公开(公告)号：CN1632933A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN200410084748.0

申请日：2004-12-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 桑文斌 ,  闵嘉华 ,  王昆黍 ,  秦凯丰 ,  樊建荣 ,  钱永彪

IPC: H01L21/46 ,  H01L21/30

Abstract: 本发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法，属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表面钝化，包括有四个工艺程序，其特征为，在最后的表面钝化程序中采用两步法，两步法的钝化工艺如下：先用KOH－KCl溶液进行表面处理，获得接近化学计量比的碲锌镉晶片表面，然后再用NH4F/H2O2混合溶液进行钝化生成氧化层，这样既可获得化学计量比较好的碲锌镉晶片表面，又可在该表面形成起保护作用的高阻氧化层，从而可改善碲锌镉探测器的性能。

公开(公告)号：CN101459207B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200910044852.X

申请日：2009-01-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 梁小燕 ,  闵嘉华 ,  王长君 ,  戴灵恩 ,  秦凯丰 ,  陈军 ,  王林军 ,  赵岳 ,  桑文斌

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种Au/Cr-CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸发沉积一层厚度为50～150nm的Au电极层，然后在100～200℃温度下恒温10～60分钟，以促进电极层的合金化过程，真空蒸发的真空度在10-5～10-7Pa，然后待晶片自然冷却0.5～2小时，最终制得Au/Cr-CZT复合接触电极。本发明方法所得的Au/Cr-CZT复合电极与以往的Au-CZT电极相比，复合电极的接触附着力更强、I-V特性曲线显示其欧姆线性更佳，器件的能谱响应也得到了提高和改善。

公开(公告)号：CN103904160A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410107249.2

申请日：2014-03-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  陶骏 ,  唐荣烨 ,  秦凯丰 ,  王君楠 ,  黄健 ,  唐可 ,  沈忠文

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/115

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/115 ,  H01L31/1836

Abstract: 本发明公开了一种应用于X射线探测的CdZnTe薄膜的制备方法。所述制备方法是基于近空间升华（CSS）技术。该方法以CdZnTe单晶切片为升华源，使用氩气作为工作气体，并通过一定的表面处理获得理想的整流电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点，可以制备应用于大面积、低漏电流、高分辨率的X射线探测器的薄膜，有望X射线薄膜探测器的产业化生产。

公开(公告)号：CN101397651A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810201997.1

申请日：2008-10-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 闵嘉华 ,  桑文斌 ,  戴灵恩 ,  王长君 ,  梁小燕 ,  施朱斌 ,  钱永彪 ,  滕建勇 ,  秦凯丰

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置，属特殊晶体生长用容器的镀膜工艺技术领域。本发明采用一种真空热分解镀膜技术，将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉的石英炉管中，并藉真空抽气系统，保持其真空度在10－1～10－3Pa范围内，同时吸入作为碳源的无水乙醇，其流量控制在0.5～5ml/min范围内；将石英安瓿在真空中加热到热分解镀膜温度，该温度为950～1100℃，并在该温度下维持加热10～60分钟，使碳充分沉积，待冷却至室温后，即得镀碳膜的石英安瓿。本发明方法可以制得具有高结合力和致度的碳膜的石英安瓿，碳膜不易脱落，有利于CdZnTe晶体的合成生长。

公开(公告)号：CN101459207A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200910044852.X

申请日：2009-01-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 梁小燕 ,  闵嘉华 ,  王长君 ,  戴灵恩 ,  秦凯丰 ,  陈军 ,  王林军 ,  赵岳 ,  桑文斌

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种Au/Cr－CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸发沉积一层厚度为50～150nm的Au电极层，然后在100～200℃温度下恒温10～60分钟，以促进电极层的合金化过程，真空蒸发的真空度在10－5～10－7Pa，然后待晶片自然冷却0.5～2小时，最终制得Au/Cr－CZT复合接触电极。本发明方法所得的Au/Cr－CZT复合电极与以往的Au－CZT电极相比，复合电极的接触附着力更强、I－V特性曲线显示其欧姆线性更佳，器件的能谱响应也得到了提高和改善。

公开(公告)号：CN1320616C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200410084748.0

申请日：2004-12-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 桑文斌 ,  闵嘉华 ,  王昆黍 ,  秦凯丰 ,  樊建荣 ,  钱永彪

IPC: H01L21/46 ,  H01L21/30

Abstract: 本发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法，属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表面钝化，包括有四个工艺程序，其特征为，在最后的表面钝化程序中采用两步法，两步法的钝化工艺如下：先用KOH-KCl溶液进行表面处理，获得接近化学计量比的碲锌镉晶片表面，然后再用NH4F/H2O2混合溶液进行钝化生成氧化层，这样既可获得化学计量比较好的碲锌镉晶片表面，又可在该表面形成起保护作用的高阻氧化层，从而可改善碲锌镉探测器的性能。