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公开(公告)号：CN101459207B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910044852.X
申请日：2009-01-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种Au/Cr-CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸发沉积一层厚度为50～150nm的Au电极层，然后在100～200℃温度下恒温10～60分钟，以促进电极层的合金化过程，真空蒸发的真空度在10-5～10-7Pa，然后待晶片自然冷却0.5～2小时，最终制得Au/Cr-CZT复合接触电极。本发明方法所得的Au/Cr-CZT复合电极与以往的Au-CZT电极相比，复合电极的接触附着力更强、I-V特性曲线显示其欧姆线性更佳，器件的能谱响应也得到了提高和改善。
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公开(公告)号：CN100485975C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710038763.5
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种新颖的带有电容栅的共面栅阳极碲锌镉探测器的设计和电容栅的制备方法，这种器件在共面栅阳极器件上，增加一个电容栅，形成共面栅阳极-电容栅复合结构碲锌镉核探测器件，即碲锌镉核探测器件的阳极采用改进的共面栅结构，阴极采用全平面电极并在器件阴、阳极端面之间的器件侧面增加一个与阴极电连接的电容栅。本发明中的电容栅制备工艺能获得有效修正权重势分布并与阴极电连接的电容栅，从而该碲锌镉探测器件在共面栅阳极和侧面电容栅的双重作用下改善性能。
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公开(公告)号：CN1657403A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510023575.6
申请日：2005-01-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法及其装置。属于高纯原料气相提纯工艺技术领域。本方法采用准闭管气相输运提纯法，具体工艺程序如下：将Cd、Zn、Te合成的化合物多晶原料放入气相输运装置电阻炉中的石英反应管中，随后将其上方的孔口封口，将其下方设置的微小通气孔调节至需要的孔口大小，其调节大小范围为0.3－3mm2，然后抽真空，保持一定的真空度，真空度范围为10－1－10－2Pa；继续打开真空系统，使石英反应管内的合成化合物于源端高温处产生的气相物质被气流运送至沉积端；源端温度为800—1000℃，沉积端区的温度为450－600℃，运输速率为20－40g/24hr；电阻加热炉内温度梯度为16－24℃/cm，石英管内产生的尾气籍真空系统经冷阱收集于尾气吸收池。本发明方法及装置的优点是气相输送速率快，生产效率高，而且结构简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN1632933A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410084748.0
申请日：2004-12-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法，属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表面钝化，包括有四个工艺程序，其特征为，在最后的表面钝化程序中采用两步法，两步法的钝化工艺如下：先用KOH－KCl溶液进行表面处理，获得接近化学计量比的碲锌镉晶片表面，然后再用NH4F/H2O2混合溶液进行钝化生成氧化层，这样既可获得化学计量比较好的碲锌镉晶片表面，又可在该表面形成起保护作用的高阻氧化层，从而可改善碲锌镉探测器的性能。
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公开(公告)号：CN1648688A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510023578.X
申请日：2005-01-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种共面栅阳极碲锌镉探测器的制备方法，属半导体晶体核探测器制造工艺技术领域。该探测器是由碲锌镉晶体及其阳极和阴极组成，该探测器的制备方法具有以下步骤：先将切割好的、晶面方向为(111)定向的、具有一定尺寸的碲锌镉晶片进行粗抛，细抛，表面化学腐蚀，清洗各工序的表面处理，然后制成电极：电极的制备采用真空蒸发沉积电极，利用光刻技术得到两组共平面交叉指形的微条形阳极，阴极为完整的平面电极，两组阳极和一个阴极均有金丝引线引出；沉积的电极为铬金合金复合电极；最后将未沉积电极镀层的晶片表面进行钝化，最终制得共面栅阳极碲锌镉探测器。本发明方法制得的探测器具有较优的射线能量分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101397651A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810201997.1
