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公开(公告)号：CN111133133B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201880061909.4
申请日：2018-09-07
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B25/14 , C23C16/455 , C30B29/38 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种涉及化合物半导体的气相生长装置的技术。气相生长装置具有：反应容器；晶片保持器，其配置在反应容器内，并具有以晶片表面成为大致铅直向下的方式保持晶片的晶片保持面；第一原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第一原料气体；第二原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第二原料气体；排气管，其配置在晶片保持面的下方侧。第一原料气体供给管、第二原料气体供给管以及排气管配置为在大致铅直方向上延伸。穿过晶片保持面的中心并且垂直于晶片保持面的轴线与排气管之间的距离大于轴线与第一原料气体供给管以及第二原料气体供给管之间的距离。
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公开(公告)号：CN102447023A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110302936.6
申请日：2011-09-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件呈现进一步改善的光提取效率，并且抑制凹陷生成。再该生产方法中，n型层、发光层和p型层(每个层均由III族氮化物半导体制成)经由缓冲层顺序沉积在具有c面主表面的织构化蓝宝石衬底上。掩埋层由III族氮化物半导体于较之当n型层沉积在掩埋层上时1000℃至1200℃的温度更低20℃至80℃的温度下形成在缓冲层上，以通过掩埋织构而使掩埋层的顶表面平坦。提供在蓝宝石衬底上的织构可以具有1μm至2μm的深度，并且侧表面倾斜40°至80°。防护层可以由GaN于600℃至1050℃下形成，以覆盖缓冲层的整个顶表面。这抑制缓冲层的传质。由此，可以抑制晶体中的凹陷生成。缓冲层可以由含有Al的III族氮化物半导体形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101883881A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200980101248.4
申请日：2009-01-27
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420℃下供应三甲基铝，从而形成具有或更小厚度的铝层。将铝层氮化以形成氮化铝层。通过该程序，在具有a面主表面的蓝宝石衬底中，III族氮化物系化合物半导体仅从具有与c面成45°或更小倾角的台面侧表面外延生长。因此，可形成具有与蓝宝石衬底的主表面平行的m面的III族氮化物系化合物半导体。
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公开(公告)号：CN116646375A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310136430.5
申请日：2023-02-20
Applicant: 丰田合成株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本技术的目的在于提供具有IIIA族氮化物半导体并且以常闭进行动作的半导体元件及其制造方法。第3半导体层130A具有第3半导体层p型区域132A。第2区域R2是将使相对于第1半导体层110为上层的p型区域投影于基板Sub1的第1表面Sub1a所得的投影区域由垂直于投影区域的面进行包围的区域。栅电极G1是相对于第3半导体层p型区域132A为上层且位于第2区域R2。第2半导体层120A在第1区域R1具有第1非掺杂区域121，在第2区域R2的第1半导体层110的一侧具有第2非掺杂区域122，在第2区域R2的第3半导体层130的一侧具有第2半导体层p型区域123A。第3半导体层p型区域132A与第2半导体层p型区域123A连续。
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公开(公告)号：CN101883881B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200980101248.4
申请日：2009-01-27
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420℃下供应三甲基铝，从而形成具有或更小厚度的铝层。将铝层氮化以形成氮化铝层。通过该程序，在具有a面主表面的蓝宝石衬底中，III族氮化物系化合物半导体仅从具有与c面成45°或更小倾角的台面侧表面外延生长。因此，可形成具有与蓝宝石衬底的主表面平行的m面的III族氮化物系化合物半导体。
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公开(公告)号：CN102447023B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110302936.6
申请日：2011-09-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 一种用于生产III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件呈现进一步改善的光提取效率，并且抑制凹陷生成。再该生产方法中，n型层、发光层和p型层(每个层均由III族氮化物半导体制成)经由缓冲层顺序沉积在具有c面主表面的织构化蓝宝石衬底上。掩埋层由III族氮化物半导体于较之当n型层沉积在掩埋层上时1000℃至1200℃的温度更低20℃至80℃的温度下形成在缓冲层上，以通过掩埋织构而使掩埋层的顶表面平坦。提供在蓝宝石衬底上的织构可以具有1μm至2μm的深度，并且侧表面倾斜40°至80°。防护层可以由GaN于600℃至1050℃下形成，以覆盖缓冲层的整个顶表面。这抑制缓冲层的传质。由此，可以抑制晶体中的凹陷生成。缓冲层可以由含有Al的III族氮化物半导体形成。
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公开(公告)号：CN111133133A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880061909.4
申请日：2018-09-07
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 丰田合成株式会社
IPC: C30B25/14 , C23C16/455 , C30B29/38 , H01L21/31 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种涉及化合物半导体的气相生长装置的技术。气相生长装置具有：反应容器；晶片保持器，其配置在反应容器内，并具有以晶片表面成为大致铅直向下的方式保持晶片的晶片保持面；第一原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第一原料气体；第二原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第二原料气体；排气管，其配置在晶片保持面的下方侧。第一原料气体供给管、第二原料气体供给管以及排气管配置为在大致铅直方向上延伸。穿过晶片保持面的中心并且垂直于晶片保持面的轴线与排气管之间的距离大于轴线与第一原料气体供给管以及第二原料气体供给管之间的距离。
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