-
公开(公告)号:CN117580051A
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202311535191.7
申请日:2023-11-17
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H04W16/18 , H04W4/02 , G06N3/006 , G06N3/0499 , H04W84/18
Abstract: 本发明涉及物联网领域,具体涉及一种超大规模无线传感器网络的部署方法,该方法包括如下步骤:S1:计算传感器点集的覆盖率;S2:采用BP训练法确定覆盖率误差,并将该误差作为ABC算法的目标函数;S3:初始化人工蜂群算法,通过随机解形成初始解集,并记忆当前的最优食物源,与现有技术相比,本发明的有益效果是:与之前的人工蜂群算法实现覆盖的过程相比,该发明解决的是超大规模的WSN障碍性区域覆盖的问题,发明中引入了BP神经网络用来计算涉及数万节点的超大规模WSN的覆盖率,使得覆盖率可以获得快速的计算,大大减少算法运行的时间。
-
公开(公告)号:CN119100786A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202411292255.X
申请日:2024-09-14
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了一种铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷及其制备方法,属于陶瓷材料技术领域。铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷化学通式为(K0.48Na0.52)NbO3‑xLa2O3,x表示氧化镧La2O3的摩尔数,x为0.005~0.04。铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷的制备方法,包括以下步骤:S1、称量原料;S2、对原料进行一次球磨;S3、对一次混合粉料进行预烧;S4、对预烧料进行二次球磨;S5、在二次混合粉料中加入聚乙烯醇水溶液进行造粒;S6、对造粒后的粉料进行过筛;S7、将细粉依次进行压片、排胶处理;S8、对陶瓷坯体进行烧结;S9、将陶瓷体镀银电极,施加电压进行极化。采用本发明所述的铌酸钾钠无铅透明铁电陶瓷及其制备方法,获得致密性高、低介电损耗的透明铁电陶瓷材料,具有透光性与铁电性综合性能好的优点。
-
公开(公告)号:CN117886601A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202410060575.6
申请日:2024-01-16
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法,属于压电陶瓷材料技术领域。高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷的化学通式为(0.99‑x)BaTiO3‑xBaZrO3‑0.01Bi(Zn2/3Nb1/3)O3,0≤x≤0.2。本发明通过同时在A位掺杂Bi3+和B位掺杂Zn2+、Nb5+、Zr4+,增加极性纳米微区数量,引入A位缺位和氧空位来打破原体系的长程铁电有序性,在室温附近诱导出弛豫相,且在外场激励下弛豫相和铁电相实现可逆转变,从而产生高的电致伸缩应变和电致伸缩系数。本发明采用上述高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法,制备的钛酸钡基陶瓷具有较高的电致伸缩系数和电致伸缩应变。
-
公开(公告)号:CN118955123A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411060790.2
申请日:2024-08-02
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料及其制备方法,属于压电陶瓷材料技术领域。宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料,化学通式为:(Na0.3+xBi0.38‑0.2xSr0.28‑0.7x)(Ti1‑xNbx)O3,0≤x≤0.1。制备方法包括一次球磨,900℃预烧,二次球磨,造粒、筛分,细粉8MPa干压成型,550℃高温排胶,粗粉掩埋空气气氛下1100℃‑1130℃烧结,得到陶瓷电容器介质材料。采用本发明所述的宽温区稳定的钛酸铋钠基陶瓷电容器介质材料及其制备方法,能够解决现有的钛酸铋钠基压电陶瓷介电稳定性差、低介电常数以及高损耗,制备工艺条件苛刻的问题。
-
公开(公告)号:CN117886601B
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202410060575.6
申请日:2024-01-16
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法,属于压电陶瓷材料技术领域。高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷的化学通式为(0.99‑x)BaTiO3‑xBaZrO3‑0.01Bi(Zn2/3Nb1/3)O3,0≤x≤0.2。本发明通过同时在A位掺杂Bi3+和B位掺杂Zn2+、Nb5+、Zr4+,增加极性纳米微区数量,引入A位缺位和氧空位来打破原体系的长程铁电有序性,在室温附近诱导出弛豫相,且在外场激励下弛豫相和铁电相实现可逆转变,从而产生高的电致伸缩应变和电致伸缩系数。本发明采用上述高电致伸缩性能的钛酸钡基陶瓷及其制备方法,制备的钛酸钡基陶瓷具有较高的电致伸缩系数和电致伸缩应变。
-
-
-
-