公开(公告)号：CN1087765C

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN97117849.6

申请日：1997-06-26

Applicant: 富士通株式会社 ,  三井金属矿业株式会社

Inventor： 岸井贞浩 ,  中村亘 ,  有本由弘 ,  畑田明良 ,  铃木邻太郎 ,  植田成生 ,  健三

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C01G45/02 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80 ,  C01P2006/90 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种研磨浆包括磨料颗粒和用来分散磨料颗粒的溶剂。其中磨料颗粒具有选自Mn2O3，Mn3O4及其混合物的组分。此外，还公开了在化学机械抛光工艺中利用研磨浆制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1176282A

公开(公告)日：1998-03-18

申请号：CN97117849.6

申请日：1997-06-26

Applicant: 富士通株式会社 ,  三井金属矿业株式会社

Inventor： 岸井贞浩 ,  中村亘 ,  有本由弘 ,  畑田明良 ,  铃木邻太郎 ,  植田成生 ,  健三

IPC: C09K3/14 ,  C25C1/06 ,  C25B11/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C01G45/02 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80 ,  C01P2006/90 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种研磨浆包括磨料颗粒和用来分散磨料颗粒的溶剂。其中磨料颗粒具有选自Mn2O3,Mn3O4及其混合物的组分。此外,还公开了在化学机械抛光工艺中利用研磨浆制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1877839A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610054758.9

申请日：2006-03-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 奥野昌树 ,  岸井贞浩 ,  森冈博 ,  寺原政德 ,  佐藤成生 ,  铃木腕

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明公开一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底；设置在该半导体衬底的预定位置的器件区域；以及隔离该器件区域的浅槽隔离区域。该浅槽隔离区域包括：沟槽；设置在沟槽侧壁的上部的氮化膜衬层；设置在沟槽侧壁的下部的热氧化膜。该浅槽隔离如下设置：将浅槽隔离区域第二部分的宽度设置为比浅槽隔离区域的第一部分的宽度宽，该第二部分设置有该热氧化膜，该第一部分设置有该氮化膜衬层的下端。