公开(公告)号：CN103594523A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310547265.9

申请日：2013-11-07

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  徐立坤 ,  曹菲 ,  胡海帆

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0634

Abstract: 本发明公开了一种双层超结肖特基二极管，其中，功率肖特基器件的漂移区采用双层超结结构，通过该结构，在不明显损失器件正向特性的前提下，很好改善了普通超结肖特基二极管的反向击穿特性与电荷不平衡之间的关系，而且极大的改善了器件的反向恢复特性，降低了器件的输出电容，有效地降低了器件的功耗。

公开(公告)号：CN102222701A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110170815.0

申请日：2011-06-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  徐立坤 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619

Abstract: 本发明提供的是一种沟槽结构肖特基器件。包括阳极电极(1)、二氧化硅层(2)、P+保护环(3)、肖特基接触(4)、P型掺杂区域(5)、N型漂移区(6)、N+衬底区(7)、阴极电极(8)，在N型漂移区(6)内刻蚀有沟槽结构，在沟槽中先形成P型掺杂区域(5)，然后进行肖特基金属溅射形成沟槽内的肖特基接触部分。本发明在普通SBD结构中的漂移区中刻蚀沟槽先形成P型掺杂区，而后溅射肖特基金属与N型漂移区形成肖特基接触。在不牺牲器件反向特性的情况下，提高肖特基器件的正向导通电流。本发明实施工艺与结势垒控制肖特基二极管JBS工艺兼容，容易实现，且更能满足现代功率电子系统的要求。