公开(公告)号：CN116646375A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310136430.5

申请日：2023-02-20

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 佐藤寿朗 ,  上村俊也 ,  神谷真央 ,  天野浩 ,  加地彻 ,  新田州吾 ,  出来真斗 ,  田中敦之 ,  本田善央

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本技术的目的在于提供具有IIIA族氮化物半导体并且以常闭进行动作的半导体元件及其制造方法。第3半导体层130A具有第3半导体层p型区域132A。第2区域R2是将使相对于第1半导体层110为上层的p型区域投影于基板Sub1的第1表面Sub1a所得的投影区域由垂直于投影区域的面进行包围的区域。栅电极G1是相对于第3半导体层p型区域132A为上层且位于第2区域R2。第2半导体层120A在第1区域R1具有第1非掺杂区域121，在第2区域R2的第1半导体层110的一侧具有第2非掺杂区域122，在第2区域R2的第3半导体层130的一侧具有第2半导体层p型区域123A。第3半导体层p型区域132A与第2半导体层p型区域123A连续。

公开(公告)号：CN117716509A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202280052314.9

申请日：2022-02-15

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 出来真斗 ,  陆顺 ,  天野浩 ,  本田善央 ,  田中敦之 ,  伊藤佑太

IPC: H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种能够形成p型区域、有效减少p型区域与电极的接触电阻的技术。本发明的氮化物半导体装置的制造方法的一个实施方式具有：镁层形成工序，在氮化物半导体衬底的表面形成以镁作为主要成分的镁层。本发明的制造方法具有：退火工序，对形成有镁层的氮化物半导体衬底进行退火。

公开(公告)号：CN117226309A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310703961.8

申请日：2023-06-14

Applicant: 浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 河口大祐 ,  田中敦之 ,  油井俊树 ,  荒谷知巳

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/064 ,  B23K103/00

Abstract: 本发明涉及激光加工方法、半导体设备的制造方法以及激光加工装置。激光加工方法具备通过从加工对象物的表面向内部照射激光而沿着加工对象物内的假想面形成多个改质点的形成工序。加工对象物在从与该表面垂直的方向观察的情况下具有第一区域和第二区域。在形成工序中，在第二区域形成多个改质点列，该改质点列由沿着第一区域与第二区域之间的边界排列的多个改质点构成，多个改质点列沿着与多个改质点的排列方向交叉的方向排列，通过形成多个改质点列，形成从第二区域向第一区域延伸的龟裂。

公开(公告)号：CN113260492B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201980084472.0

申请日：2019-12-18

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 田中敦之 ,  笹冈千秋 ,  天野浩 ,  河口大祐 ,  和仁阳太郎 ,  伊崎泰则 ,  油井俊树

IPC: B28D5/00 ,  B23K26/53 ,  H01L21/304 ,  H01L21/301

Abstract: 激光加工方法是用于在半导体对象物的内部沿着与半导体对象物的表面相对的假想面，切断半导体对象物的激光加工方法，具备：通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部，从而沿着假想面，以成为第1形成密度的方式形成多个第1改质点的第1工序；在第1工序之后，通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部，从而沿着假想面，以成为比第1形成密度高的第2形成密度的方式形成多个第2改质点的第2工序。

公开(公告)号：CN113195185A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980084378.5

申请日：2019-12-18

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 田中敦之 ,  笹冈千秋 ,  天野浩 ,  河口大祐 ,  和仁阳太郎 ,  伊崎泰则

IPC: B28D5/00 ,  B23K26/53 ,  H01L21/304 ,  H01L21/301

Abstract: 激光加工方法是用于在半导体对象物的内部沿着与半导体对象物的表面相对的假想面，切断半导体对象物的激光加工方法，具备：通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部，而沿着假想面形成多个第1改质点的第1工序；通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部，而以与多个第1改质点不重叠的方式，沿着假想面形成多个第2改质点的第2工序。

公开(公告)号：CN113260492A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201980084472.0

申请日：2019-12-18

Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 田中敦之 ,  笹冈千秋 ,  天野浩 ,  河口大祐 ,  和仁阳太郎 ,  伊崎泰则 ,  油井俊树

IPC: B28D5/00 ,  B23K26/53 ,  H01L21/304 ,  H01L21/301

Abstract: 激光加工方法是用于在半导体对象物的内部沿着与半导体对象物的表面相对的假想面，切断半导体对象物的激光加工方法，具备：通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部，从而沿着假想面，以成为第1形成密度的方式形成多个第1改质点的第1工序；在第1工序之后，通过使激光从表面入射至半导体对象物的内部，从而沿着假想面，以成为比第1形成密度高的第2形成密度的方式形成多个第2改质点的第2工序。