公开(公告)号：CN114823305A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210025807.5

申请日：2022-01-11

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  学校法人名城大学

Inventor： 斋藤义树 ,  坊山晋也 ,  松井慎一 ,  三轮浩士 ,  永田贤吾 ,  竹内哲也 ,  石黑永孝

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供在不会使发光元件的输出降低的情况下可以从由氮化物半导体构成的p型层提取氢的发光元件的制造方法、以及发光元件的氢的提取方法，即使在p型层由高Al组成的氮化物半导体构成的情况下，仍能够有效地提取氢。作为本发明的一个方式，提供发光元件1的制造方法，包括以下工序：针对发光波长为306nm以下的发光元件1，在施加反向电压或是比发光元件1的阈值电压低的正向电压的状态下、或不施加电压的状态下，从外侧照射波长为306nm以下的紫外光，实施热处理，将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序；在650℃以上的N2气氛下或500℃以上的N2+O2气氛下实施将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序。

公开(公告)号：CN102386295B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201110251962.0

申请日：2011-08-24

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 神谷真央 ,  坊山晋也 ,  牛田泰久

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括半导体叠层结构的发光元件，该半导体叠层结构包括氮化物半导体，并且通过层叠第一半导体层、发光层和第二半导体层而形成，第一半导体层为第一导电型，第二半导体层为不同于第一导电型的第二导电型，第一半导体层通过去除第二半导体层和发光层的一部分而暴露，凹部形成在第一半导体层的暴露部中，第一电极形成在凹部上并且与第一半导体层欧姆接触，而第二电极与第二半导体层欧姆接触并且围绕第一电极形成。

公开(公告)号：CN101883881B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980101248.4

申请日：2009-01-27

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  新田州吾 ,  斋藤义树 ,  牛田泰久 ,  中田尚幸 ,  坊山晋也

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/20 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007

Abstract: 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420℃下供应三甲基铝，从而形成具有或更小厚度的铝层。将铝层氮化以形成氮化铝层。通过该程序，在具有a面主表面的蓝宝石衬底中，III族氮化物系化合物半导体仅从具有与c面成45°或更小倾角的台面侧表面外延生长。因此，可形成具有与蓝宝石衬底的主表面平行的m面的III族氮化物系化合物半导体。

公开(公告)号：CN117476819A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310926977.5

申请日：2023-07-26

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永田贤吾 ,  三轮浩士 ,  坊山晋也 ,  斋藤义树

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  C30B29/40 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供一种发光元件的制造方法，是具备由III族氮化物半导体构成的发光功能部的发光元件的制造方法，能够在PSS上形成透射率和表面的平坦性优异的基底层。作为本发明的一个方式，提供一种发光元件(1)的制造方法，包括：介由由AlN构成的缓冲层11在PSS10上形成由AlN构成的基底层(12)的工序；在基底层(12)上使III族氮化物半导体外延生长而形成包含发光层(132)的发光功能部(13)的工序；在形成基底层(12)的工序中，使原料气体的V/III比为1.0～2.0的范围内，通过MOVPE法使AlN外延生长而形成基底层(12)。

公开(公告)号：CN102386295A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110251962.0

申请日：2011-08-24

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 神谷真央 ,  坊山晋也 ,  牛田泰久

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括半导体叠层结构的发光元件，该半导体叠层结构包括氮化物半导体，并且通过层叠第一半导体层、发光层和第二半导体层而形成，第一半导体层为第一导电型，第二半导体层为不同于第一导电型的第二导电型，第一半导体层通过去除第二半导体层和发光层的一部分而暴露，凹部形成在第一半导体层的暴露部中，第一电极形成在凹部上并且与第一半导体层欧姆接触，而第二电极与第二半导体层欧姆接触并且围绕第一电极形成。

公开(公告)号：CN101883881A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200980101248.4

申请日：2009-01-27

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  新田州吾 ,  斋藤义树 ,  牛田泰久 ,  中田尚幸 ,  坊山晋也

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/20 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007

Abstract: 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420℃下供应三甲基铝，从而形成具有或更小厚度的铝层。将铝层氮化以形成氮化铝层。通过该程序，在具有a面主表面的蓝宝石衬底中，III族氮化物系化合物半导体仅从具有与c面成45°或更小倾角的台面侧表面外延生长。因此，可形成具有与蓝宝石衬底的主表面平行的m面的III族氮化物系化合物半导体。