所述第二金属部的周围。所述第一层设于所述第二部分的底部的周围，并与所述第一导电层以及所述第一部分的另一部分相接。所述第一层含有钛、或含有硅以及碳。
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公开(公告)号：CN112635542A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010874569.6
申请日：2020-08-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置具有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的多个第三半导体区域、第一绝缘部、第二电极、栅极电极、第三电极以及第二绝缘部。第一绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并排。第二电极设置于第一绝缘部中。栅极电极设置于第一绝缘部中，在第二方向上与第二半导体区域对置。第三电极具有在第二方向上设置于第三半导体区域彼此之间的接触部。第二绝缘部在第一方向上设置于第一半导体区域与接触部之间，在第二方向上与栅极电极并排。
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公开(公告)号：CN112619918B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010951919.4
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 织田达广
Abstract: 本发明的实施方式涉及处理系统、处理方法以及存储介质。本发明提供能够谋求膜的厚度的均匀化的处理系统、处理方法以及存储介质。实施方式的处理系统具备：腔室，能够在内部收纳处理物；供给部，能够向所述腔室的内部供给多个粒子与气体；检测部，能够检测所述处理物附近的气流的状态；以及控制器，能够基于来自所述检测部的检测值来控制所述供给部。所述控制器基于与气流的稳定状态相关的数据和来自所述检测部的检测值，判断漩涡的产生，在判断为产生了所述漩涡的情况下，控制所述供给部停止所述多个粒子的供给。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104637946A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410072672.3
申请日：2014-02-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , G11C16/04
CPC classification number: H01L27/11524 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 一种非易失性半导体存储装置包括NAND串，该NAND串包括布置在第一方向上的存储基元和布置为在第一方向上与位于存储基元的末端的第一存储基元相邻的选择栅。第一间隙布置在存储基元之间，并且第二间隙布置在第一存储基元和选择栅之间。此外，在横截面形状中，第二间隙的上端高于第一间隙的上端，并且第二间隙的上部弯曲。
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公开(公告)号：CN112635542B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010874569.6
申请日：2020-08-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置具有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的多个第三半导体区域、第一绝缘部、第二电极、栅极电极、第三电极以及第二绝缘部。第一绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并排。第二电极设置于第一绝缘部中。栅极电极设置于第一绝缘部中，在第二方向上与第二半导体区域对置。第三电极具有在第二方向上设置于第三半导体区域彼此之间的接触部。第二绝缘部在第一方向上设置于第一半导体区域与接触部之间，在第二方向上与栅极电极并排。
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公开(公告)号：CN112619918A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010951919.4
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 织田达广
Abstract: 本发明的实施方式涉及处理系统、处理方法以及存储介质。本发明提供能够谋求膜的厚度的均匀化的处理系统、处理方法以及存储介质。实施方式的处理系统具备：腔室，能够在内部收纳处理物；供给部，能够向所述腔室的内部供给多个粒子与气体；检测部，能够检测所述处理物附近的气流的状态；以及控制器，能够基于来自所述检测部的检测值来控制所述供给部。所述控制器基于与气流的稳定状态相关的数据和来自所述检测部的检测值，判断漩涡的产生，在判断为产生了所述漩涡的情况下，控制所述供给部停止所述多个粒子的供给。
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公开(公告)号：CN112531011A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010074517.0
申请日：2020-01-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供能够提高可靠性的数字隔离器，具有第一金属部、第一绝缘部、第二金属部、第三金属部及第一层。所述第一绝缘部设于所述第一金属部之上。所述第二金属部设于所述第一绝缘部之上。所述第三金属部具有第一部分、第二部分、以及第三部分。所述第一部分在与从所述第一金属部朝向所述第二金属部的第一方向垂直的方向上设于所述第一金属部的周围。所述第二部分隔着含有钽的第一导电层设于所述第一部分的一部分之上。所述第三部分设于所述第二部分之上，并在所述垂直的方向上设于所述第二金属部的周围。所述第一层设于所述第二部分的底部的周围，并与所述第一导电层以及所述第一部分的另一部分相接。所述第一层含有钛、或含有硅以及碳。
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公开(公告)号：CN102651369A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210044389.0
申请日：2012-02-23
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 织田达广
IPC: H01L27/115 , H01L29/788 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/7881 , H01L21/28273 , H01L21/764 , H01L27/11521 , H01L29/42324
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。根据一个实施例，一种非易失性半导体存储装置包括：包含硅的衬底、多个存储单元和绝缘膜。所述衬底包括硅。所述多个存储单元设置在所述衬底上，其间具有间隔。所述绝缘膜设置在所述存储单元的侧壁上。所述绝缘膜包括在所述存储单元之间的空隙部分之上朝所述存储单元中的相邻的一个存储单元突出的突出部。
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