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公开(公告)号：CN109911929B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910253135.1
申请日：2019-03-29
Applicant: 东北大学
Abstract: 一种Pt为催化剂制备SnO2纳米材料的方法和应用，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。一种Pt为催化剂制备的SnO2纳米材料，所述SnO2纳米材料呈梳状结构，围绕主干表面密集生长有纳米线；所述纳米材料是由金红石四方相晶体结构的SnO2构成；主干直径为100～500nm，长度为100～500μm，纳米线的直径为80～200nm，长度为400nm～2μm。本发明H2S气体传感器在较低工作温度下获得对H2S气体最大的灵敏度，具有快速的响应和恢复速度，检测下限为500ppb，对H2S有优异的选择性。该发明克服了现有H2S气体传感器工作温度过高、响应恢复速度慢、选择性差等不足，有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109632894B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201910027216.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明一种贵金属原位共掺杂CuO基NO2气敏材料的制备及其应用，涉及CuO基纳米材料制备领域。贵金属原位共掺杂CuO纳米材料制备方法包括以下步骤：向去离子水中分别加入1.3mmol的CuSO45H2O和0.8～1mmol的柠檬酸三钠，搅拌后加入5～5.3mmol的NaOH，得溶液A；将375～1875μL浓度为0.017mol/L的氯金酸溶液和650～3250μL浓度为0.01mol/L的氯化钯溶液混合，得溶液B；将溶液B加入溶液A中，160℃条件下水热反应12h得到反应产物；冷却洗涤干燥热处理。上述方法制得的材料可制备气敏性能优越、适用于低工作温度检测的NO2气体传感器。
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公开(公告)号：CN110243881B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910640005.3
申请日：2019-07-16
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于rGO‑SnO2纳米复合材料的NO2气敏元件及其制备方法，属于石墨烯‑金属氧化物复合材料气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的rGO‑SnO2纳米复合材料组成，所述rGO‑SnO2纳米复合材料的微观形貌为在还原氧化石墨烯片层上均匀生长着SnO2纳米球，所述SnO2纳米球直径为40～70nm，为四方锡石相结构。本发明采用一步水热法制备出比表面积大、电阻率低、分散性良好的rGO‑SnO2纳米复合材料，然后将rGO‑SnO2纳米复合材料作为气敏涂层制备出NO2气敏元件。该气敏元件有效地解决了传统NO2气敏元件工作温度较高及石墨烯类气敏元件灵敏度较低、恢复时间较长等问题，具有较好的应用价值和发展前景。
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公开(公告)号：CN110357606A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910706283.4
申请日：2019-08-01
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/19 , C04B35/195 , C04B41/85 , G01N27/12
Abstract: 本发明提供一种基于沸石基板的In2O3纳米材料制备及其应用，以价格低廉的天然沸石为原料，通过破碎磨矿、压片成型、高温烧结、打磨清洗等工序制备出具有一定强度的沸石基板，随后采用水热合成法在沸石基板上制备出花状In2O3纳米材料，并将长有In2O3纳米材料的基板制成气敏元件对其气敏特性进行考查，克服现有基板种类单一且价格昂贵等方面存在的问题，并拓展了沸石的应用途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110357606B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910706283.4
申请日：2019-08-01
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/19 , C04B35/195 , C04B41/85 , G01N27/12
Abstract: 本发明提供一种基于沸石基板的In2O3纳米材料制备及其应用，以价格低廉的天然沸石为原料，通过破碎磨矿、压片成型、高温烧结、打磨清洗等工序制备出具有一定强度的沸石基板，随后采用水热合成法在沸石基板上制备出花状In2O3纳米材料，并将长有In2O3纳米材料的基板制成气敏元件对其气敏特性进行考查，克服现有基板种类单一且价格昂贵等方面存在的问题，并拓展了沸石的应用途径。
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公开(公告)号：CN110261445B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910627455.9
申请日：2019-07-12
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非金属矿物电极衬底表面原位生长纳米In2O3的室温NO2传感器及制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以非金属矿物多孔陶瓷电极为衬底，采用直流溅射法在衬底表面溅射叉指电极，并采用水热法在其表面原位生长In2O3纳米材料，所述的In2O3纳米材料呈棒状结构，并均匀密集地分布在衬底表面，其直径为120～200nm，长度为0.5～1μm，该棒状结构是由纳米颗粒相互堆积组成的，所述的纳米颗粒为In2O3立方相晶体结构，其直径为10～30nm。该气体传感器可以在室温工作条件下，并在UV光辅助恢复下，对0.1～1ppm NO2具有快速的响应和恢复速度，且具有优异的选择性和长期稳定性，有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109632894A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910027216.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/127
Abstract: 本发明一种贵金属原位共掺杂CuO基NO2气敏材料的制备及其应用，涉及CuO基纳米材料制备领域。贵金属原位共掺杂CuO纳米材料制备方法包括以下步骤：向去离子水中分别加入1.3mmol的CuSO45H2O和0.8～1mmol的柠檬酸三钠，搅拌后加入5～5.3mmol的NaOH，得溶液A；将375～1875μL浓度为0.017mol/L的氯金酸溶液和650～3250μL浓度为0.01mol/L的氯化钯溶液混合，得溶液B；将溶液B加入溶液A中，160℃条件下水热反应12h得到反应产物；冷却洗涤干燥热处理。上述方法制得的材料可制备气敏性能优越、适用于低工作温度检测的NO2气体传感器。
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公开(公告)号：CN109781796B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910169014.9
申请日：2019-03-06
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种基于闪锌矿制备ZnS‑ZnO异质结纳米颗粒的NO2气敏元件属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域。一种ZnS‑ZnO异质结纳米颗粒的制备方法，将粒度为1～2μm的闪锌矿500～800℃焙烧2～8h得固体粉末；将固体粉末与Na2S·9H2O和NaOH按质量比2:3～12:1混合成悬浊液，NaOH的浓度为0.1～0.2mol/L，30～70℃搅拌10min后静置2～10h得沉淀产物，洗涤、干燥、300～500℃热处理4h。本发明成本低、流程简单、反应易于控制、可批量生产。通过该方法制备的气敏元件在工作温度250℃时对NO2气体灵敏度最大，响应和恢复时间短，可逆性好，具有良好发展前景。
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公开(公告)号：CN110412086A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910712687.4
申请日：2019-08-02
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12 , B82Y15/00 , G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的异丙醇气敏元件及其制备方法，属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的ZnSnO3纳米球组成，所述ZnSnO3纳米球直径为500±50nm，所述ZnSnO3纳米球为钙钛矿结构，所述气敏元件的异丙醇浓度检测范围为500ppb～500ppm。本发明操作流程简单、反应条件温和、易于控制、可批量生产。基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的ppb级异丙醇气敏元件具有ppb级检测、响应恢复迅速、可逆性好、高选择性，在200℃工作温度条件下时获得对异丙醇气体的最大灵敏度，是具有良好发展前景的异丙醇气敏元件。
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