公开(公告)号：CN101459207A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200910044852.X

申请日：2009-01-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 梁小燕 ,  闵嘉华 ,  王长君 ,  戴灵恩 ,  秦凯丰 ,  陈军 ,  王林军 ,  赵岳 ,  桑文斌

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种Au/Cr－CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸发沉积一层厚度为50～150nm的Au电极层，然后在100～200℃温度下恒温10～60分钟，以促进电极层的合金化过程，真空蒸发的真空度在10－5～10－7Pa，然后待晶片自然冷却0.5～2小时，最终制得Au/Cr－CZT复合接触电极。本发明方法所得的Au/Cr－CZT复合电极与以往的Au－CZT电极相比，复合电极的接触附着力更强、I－V特性曲线显示其欧姆线性更佳，器件的能谱响应也得到了提高和改善。

公开(公告)号：CN101459207B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200910044852.X

申请日：2009-01-04

Applicant: 上海大学

Inventor： 梁小燕 ,  闵嘉华 ,  王长君 ,  戴灵恩 ,  秦凯丰 ,  陈军 ,  王林军 ,  赵岳 ,  桑文斌

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种Au/Cr-CZT复合电极的制备方法，属于CdZnTe(CZT)半导体材料探测器欧姆电极制备技术领域。本发明方法利用传统常用的现有真空蒸发装置，在CZT表面先蒸发沉积一层厚度为3～15nm的Cr层，然后再蒸发沉积一层厚度为50～150nm的Au电极层，然后在100～200℃温度下恒温10～60分钟，以促进电极层的合金化过程，真空蒸发的真空度在10-5～10-7Pa，然后待晶片自然冷却0.5～2小时，最终制得Au/Cr-CZT复合接触电极。本发明方法所得的Au/Cr-CZT复合电极与以往的Au-CZT电极相比，复合电极的接触附着力更强、I-V特性曲线显示其欧姆线性更佳，器件的能谱响应也得到了提高和改善。

公开(公告)号：CN101397651A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810201997.1

申请日：2008-10-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 闵嘉华 ,  桑文斌 ,  戴灵恩 ,  王长君 ,  梁小燕 ,  施朱斌 ,  钱永彪 ,  滕建勇 ,  秦凯丰

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置，属特殊晶体生长用容器的镀膜工艺技术领域。本发明采用一种真空热分解镀膜技术，将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉的石英炉管中，并藉真空抽气系统，保持其真空度在10－1～10－3Pa范围内，同时吸入作为碳源的无水乙醇，其流量控制在0.5～5ml/min范围内；将石英安瓿在真空中加热到热分解镀膜温度，该温度为950～1100℃，并在该温度下维持加热10～60分钟，使碳充分沉积，待冷却至室温后，即得镀碳膜的石英安瓿。本发明方法可以制得具有高结合力和致度的碳膜的石英安瓿，碳膜不易脱落，有利于CdZnTe晶体的合成生长。