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公开(公告)号：CN119447105A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411590995.1
申请日：2024-11-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/603
Abstract: 本发明提供了一种基于互锁结构的混合键合结构及键合方法，所述混合键合结构包括：待键合的第一芯片，其上具有氧化硅层及凸出于氧化硅层的第一连接件；待键合的第二芯片，其上具有聚酰亚胺层、设于聚酰亚胺层内的凹陷及设于凹陷底部的第二连接件，且第二连接件的表面设有第一粘附层，第一连接件及第二连接件的材质包括铜和/或铝；待键合的第一芯片及待键合的第二芯片被配置为：在键合前，第一连接件凸出氧化层的高度差大于第一粘附层顶面与氧化硅层顶面的高度差，在键合后，氧化硅层与聚酰亚胺层连接且第一连接件伸入凹陷利用第一粘附层与第二连接件连接，并以形成互锁结构。本发明用于优化混合键合工艺及键合结构的性能。
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公开(公告)号：CN119381365A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411248907.X
申请日：2024-09-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明提供了一种面向大功率密度封装的微流道散热结构及散热方法，所述微流道散热结构包括：载板，其上设有芯片堆叠体；壳体，盖设于所述载板上且与容纳所述芯片堆叠体，并与所述载板形成环绕所述芯片堆叠体的散热微流道，所述散热微流道包括设于所述壳体上供冷却液进出的入口及出口；外循环管路，联通所述散热微流道；设于所述外循环管路中靠近所述入口的压水泵及设于所述外循环管路中靠近所述出口的抽水泵，所述压水泵及所述抽水泵被配置为交替工作以供冷却液在所述散热微流道中进出，且所述抽水泵先于所述压水泵工作。本发明可在保证散热效果的前提下降低泵送冷却液的功率。
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公开(公告)号：CN117858343A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410162680.0
申请日：2024-02-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H05K1/18 , H05K1/11 , H05K1/03 , H05K1/02 , H05K3/42 , H05K3/02 , H05K3/32 , H01L23/538 , H01L23/15 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种基于玻璃基板的多波束多通道相控阵芯片封装结构及工艺，所述封装结构包括：玻璃基板，其具有相对的第一面、第二面，及若干贯穿所述第一面和所述第二面的通孔；至少两个相控阵芯片设于所述第一面，至少两个电源管理芯片设于所述第一面及所述第二面，若干无源器件设于所述第二面；设于所述第一面、所述第二面上及所述通孔内的布线层，用于电性连接所述相控阵芯片、所述电源管理芯片及所述无源器件。本发明将多波束多通道相控阵芯片所需的多个电源管理芯片及无源器件进行统一布线及阻抗匹配，不仅可显著降低整体的传输距离，减小传输损耗，提高封装结构的性能和稳定性，还可减小封装面积，增大集成密度。
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公开(公告)号：CN116190356A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211701615.8
申请日：2022-12-28
Abstract: 本发明提供了一种三维电感器的制备方法，包括：提供衬底，第一面上形成有环形沟槽；形成锆钛酸铅薄膜覆盖环形沟槽的内壁，以形成三维电感器的磁芯；形成若干通孔至少部分环绕环形沟槽，通孔的深度大于或等于环形沟槽的深度，并在通孔内形成第一导线；在第一面形成若干第二导线连接第一导线；从第二面减薄衬底至暴露第一导线，并形成第二导线连接第一导线，第一导线及第二导线环绕磁芯并作为三维电感器的线圈。本发明中，采用锆钛酸铅薄膜覆盖环形沟槽的内壁所形成的薄膜结构作为磁芯不仅在制作工艺上较为容易实现，还可同时提高三维电感器的电感值及品质因子。
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公开(公告)号：CN113192928B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110450323.0
申请日：2021-04-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/528 , H01L23/552
Abstract: 本公开涉及一种硅通孔阵列，属于半导体器件领域，能够抑制信号的耦合，提高信号的完整性。一种硅通孔阵列，该硅通孔阵列包括信号硅通孔和屏蔽接地硅通孔，其中，所述信号硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔交错排布成正N边形，N≥5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109979833A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910177846.5
