公开(公告)号：CN119486578A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411653117.X

申请日：2024-11-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘子玉 ,  李锦竹 ,  张卫 ,  孙清清 ,  陈琳

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/00 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了一种三维忆阻器的堆叠方法及半导体器件的键合方法，所述堆叠方法包括：提供第一衬底，其上设有第一半导体复合层；形成忆阻层覆盖所述第一半导体复合层；提供第二衬底，其上设有第二半导体复合层；形成粘合层覆盖所述第二半导体复合层，所述粘合层包括暴露的氧化硅层；对所述忆阻层及所述氧化硅层的表面进行羟基化处理；对所述忆阻层及所述氧化硅层进行热压键合，使所述第一半导体复合层与所述第二半导体复合层堆叠连接。本发明可降低制备三维忆阻器的工艺难度。

公开(公告)号：CN119905413A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510093829.9

申请日：2025-01-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘子玉 ,  李锦竹 ,  楼其村 ,  张卫 ,  孙清清 ,  陈琳

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L21/603 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种混合键合结构及键合方法，所述混合键合方法包括：提供待键合的第一半导体结构及第二半导体结构，形成第一半导体结构和/或第二半导体结构的方法包括：提供待键合的半导体基底，在半导体基底上形成多个凸起的金属连接件，形成聚合物介质层覆盖半导体基底表面且暴露金属连接件，对聚合物介质层执行第一固化，第一固化的固化温度小于聚合物介质层的玻璃化转变温度，且第一固化后的聚合物介质层的顶面高于或等于金属连接件的顶面；执行热压键合使第一半导体结构及第二半导体结构连接，热压键合的工艺温度大于聚合物介质层的玻璃化转变温度使聚合物介质层进行第二固化。本发明可优化混合键合工艺。

公开(公告)号：CN119447105A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411590995.1

申请日：2024-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘子玉 ,  李锦竹 ,  张卫 ,  孙清清 ,  陈琳

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明提供了一种基于互锁结构的混合键合结构及键合方法，所述混合键合结构包括：待键合的第一芯片，其上具有氧化硅层及凸出于氧化硅层的第一连接件；待键合的第二芯片，其上具有聚酰亚胺层、设于聚酰亚胺层内的凹陷及设于凹陷底部的第二连接件，且第二连接件的表面设有第一粘附层，第一连接件及第二连接件的材质包括铜和/或铝；待键合的第一芯片及待键合的第二芯片被配置为：在键合前，第一连接件凸出氧化层的高度差大于第一粘附层顶面与氧化硅层顶面的高度差，在键合后，氧化硅层与聚酰亚胺层连接且第一连接件伸入凹陷利用第一粘附层与第二连接件连接，并以形成互锁结构。本发明用于优化混合键合工艺及键合结构的性能。