公开(公告)号：CN111133133B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201880061909.4

申请日：2018-09-07

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  丰田合成株式会社

Inventor： 新田州吾 ,  本田善央 ,  永松谦太郎 ,  天野浩 ,  藤元直树

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/14 ,  C23C16/455 ,  C30B29/38 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种涉及化合物半导体的气相生长装置的技术。气相生长装置具有：反应容器；晶片保持器，其配置在反应容器内，并具有以晶片表面成为大致铅直向下的方式保持晶片的晶片保持面；第一原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第一原料气体；第二原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第二原料气体；排气管，其配置在晶片保持面的下方侧。第一原料气体供给管、第二原料气体供给管以及排气管配置为在大致铅直方向上延伸。穿过晶片保持面的中心并且垂直于晶片保持面的轴线与排气管之间的距离大于轴线与第一原料气体供给管以及第二原料气体供给管之间的距离。

公开(公告)号：CN111133133A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880061909.4

申请日：2018-09-07

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  丰田合成株式会社

Inventor： 新田州吾 ,  本田善央 ,  永松谦太郎 ,  天野浩 ,  藤元直树

IPC: C30B25/14 ,  C23C16/455 ,  C30B29/38 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种涉及化合物半导体的气相生长装置的技术。气相生长装置具有：反应容器；晶片保持器，其配置在反应容器内，并具有以晶片表面成为大致铅直向下的方式保持晶片的晶片保持面；第一原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第一原料气体；第二原料气体供给管，其配置在晶片保持面的下方侧并供给第二原料气体；排气管，其配置在晶片保持面的下方侧。第一原料气体供给管、第二原料气体供给管以及排气管配置为在大致铅直方向上延伸。穿过晶片保持面的中心并且垂直于晶片保持面的轴线与排气管之间的距离大于轴线与第一原料气体供给管以及第二原料气体供给管之间的距离。

公开(公告)号：CN117813695A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280056342.8

申请日：2022-08-23

Applicant: 出光兴产株式会社 ,  丰田合成株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 笘井重和 ,  胜又聪 ,  大山正嗣 ,  永田贤吾 ,  松原太一 ,  久志本真希 ,  本田善央 ,  天野浩

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 层叠体，其依次包含反射电极层(17)、具有MgZnO系组成的中间层(16)、以及具有AlGaN系组成的半导体层(15)。

公开(公告)号：CN116646375A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310136430.5

申请日：2023-02-20

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 佐藤寿朗 ,  上村俊也 ,  神谷真央 ,  天野浩 ,  加地彻 ,  新田州吾 ,  出来真斗 ,  田中敦之 ,  本田善央

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本技术的目的在于提供具有IIIA族氮化物半导体并且以常闭进行动作的半导体元件及其制造方法。第3半导体层130A具有第3半导体层p型区域132A。第2区域R2是将使相对于第1半导体层110为上层的p型区域投影于基板Sub1的第1表面Sub1a所得的投影区域由垂直于投影区域的面进行包围的区域。栅电极G1是相对于第3半导体层p型区域132A为上层且位于第2区域R2。第2半导体层120A在第1区域R1具有第1非掺杂区域121，在第2区域R2的第1半导体层110的一侧具有第2非掺杂区域122，在第2区域R2的第3半导体层130的一侧具有第2半导体层p型区域123A。第3半导体层p型区域132A与第2半导体层p型区域123A连续。