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公开(公告)号：CN112635542B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010874569.6
申请日：2020-08-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置具有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的多个第三半导体区域、第一绝缘部、第二电极、栅极电极、第三电极以及第二绝缘部。第一绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并排。第二电极设置于第一绝缘部中。栅极电极设置于第一绝缘部中，在第二方向上与第二半导体区域对置。第三电极具有在第二方向上设置于第三半导体区域彼此之间的接触部。第二绝缘部在第一方向上设置于第一半导体区域与接触部之间，在第二方向上与栅极电极并排。
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公开(公告)号：CN115832045A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210766206.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417
Abstract: 提供能够减小导通电阻的半导体装置。半导体装置具有：第1电极；第2电极；半导体部分，配置于所述第1电极与所述第2电极之间；第3电极，配置于所述半导体部分内；绝缘膜，配置于所述第3电极与所述半导体部分之间；绝缘部件，配置于所述半导体部分内的与所述绝缘膜分离的位置；第4电极，配置于所述绝缘部件内；以及压缩应力部件，配置于所述第4电极内，具有沿着从所述第1电极朝向所述第2电极的第1方向的压缩应力。
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公开(公告)号：CN115036371A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111453405.7
申请日：2021-12-01
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够减少导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、第一绝缘部、栅极电极、第二绝缘部以及第二电极。第一半导体区域设于第一电极之上。第二半导体区域设于第一半导体区域之上。第三半导体区域设于第二半导体区域之上。第一绝缘部与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并列。栅极电极设于第一绝缘部中且与第二半导体区域对置。第二绝缘部设于第三半导体区域之上，不与栅极电极重叠，具有拉伸应力。第二电极设于第二绝缘部之上，与第三半导体区域电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115346740A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210522350.9
申请日：2022-05-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01B17/56
Abstract: 本发明提供一种能够提高可靠性的绝缘器件。绝缘器件具备第一电极、第二电极、以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的绝缘膜。所述绝缘膜具有正的带电区域。所述正的带电区域在所述绝缘膜中配置于从所述第一电极朝向所述第二电极的方向上的一部分。
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公开(公告)号：CN119626733A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410283916.6
申请日：2024-03-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够兼顾绝缘寿命的提高和翘曲的抑制的绝缘设备。绝缘设备具有绝缘部、第一线圈和第二线圈。绝缘部具有设置有第一线圈的第一绝缘层、设置有第二线圈的第二绝缘层、以及位于第一绝缘层与第二绝缘层之间的第三绝缘层。第三绝缘层具有：第三中央绝缘区域，位于设置有第一线圈的第一中央绝缘区域与设置有第二线圈的第二中央绝缘区域之间；以及第三外周绝缘区域，包围第三中央绝缘区域。第三中央绝缘区域具有包含氧化硅的第一中央部分。第三外周绝缘区域具有包含氧化硅的第一外周部分和包含氮氧化硅的第二外周部分。第一中央部分的厚度大于第一外周部分的厚度。第二外周部分的厚度大于第一外周部分的厚度。
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公开(公告)号：CN115346956A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210522361.7
申请日：2022-05-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供能够抑制第一线圈和第二线圈之间的层间绝缘膜中的雪崩击穿的绝缘元件。绝缘元件具备：第一线圈；第二线圈；以及设于所述第一线圈与所述第二线圈之间的层间绝缘膜。所述层间绝缘膜具有第一层、第二层、以及设于所述第一层与所述第二层之间的第三层。所述第一层设于所述第一线圈与所述第三层之间，所述第二层设于所述第二线圈与所述第三层之间，所述第三层的带隙比所述第一层的带隙以及所述第二层的带隙窄。
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公开(公告)号：CN115084216A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210001669.7
申请日：2022-01-04
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高耐压的半导体装置。该半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域和第3半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、构造体、栅极电极及高电阻部。第2半导体区域设置于第1半导体区域之上。第3半导体区域设置于第2半导体区域之上。构造体的绝缘部与第1半导体区域的一部分、第2半导体区域及第3半导体区域并排。构造体的导电部设置于绝缘部中，具有与第1半导体区域对置的部分。栅极电极与第2半导体区域对置。高电阻部的电阻比第1半导体区域高。构造体沿第2、第3方向设置多个。多个构造体具有第1～第3构造体。高电阻部在第1方向上与假想圆的圆心重叠，该假想圆穿过第1、第2及第3构造体各自的第2方向及第3方向上的中心。
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公开(公告)号：CN112635542A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010874569.6
申请日：2020-08-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施方式，半导体装置具有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的多个第三半导体区域、第一绝缘部、第二电极、栅极电极、第三电极以及第二绝缘部。第一绝缘部在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域以及第三半导体区域并排。第二电极设置于第一绝缘部中。栅极电极设置于第一绝缘部中，在第二方向上与第二半导体区域对置。第三电极具有在第二方向上设置于第三半导体区域彼此之间的接触部。第二绝缘部在第一方向上设置于第一半导体区域与接触部之间，在第二方向上与栅极电极并排。
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