公开(公告)号：CN107078009A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580053465.6

申请日：2015-08-19

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： O·比尔 ,  S·N·叶德弗 ,  J·D·斯威尼 ,  B·L·钱伯斯 ,  唐瀛

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/2658 ,  H01J37/08 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01L31/18 ,  H05K999/99

Abstract: 本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。

公开(公告)号：CN107078009B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201580053465.6

申请日：2015-08-19

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： O·比尔 ,  S·N·叶德弗 ,  J·D·斯威尼 ,  B·L·钱伯斯 ,  唐瀛

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。

公开(公告)号：CN108027106A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680050905.7

申请日：2016-07-08

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： G·M·汤姆 ,  W·K·奥兰德 ,  J·A·迪茨 ,  M·J·沃德金斯楷 ,  E·A·斯特姆 ,  S·K·迪马西奥 ,  王录平 ,  J·V·麦克马纳斯 ,  S·M·露尔寇特 ,  J·I·阿尔诺 ,  P·J·马甘斯基 ,  J·D·斯威尼 ,  S·M·威尔逊 ,  S·E·毕夏普 ,  G·尼尔森 ,  J·D·卡拉瑟斯 ,  S·N·叶德弗 ,  唐瀛 ,  J·德普雷斯 ,  B·钱伯斯 ,  R·雷 ,  D·埃尔策

IPC: F17C7/00 ,  F16K17/04 ,  F16K31/06 ,  F17C13/04

CPC classification number: F16K17/003 ,  F16K17/04 ,  F16K31/002 ,  F16K31/0675 ,  F16K37/0025 ,  F17C13/04 ,  F17C2205/0338 ,  F17C2205/0391 ,  F17C2270/0518 ,  H02K49/106

Abstract: 本发明描述了不同类型的流体供应组件，所述流体供应组件用于输送流体到流体利用设施，例如半导体制造设施、太阳能电池板制造设施及平板显示器制造设施。所述流体供应组件包含流体供应容器及多种配置的阀头，可用于构成特性为压力调节式及/或吸附剂式的流体供应组件。

公开(公告)号：CN110085499B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201910208219.3

申请日：2015-08-19

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： O·比尔 ,  S·N·叶德弗 ,  J·D·斯威尼 ,  B·L·钱伯斯 ,  唐瀛

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

Abstract: 本申请涉及利用增强源技术进行磷或砷离子植入。本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。

公开(公告)号：CN105702547B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201610048444.1

申请日：2010-10-25

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： E·E·琼斯 ,  S·N·叶德弗 ,  唐瀛 ,  B·L·钱伯斯 ,  R·凯姆 ,  J·D·斯威尼 ,  O·拜尔 ,  邹鹏

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

Abstract: 一种离子注入系统及方法，提供掺杂气体馈送线路中掺杂气体的冷却，以对抗由于电弧腔室生成的热量而造成掺杂气体的加热与分解,例如使用诸如B2F4的硼源材料，或其它BF3的替代物。在此描述了各种电弧腔室热管理的设置，以及等离子体特性的改变、特定流动设置、清洗处理过程、功率管理、平衡偏移、提取光学器件的最优化、流动通道中的沉积物的探测，以及源寿命的最优化，以实现离子注入系统的有效操作。

公开(公告)号：CN110085499A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910208219.3

申请日：2015-08-19

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： O·比尔 ,  S·N·叶德弗 ,  J·D·斯威尼 ,  B·L·钱伯斯 ,  唐瀛

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

Abstract: 本申请涉及利用增强源技术进行磷或砷离子植入。本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。