申请日：2008-10-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置，属特殊晶体生长用容器的镀膜工艺技术领域。本发明采用一种真空热分解镀膜技术，将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉的石英炉管中，并藉真空抽气系统，保持其真空度在10－1～10－3Pa范围内，同时吸入作为碳源的无水乙醇，其流量控制在0.5～5ml/min范围内；将石英安瓿在真空中加热到热分解镀膜温度，该温度为950～1100℃，并在该温度下维持加热10～60分钟，使碳充分沉积，待冷却至室温后，即得镀碳膜的石英安瓿。本发明方法可以制得具有高结合力和致度的碳膜的石英安瓿，碳膜不易脱落，有利于CdZnTe晶体的合成生长。
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公开(公告)号：CN1328598C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200510023578.X
申请日：2005-01-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种共面栅阳极碲锌镉探测器的制备方法，属半导体晶体核探测器制造工艺技术领域。该探测器是由碲锌镉晶体及其阳极和阴极组成，该探测器的制备方法具有以下步骤：先将切割好的、晶面方向为(111)定向的、具有一定尺寸的碲锌镉晶片进行粗抛，细抛，表面化学腐蚀，清洗各工序的表面处理，然后制成电极：电极的制备采用真空蒸发沉积电极，利用光刻技术得到两组共平面交叉指形的微条形阳极，阴极为完整的平面电极，两组阳极和一个阴极均有金丝引线引出；沉积的电极为铬金合金复合电极；最后将未沉积电极镀层的晶片表面进行钝化，最终制得共面栅阳极碲锌镉探测器。本发明方法制得的探测器具有较优的射线能量分辨率。
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公开(公告)号：CN1295752C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410016840.3
申请日：2004-03-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种在硅衬底上垂直定向生长ZnO纳米线的复合半导体基板材料及其制备方法。该半导体基板材料，包括衬底及其表面涂层，衬底采用硅(111)片，表面涂层是以高分子配位体形成的碳骨架为缠绕网络，并在其上生长有ZnO晶体。本发明的半导体基板材料的制备方法为：将高分子配位体溶液与锌盐溶液以一定的体积比混合，搅拌均匀后，在一定的温度下发生络合反应，形成配位络合物，将该络合物涂膜在硅(111)片上，在氧气气氛下，在300～600℃温度下加热氧化0.25～6小时，自然降温后即可制得所需产品。本发明的生长温度低、设备简单、成本低、操作条件易控制且便于规模生产，而产品性能佳。
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公开(公告)号：CN1560903A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410016840.3
申请日：2004-03-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种在硅衬底上垂直定向生长ZnO纳米线的复合半导体基板材料及其制备方法。该半导体基板材料，包括衬底及其表面涂层，衬底采用硅(111)片，表面涂层是以高分子配位体形成的碳骨架为缠绕网络，并在其上生长有ZnO晶体。本发明的半导体基板材料的制备方法为：将高分子配位体溶液与锌盐溶液以一定的体积比混合，搅拌均匀后，在一定的温度下发生络合反应，形成配位络合物，将该络合物涂膜在硅(111)片上，在氧气气氛下，在300～600℃温度下加热氧化0.25～6小时，自然降温后即可制得所需产品。本发明的生长温度低、设备简单、成本低、操作条件易控制且便于规模生产，而产品性能佳。
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公开(公告)号：CN101459207A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200910044852.X
申请日：2009-01-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种Au/Cr－CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸发沉积一层厚度为50～150nm的Au电极层，然后在100～200℃温度下恒温10～60分钟，以促进电极层的合金化过程，真空蒸发的真空度在10－5～10－7Pa，然后待晶片自然冷却0.5～2小时，最终制得Au/Cr－CZT复合接触电极。本发明方法所得的Au/Cr－CZT复合电极与以往的Au－CZT电极相比，复合电极的接触附着力更强、I－V特性曲线显示其欧姆线性更佳，器件的能谱响应也得到了提高和改善。
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