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公开(公告)号：CN117806137A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410143709.0
申请日：2024-02-01
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种微米级厚度光刻胶的光刻仿真方法、仿真装置及调整方法，所述光刻仿真方法包括：获取光刻仿真参数，其包括曝光工艺参数、烘烤工艺参数及显影工艺参数；基于曝光工艺参数，采用Dill模型进行模拟曝光获得曝光后光刻胶中光敏混合物的分布，其计算过程包括将曝光剂量按曝光时间进行离散化计算光刻胶中不同厚度处光敏混合物的分布；基于烘烤工艺参数，对曝光后的光刻胶进行模拟烘烤，获得烘烤后光刻胶中光敏混合物的分布；基于显影工艺参数，对烘烤后的光刻胶进行模拟显影，获得显影后光刻胶的形貌尺寸数据。本发明从光刻全过程进行工艺仿真，可实现较为精准的关键尺寸仿真预测，而且还可提供更多的调试方案。
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