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公开(公告)号：CN100485975C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710038763.5
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种新颖的带有电容栅的共面栅阳极碲锌镉探测器的设计和电容栅的制备方法，这种器件在共面栅阳极器件上，增加一个电容栅，形成共面栅阳极-电容栅复合结构碲锌镉核探测器件，即碲锌镉核探测器件的阳极采用改进的共面栅结构，阴极采用全平面电极并在器件阴、阳极端面之间的器件侧面增加一个与阴极电连接的电容栅。本发明中的电容栅制备工艺能获得有效修正权重势分布并与阴极电连接的电容栅，从而该碲锌镉探测器件在共面栅阳极和侧面电容栅的双重作用下改善性能。
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公开(公告)号：CN1632933A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410084748.0
申请日：2004-12-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法，属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表面钝化，包括有四个工艺程序，其特征为，在最后的表面钝化程序中采用两步法，两步法的钝化工艺如下：先用KOH－KCl溶液进行表面处理，获得接近化学计量比的碲锌镉晶片表面，然后再用NH4F/H2O2混合溶液进行钝化生成氧化层，这样既可获得化学计量比较好的碲锌镉晶片表面，又可在该表面形成起保护作用的高阻氧化层，从而可改善碲锌镉探测器的性能。
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公开(公告)号：CN101038942A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710038763.5
申请日：2007-03-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种新颖的带有电容栅的共面栅阳极碲锌镉探测器的设计和电容栅的制备方法，这种器件在共面栅阳极器件上，增加一个电容栅，形成共面栅阳极－电容栅复合结构碲锌镉核探测器件，即碲锌镉核探测器件的阳极采用改进的共面栅结构，阴极采用全平面电极并在器件阴、阳极端面之间的器件侧面增加一个与阴极电连接的电容栅，属半导体探测器件技术领域。本发明中的电容栅制备工艺能获得有效修正权重势分布并与阴极电连接的电容栅，从而该碲锌镉探测器件在共面栅阳极和侧面电容栅的双重作用下改善性能，其特征为，在阴极和共面栅阳极端面之间的晶片侧面包有环绕晶体的如聚四氟乙烯或涤纶等绝缘介质薄膜材料，形成环绕晶体侧面的绝缘介质薄膜环套，然后再在介质材料上沉积或包覆金属层形成环绕绝缘介质薄膜的金属环套，金属环套一边紧靠阴极端面，另一边与阳极端面保留有晶片侧面高度(即器件厚度)1/2～1/10的间距，介质环套和包覆其上的金属环套和一起构成器件侧面电容栅，该电容栅与阴极电连接，以达到与阴极同电位。
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公开(公告)号：CN1320616C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200410084748.0
申请日：2004-12-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法，属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表面钝化，包括有四个工艺程序，其特征为，在最后的表面钝化程序中采用两步法，两步法的钝化工艺如下：先用KOH-KCl溶液进行表面处理，获得接近化学计量比的碲锌镉晶片表面，然后再用NH4F/H2O2混合溶液进行钝化生成氧化层，这样既可获得化学计量比较好的碲锌镉晶片表面，又可在该表面形成起保护作用的高阻氧化层，从而可改善碲锌镉探测器的性能。
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