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公开(公告)号：CN107078009B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201580053465.6
申请日：2015-08-19
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。
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公开(公告)号：CN108591559A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810283916.0
申请日：2013-09-20
Applicant: 恩特格里斯公司
Abstract: 本发明涉及压力调节器和流体供给封装包。一种流体供给封装包，包括：一个压力调节流体贮存和分配容器，一个阀头，适于分配来自该容器的流体，以及一个抗压力尖峰组件，适于对抗在流体分配的初期来自所述阀头的流体的流动中的压力尖峰。
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公开(公告)号：CN113261073B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201980082496.2
申请日：2019-12-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/16 , H01J37/08
Abstract: 本发明描述用于氟离子植入的系统和方法，其包括用以产生供植入到个体中的氟离子物质的氟气体源和包括一或多种非钨材料(石墨、碳化物、氟化物、氮化物、氧化物、陶瓷)的电弧室。所述系统在系统操作期间最小化氟化钨的形成，由此延长源寿命且促进经改良的系统性能。此外，所述系统可包括氢和/或氢化物气体源，且这些气体可与氟气一起使用以改良源寿命和/或束电流。
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公开(公告)号：CN105453225B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201480025344.6
申请日：2014-03-03
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01L21/2225
Abstract: 描述了用于掺杂物的注入的离子注入组合物、系统和方法。描述了具体的硒掺杂源组合物，以及并流气体用以实现在注入系统特征方面的优势的用途，所述注入系统特征为例如方法转变、束稳定性、源寿命、束均匀性、束流和购置成本。
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公开(公告)号：CN108367269A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680073124.X
申请日：2016-11-04
Applicant: 恩特格里斯公司
Inventor： L·H·杜波依斯 , J·D·卡拉瑟斯 , M·A·彼特鲁斯卡 , E·A·斯特姆 , S·M·威尔逊 , S·M·卢尔寇特 , B·C·亨德里克斯 , J·D·斯威尼 , M·J·沃德珍斯奇 , O·比尔 , 唐瀛 , J·R·德斯普雷斯 , M·T·马洛 , C·斯坎内尔 , D·埃尔策 , K·默西
CPC classification number: B01J20/20 , B01J20/103 , B01J20/16 , B01J20/226 , F17C1/00
Abstract: 本发明描述不同类型及形式的吸附剂，如有用地用于气体供应包装中，所述气体供应包装包含盛放此吸附剂以将吸附气体存储于其上的气体存储及施配容器，及固定于所述容器以在其施配条件下从所述气体供应包装排放所述吸附气体的气体施配组合件。同样描述对应气体供应包装，及处理所述吸附剂，及制造所述气体供应包装的各种方法。
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公开(公告)号：CN107771353A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201680035844.7
申请日：2016-05-16
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/67 , F17C11/00 , F17C13/00
CPC classification number: F17C7/00 , F17C11/00 , F17C13/00 , F17C2221/03 , F17C2223/0123 , F17C2225/0123 , F17C2227/0107 , F17C2227/042 , F17C2250/032 , F17C2250/043 , F17C2250/0447 , F17C2250/0626 , F17C2250/0631 , F17C2270/0518 , H01L21/67 , H01L21/67017 , H01L21/324
Abstract: 本发明描述用于将气体递送到气体利用处理工具的气体供应系统及方法，所述气体利用处理工具例如是用于制造半导体产品、平板显示器、太阳能面板等的气体利用工具。所述气体供应系统可包括其中布置有基于吸附剂的气体供应罐及/或内部压力调节式气体供应罐的气柜，且描述可安置于所述气柜中或以独立方式操作的气体混合歧管。在一个方面中，描述气体供应系统，其中在施配操作的压控终止之后，为了进行施配操作以实现在此终止之后所述罐中剩余的气体的利用，处理易于在涉及气体供应压力的减小时冷却的罐。
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公开(公告)号：CN107771262A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201680036108.3
申请日：2016-05-11
Applicant: 恩特格里斯公司
Inventor： D·埃尔策 , 唐瀛 , B·L·钱伯斯 , J·D·斯威尼 , S·M·威尔逊 , S·乌兰伊齐 , S·E·毕夏普 , J·V·麦克马纳斯 , W·K·奥兰德 , E·E·琼斯 , O·比尔 , J·R·德普雷斯 , C·斯坎内尔
IPC: F17C13/04
CPC classification number: F17C13/04 , F17C2205/0308 , F17C2205/0335 , F17C2205/0338 , F17C2205/0391
Abstract: 本发明揭示用于流体供应封装中的流体施配组合件，其中这些流体施配组合件耦合到流体供应器皿以用于施配例如半导体制造流体等流体。在具体实施方案中，所述流体施配组合件经配置以防止将过多力施加到所述流体施配组合件中的阀元件，及/或避免可能导致有毒气体或者在其他方面危险的气体或珍贵气体泄漏的器皿意外或偶然打开状态。本发明还描述用于辅助将例如上述类型的流体供应封装的耦合元件等耦合元件耦合的对准装置，使得因不对准而对这些耦合件的损坏得以避免。
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公开(公告)号：CN107078009A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053465.6
申请日：2015-08-19
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2658 , H01J37/08 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01L31/18 , H05K999/99
Abstract: 本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。
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公开(公告)号：CN105556641A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480052121.9
申请日：2014-07-21
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/3171 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01J2237/24564 , H01J2237/3365
Abstract: 描述了用于流体的远程传送的流体存储和分配系统及方法，以用于将流体从处于较低电压的源容器提供至处于较高电压的一个或多个流体利用工具，使得流体跨越相关联的电压隙而无电弧、放电、过早离子化或其他异常行为，并且使得当由远程源容器供应多个流体利用工具时，在多个容器中的其他容器的独立操作期间，在合适的压力水平下将流体有效地供应至多个工具中的每个。
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公开(公告)号：CN105392870A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480040791.9
申请日：2014-05-15
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C10J3/00
CPC classification number: G05D11/133 , F17C2221/03 , F17C2223/035 , F17C2225/035 , F17C2227/04 , F17C2270/0518 , F25J3/0252 , G05D11/134 , G05D11/135 , G05D11/139 , Y02E60/324
Abstract: 本发明描述了用组成气体来填装气体混合物供应容器以得到精确组成的气体混合物的方法，其中所述气体混合物包含至少两种组成气体。可以采用级联填装技术，包括使气体从单个源容器流至多个目标容器，或从多个源容器流至单个目标容器。所述方法可用以形成用于离子注入应用的掺杂气体混合物，如三氟化硼和氢气的混合物。
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