-
公开(公告)号：CN103247538A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310141293.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及沟槽功率MOS器件的版图设计领域，特别涉及一种用七次光刻来实现集成肖特基分裂栅型沟槽功率MOS器件。本发明包括P-离子注入掩膜版，沟槽刻蚀掩膜版，保护栅结构回刻蚀阻挡掩膜版，P+离子注入掩膜版，电极接触孔掩膜版，金属分离刻蚀掩膜版，光刻压焊点掩膜版。由单个台面结构边缘向内依次是电极接触孔掩膜版、P-离子注入掩膜版、P+离子注入掩膜版。N+离子注入与P-离子注入共用同一掩膜版，减少掩膜版的制作成本。器件内的台面结构由沟槽结构包围，且台面结构为规则条状结构，从而降低因台面结构复杂而因此的电场集中效应，从而提升器件的整体击穿电压。
-
公开(公告)号：CN102148256A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110067484.8
申请日：2011-03-21
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供的是一种栅增强功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、介质层(203)、分裂栅(204)、栅电极(205)、n+层(206)、源电极(207)、沟道区(208)，介质层(203)的K值是按一定规律分布的，即K值按照从源极到漏极方向越来越小。本发明通过用K值按照一定规律分布的介质层代替原来的侧氧结构，在不牺牲器件耐压的前提下，降低漏-源导通电阻。本发明与常规MOSFET工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
-
公开(公告)号：CN104243867B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410489838.1
申请日：2014-09-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明涉及一种高像素高帧率的CMOS图像传感器及图像采集方法，包括依次连接的像素阵列部(101)、增量ΣΔADC阵列部(102)、数字相关双采样部(103)和缓冲存储器部(104)，还包括行译码单元部(105)，行译码单元部(105)的信号输出端接像素阵列部(101)的控制端，还包括列读出控制电路(106)，列读出控制电路(106)的信号输出端接缓冲存储器部的控制端，增量ΣΔADC阵列部(102)接有电压缓冲器(107)和时钟延迟与驱动电路(108)。
-
公开(公告)号：CN104243867A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410489838.1
申请日：2014-09-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明涉及一种高像素高帧率的CMOS图像传感器及图像采集方法，包括依次连接的像素阵列部(101)、增量ΣΔADC阵列部(102)、数字相关双采样部(103)和缓冲存储器部(104)，还包括行译码单元部(105)，行译码单元部(105)的信号输出端接像素阵列部(101)的控制端，还包括列读出控制电路(106)，列读出控制电路(106)的信号输出端接缓冲存储器部的控制端，增量ΣΔADC阵列部(102)接有电压缓冲器(107)和时钟延迟与驱动电路(108)。
-
公开(公告)号：CN104184478B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410386730.X
申请日：2014-08-07
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H03M3/02
Abstract: 本发明提供的是一种互补共源共栅反相器及增量Sigma‑Delta模数转换电路。由二阶ΣΔ调制器(101)、降采样滤波器(102)、时钟信号产生电路(103)和低压‑高压转换器(104)构成，二阶ΣΔ调制器(101)中的带复位端的开关电容积分器中包括互补共源共栅反相器，所述互补共源共栅反相器包括第一PMOS1管和第一NMOS1管，在第一PMOS1管和第一NMOS1管之间串联第二NMOS2管和第二PMOS2管，第二NMOS2管在上，第二NMOS2管的栅端接电源电压VDD，第二PMOS2管在下，第二PMOS2管栅端接地GND。本发明的ADC具有极低的功耗和可在低电源电压下工作的特点，适用于便携式仪器和测量等领域中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103500760A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310454462.6
申请日：2013-09-29
Applicant: 哈尔滨工程大学
CPC classification number: H01L29/0642 , H01L29/7836
Abstract: 本发明公开了一种体硅MOSFET结构。该结构包括：p+层（2）和n-层（3）；其中，所述p+层（2）和所述n-层（3）直接接触，n-层使用宽禁带的6H-SiC材料。该结构提高了体硅结构的抗辐照能力。相对于SOI技术而言，该结构改善了自加热效应，消除了总剂量效应，降低了成本。
-
公开(公告)号：CN102222701A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110170815.0
申请日：2011-06-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0619
Abstract: 本发明提供的是一种沟槽结构肖特基器件。包括阳极电极(1)、二氧化硅层(2)、P+保护环(3)、肖特基接触(4)、P型掺杂区域(5)、N型漂移区(6)、N+衬底区(7)、阴极电极(8)，在N型漂移区(6)内刻蚀有沟槽结构，在沟槽中先形成P型掺杂区域(5)，然后进行肖特基金属溅射形成沟槽内的肖特基接触部分。本发明在普通SBD结构中的漂移区中刻蚀沟槽先形成P型掺杂区，而后溅射肖特基金属与N型漂移区形成肖特基接触。在不牺牲器件反向特性的情况下，提高肖特基器件的正向导通电流。本发明实施工艺与结势垒控制肖特基二极管JBS工艺兼容，容易实现，且更能满足现代功率电子系统的要求。
-
公开(公告)号：CN102064199A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010556115.0
申请日：2010-11-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/812
Abstract: 本发明提供的是一种自对准内嵌肖特基结的功率半导体场效应晶体管。包括漏区、漂移区、栅氧化层、栅电极、场氧化层、沟道区、侧壁氧化层、阳极和源电极；在漏区之上形成位于基底上的漂移区掺杂层；在所述掺杂层上形成栅极区，栅极区包括栅氧化层、栅电极与场氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的侧壁氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的源极区，源极区包括沟道区、阳极与源电极；阳极与漂移区形成肖特基接触，其中阳极与源电极短接。本发明与常规功率MOSFET晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
-
公开(公告)号：CN105301284B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510727317.X
申请日：2015-10-30
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: G01P15/08 , H03K19/0175
Abstract: 本发明属于MEMS惯性器件领域，具体涉及一种低功耗数字加速度计接口电路系统。本发明包括驱动信号产生部、电荷积分器、前置补偿器、采样保持电路、三阶ΣΔ调制器和1位静电力反馈。四个部分可以不需要工作在高频下，而只需要工作于较低频率即可，可以大大降低对机械电容和寄生电容充放电功耗。三阶电学ΣΔ调制器中的运算放大器用反相器来替代，由于反相器可以在极低的静态电流下提供很宽的单位增益带宽，所以尽管105部具有很高的工作频率，但其功耗却大大降低了。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.018 seconds)
