公开(公告)号：CN1711624A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200380103011.2

申请日：2003-11-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 丸山研二 ,  仓泽正树 ,  近藤正雄 ,  有本由弘

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 一种具有包含铁电薄膜的电容结构的半导体器件，其通过如下方法形成：在具有适合于生长具有平面(111)的铁电单晶薄膜层的表面的单晶衬底10上，形成：包含Pb且具有与该衬底表面平行的平面(111)的铁电单晶薄膜12’(或包含Pb且取向与平行于该衬底表面的平面(111)平行的铁电多晶薄膜)、以及半导体器件的部分电路16，以由此制备具有所述包含Pb的铁电薄膜和所述半导体器件的部分电路的单晶衬底10；以及将所述单晶衬底10接合到已经预先形成有该半导体器件的另一电路的另一衬底上，以便将此两个电路连接。由此获得的半导体器件中的电容包括具有大极化电荷量的铁电薄膜。该半导体器件可以用作高可靠性的非易失性存储器。

公开(公告)号：CN1087765C

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN97117849.6

申请日：1997-06-26

Applicant: 富士通株式会社 ,  三井金属矿业株式会社

Inventor： 岸井贞浩 ,  中村亘 ,  有本由弘 ,  畑田明良 ,  铃木邻太郎 ,  植田成生 ,  健三

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C01G45/02 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80 ,  C01P2006/90 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种研磨浆包括磨料颗粒和用来分散磨料颗粒的溶剂。其中磨料颗粒具有选自Mn2O3，Mn3O4及其混合物的组分。此外，还公开了在化学机械抛光工艺中利用研磨浆制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN100376015C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200380103011.2

申请日：2003-11-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 丸山研二 ,  仓泽正树 ,  近藤正雄 ,  有本由弘

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 一种具有包含铁电薄膜的电容结构的半导体器件，其通过如下方法形成：在具有适合于生长具有平面(111)的铁电单晶薄膜层的表面的单晶衬底10上，形成：包含Pb且具有与该衬底表面平行的平面(111)的铁电单晶薄膜12’(或包含Pb且取向与平行于该衬底表面的平面(111)平行的铁电多晶薄膜)、以及半导体器件的部分电路16，以由此制备具有所述包含Pb的铁电薄膜和所述半导体器件的部分电路的单晶衬底10；以及将所述单晶衬底10接合到已经预先形成有该半导体器件的另一电路的另一衬底上，以便将此两个电路连接。由此获得的半导体器件中的电容包括具有大极化电荷量的铁电薄膜。该半导体器件可以用作高可靠性的非易失性存储器。

公开(公告)号：CN1176282A

公开(公告)日：1998-03-18

申请号：CN97117849.6

申请日：1997-06-26

Applicant: 富士通株式会社 ,  三井金属矿业株式会社

Inventor： 岸井贞浩 ,  中村亘 ,  有本由弘 ,  畑田明良 ,  铃木邻太郎 ,  植田成生 ,  健三

IPC: C09K3/14 ,  C25C1/06 ,  C25B11/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C01G45/02 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80 ,  C01P2006/90 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种研磨浆包括磨料颗粒和用来分散磨料颗粒的溶剂。其中磨料颗粒具有选自Mn2O3,Mn3O4及其混合物的组分。此外,还公开了在化学机械抛光工艺中利用研磨浆制造半导体器件的方法。