-
公开(公告)号：CN111446042A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010165375.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明导电薄膜材料领域，公开了一种高性能透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法为：将透明基板经清洗、烘干后，在室温下通过脉冲激光沉积GZO导电薄膜，得到高性能透明导电薄膜。本发明采用了GZO作为导电薄膜材料，绿色环保；且采用单层GZO薄膜，工艺简单；并通过脉冲激光沉积制备，无需退火处理，有效降低成本。所得GZO导电薄膜具有高透过率，低粗糙度，低电阻的优点，可用于电磁器件和设备屏蔽，例如：战斗机座舱盖和海军舰艇舷窗等。
-
公开(公告)号：CN109346242B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811147467.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法，具体制备步骤为：将PVP和乙二醇加入反应器中，加热搅拌溶解；向反应器中加入NaCl乙二醇溶液；在搅拌条件下并加入AgNO3乙二醇溶液，然后在140℃及搅拌条件下继续反应80min，结束反应后离心分离产物，制得银纳米线，将银纳米线分散于乙醇中；将上述银纳米线乙醇悬浊液离心处理，离心后取适量上层悬浊液旋涂于玻璃基板表面，随后进行退火处理，得到基于银纳米线的透明电极。本发明通过控制银纳米线的制备工艺与涂布工艺，制得的银纳米线产率达到80％，制得的透明电极平均透过率为91.9％、方阻为45.7Ω/sq。
-
公开(公告)号：CN109346456A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811019125.3
申请日：2018-09-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于薄膜电极材料领域，公开了一种显示用电子器件铜互连布线电极及其制备方法。所述铜互连布线电极包括衬底及衬底上的铜合金薄膜层，所述铜合金薄膜的材料成分由Cu、Cr、Zr和Pr组成。以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在衬底上沉积铜合金薄膜层，得到显示用电子器件铜互连布线电极。本发明的制备方法简单，所制备的导电电极具有结合强度高，电阻率低的特点。
-
公开(公告)号：CN108288643A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810077682.4
申请日：2018-01-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于电子器件的技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管。所述栅极，由依次叠设的铜合金层和三氧化二铝层组成，且三氧化二铝层靠近薄膜晶体管中栅极绝缘层；所述铜合金层包含铬和锆。方法：(1)在衬底上沉积铜合金薄膜，作为栅极主体层；(2)在铜合金薄膜上沉积三氧化二铝薄膜。氧化物薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、铜合金层、三氧化二铝层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极。本发明的氧化物薄膜晶体管栅极具有成本低廉，结合强度高，电阻率低，电学稳定性好，工艺简单的优点。
-
公开(公告)号：CN111446042B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010165375.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明导电薄膜材料领域，公开了一种高性能透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法为：将透明基板经清洗、烘干后，在室温下通过脉冲激光沉积GZO导电薄膜，得到高性能透明导电薄膜。本发明采用了GZO作为导电薄膜材料，绿色环保；且采用单层GZO薄膜，工艺简单；并通过脉冲激光沉积制备，无需退火处理，有效降低成本。所得GZO导电薄膜具有高透过率，低粗糙度，低电阻的优点，可用于电磁器件和设备屏蔽，例如：战斗机座舱盖和海军舰艇舷窗等。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109180017A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810980744.2
申请日：2018-08-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: C03C17/34 , G02F1/1523
Abstract: 本发明属于电致变色器件技术领域，具体涉及一种溶液法低温制备WO3电致变色薄膜的方法。所述方法包括如下制备步骤：将氯化钨溶于无水乙醇中，离心搅拌后，得到前驱体溶液；在衬底上旋涂前驱体溶液，在空气中静置30～60min，然后在100～300℃的温度下退火处理1～2h，得到WO3薄膜。本发明通过将氯化钨溶于无水乙醇中离心后得到前驱体，可以在较低退火温度下去除湿膜中的有机杂质，能够在低温下得到氧化钨电致变色薄膜，使得低温制备电致变色器件成为可能，同时本方法的工艺流程和所需的设备条件相对简单，有利于大规模的工业生产。
-
公开(公告)号：CN107403832A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710617004.8
申请日：2017-07-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/0684
Abstract: 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其用途，该薄膜晶体管其底部是衬底，衬底上设置一栅极，栅极的四周有一绝缘层包覆隔绝，绝缘层之上是有源层，有源层之上是富铟层；该薄膜晶体管的最外层是钝化层，钝化层与富铟层、有源层、绝缘层、衬底围成的区域分别是源电极和漏电极；在本发明的薄膜晶体管中，富铟层提高了载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率；所述的源电极和漏电极含有铜，含铜电极具有低的电阻率，能够有效降低阻抗延迟。本发明的薄膜晶体管使用真空法制备，制备方法简单，有利于大规模生产。所制得的薄膜晶体管同时具有高迁移率、高稳定性和低电阻率源/漏电极的优点。
-
公开(公告)号：CN108777250B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810527383.6
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，公开了一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法。将SnCl2·2H2O溶解在酸溶液中，然后滴加碱性溶液，调节溶液pH值范围为11.5～12.5，生成白色溶胶物质Sn6O4(OH)4，然后超声处理或加热处理，得到黑色沉淀物质，沉淀经分离、洗涤、干燥，得到所述大尺寸单晶氧化亚锡。本发明利用酸碱中和反应机理制备大尺寸单晶SnO，本发明的制备方法操作简单，所需原料及设备无特殊要求；并且所制得的单晶SnO尺寸大，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
-
公开(公告)号：CN109346242A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811147467.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法，具体制备步骤为：将PVP和乙二醇加入反应器中，加热搅拌溶解；向反应器中加入NaCl乙二醇溶液；在搅拌条件下并加入AgNO3乙二醇溶液，然后在140℃及搅拌条件下继续反应80min，结束反应后离心分离产物，制得银纳米线，将银纳米线分散于乙醇中；将上述银纳米线乙醇悬浊液离心处理，离心后取适量上层悬浊液旋涂于玻璃基板表面，随后进行退火处理，得到基于银纳米线的透明电极。本发明通过控制银纳米线的制备工艺与涂布工艺，制得的银纳米线产率达到80％，制得的透明电极平均透过率为91.9％、方阻为45.7Ω/sq。
-
公开(公告)号：CN108735821A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810527382.1
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种镨铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Pr-IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明通过在IZO半导体中引入Pr元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Pr-IZO有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，在室温下实现高迁移率、高电流开关比的氧化物薄膜晶体管。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.026 seconds)