申请日：2019-03-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于嵌套结构和退火的快速常温微凸点键合方法。本发明方法包括：形成嵌套结构：在晶圆的正面和背面均形成嵌套结构，嵌套结构包括第一凸起和凹陷部，凹陷部包括凹陷结构和环绕所述凹陷结构的第二凸起；键合：在键合机上将两片晶圆的嵌套结构对准，使其中一片晶圆的第一凸起与另一片晶圆的凹陷结构相互对准并键合，重复多次完成多层晶圆的键合；第一凸起和凹陷结构构成固液扩散金属对；退火：对完成键合的多层晶圆进行退火，使固液扩散金属对中的高熔点金属和低熔点金属融化扩散形成金属间化合物实现电连接。本方法简单有效，能够节约生产时间，提高生产效率；并能有效避免对器件的损害。
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公开(公告)号：CN119905413A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510093829.9
申请日：2025-01-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L21/603 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种混合键合结构及键合方法，所述混合键合方法包括：提供待键合的第一半导体结构及第二半导体结构，形成第一半导体结构和/或第二半导体结构的方法包括：提供待键合的半导体基底，在半导体基底上形成多个凸起的金属连接件，形成聚合物介质层覆盖半导体基底表面且暴露金属连接件，对聚合物介质层执行第一固化，第一固化的固化温度小于聚合物介质层的玻璃化转变温度，且第一固化后的聚合物介质层的顶面高于或等于金属连接件的顶面；执行热压键合使第一半导体结构及第二半导体结构连接，热压键合的工艺温度大于聚合物介质层的玻璃化转变温度使聚合物介质层进行第二固化。本发明可优化混合键合工艺。
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公开(公告)号：CN119133127A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411248908.4
申请日：2024-09-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明提供了一种面向大功率密度封装的低阻力微流道结构，所述微流道结构包括：载板，其上设有芯片堆叠体；壳体，盖设于所述载板上且容纳所述芯片堆叠体；散热微流道，由所述载板、所述芯片堆叠体及所述壳体围成且环绕所述芯片堆叠体，包括设于所述壳体远离所述载板一侧的供冷却液进出的入口及出口，所述微流道的内壁具有亲水表面。本发明可在保证散热效果的前提下降低泵送冷却液的功率。
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公开(公告)号：CN117806137A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410143709.0
申请日：2024-02-01
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种微米级厚度光刻胶的光刻仿真方法、仿真装置及调整方法，所述光刻仿真方法包括：获取光刻仿真参数，其包括曝光工艺参数、烘烤工艺参数及显影工艺参数；基于曝光工艺参数，采用Dill模型进行模拟曝光获得曝光后光刻胶中光敏混合物的分布，其计算过程包括将曝光剂量按曝光时间进行离散化计算光刻胶中不同厚度处光敏混合物的分布；基于烘烤工艺参数，对曝光后的光刻胶进行模拟烘烤，获得烘烤后光刻胶中光敏混合物的分布；基于显影工艺参数，对烘烤后的光刻胶进行模拟显影，获得显影后光刻胶的形貌尺寸数据。本发明从光刻全过程进行工艺仿真，可实现较为精准的关键尺寸仿真预测，而且还可提供更多的调试方案。
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公开(公告)号：CN115020970A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210615304.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K3/10 , H01L23/552 , H01L23/66
Abstract: 本公开涉及半导体器件技术领域，具体地，涉及一种芯片间无线互连的天线系统及其制造方法。本公开提供的技术方案，利用在第一介质层和第二介质层的第一通孔内填充导电物质作为发射天线和/或接收天线，电磁波在第一介质层和第二介质层中传播，实现了芯片与芯片之间无线互连，替代金属有线互连，以解决采用金属有线互连造成的导致芯片功耗、串扰以及平面内和平面外导体布线相关的复杂程度明显增加及限制芯片间高速通信的问题。并且，通过设置第一屏蔽层、第二屏蔽层和第三屏蔽层，可以屏蔽外界信号对天线信号的干扰，及提高天线的信号方向性。
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