公开(公告)号：CN1087765C

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN97117849.6

申请日：1997-06-26

Applicant: 富士通株式会社 ,  三井金属矿业株式会社

Inventor： 岸井贞浩 ,  中村亘 ,  有本由弘 ,  畑田明良 ,  铃木邻太郎 ,  植田成生 ,  健三

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C01G45/02 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80 ,  C01P2006/90 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种研磨浆包括磨料颗粒和用来分散磨料颗粒的溶剂。其中磨料颗粒具有选自Mn2O3，Mn3O4及其混合物的组分。此外，还公开了在化学机械抛光工艺中利用研磨浆制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1176282A

公开(公告)日：1998-03-18

申请号：CN97117849.6

申请日：1997-06-26

Applicant: 富士通株式会社 ,  三井金属矿业株式会社

Inventor： 岸井贞浩 ,  中村亘 ,  有本由弘 ,  畑田明良 ,  铃木邻太郎 ,  植田成生 ,  健三

IPC: C09K3/14 ,  C25C1/06 ,  C25B11/16 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C01G45/02 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80 ,  C01P2006/90 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种研磨浆包括磨料颗粒和用来分散磨料颗粒的溶剂。其中磨料颗粒具有选自Mn2O3,Mn3O4及其混合物的组分。此外,还公开了在化学机械抛光工艺中利用研磨浆制造半导体器件的方法。